卢建丽
- 作品数：5 被引量：17H指数：3
- 供职机构：内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：内蒙古自治区自然科学基金内蒙古自治区高等学校科学研究项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- SnS_2纳米薄膜的制备及结构和光学特性被引量：6
- 2009年
- 采用真空热蒸发法,在玻璃衬底上制备纳米SnS2薄膜。研究不同Sn和S配比及不同热处理条件对薄膜性能的影响。实验给出采用Sn∶S=1∶1.5摩尔比混合粉末制备的薄膜,经T=430℃,t=40min氮气保护热处理可获得性能良好的SnS2纳米多晶薄膜。薄膜呈n型、表面结构较致密,平均晶粒尺寸为77nm,直接光学带隙约为2.02eV。
- 杨晶李健白海平卢建丽
- 关键词：微结构光学特性
- Sb掺杂Sn_2S_3薄膜的制备及光学特性被引量：2
- 2011年
- 真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜（玻璃衬底），研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的结构、表面形貌、化学组分及光学特性的影响。实验给出5％掺Sb的薄膜经380℃热处理30min（氮气保护）得到正交晶系的Sn2S3；Sb多晶薄膜，薄膜表面颗粒大小均匀，膜面致密有轻微颗粒聚集现象。薄膜体内Sn与S化学计量比为1：1．49，掺Sb后为1：0．543，薄膜中Sn、S、SB分别以Sn2＋、Sn4＋、S2-、Sb5＋存在。纯Sn2S3薄膜的光透过率在350～500nm波长范围内基本为零，随着波长增大，光透过率增加，其直接光学带隙为2．2eV，吸收边为564nm；掺Sb后薄膜的光透率明显降低，光学带隙为1．395eV比未掺杂时减小0．805eV，吸收边发生红移为889nm。
- 王艳李健卢建丽
- 关键词：光学特性
- Sb掺杂Sn_2S_3薄膜的表征及电学特性被引量：5
- 2011年
- 真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜。研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的电学、结构、表面形貌、化学组分的影响,实验给出掺Sb5%薄膜经380℃热处理30 min可获得结构良好正交晶系的Sn2S3∶Sb多晶薄膜,薄膜的电阻率从未掺杂时的79kΩ.cm降到23.7Ω.cm,下降了三个数量级。Sn2S3薄膜表面为颗粒状,体内化学计量比Sn/S为1∶1.49,与标准计量比非常接近;掺Sb(5%)后为1∶0.543,Sn过量。Sn和S以Sn2+,Sn4+,S2-形式存在于薄膜中;Sb元素显示正5价,部分Sb5+进入晶格替位Sn4+。
- 柴燕华李健卢建丽
- 关键词：电学特性
- 锑（Sb）掺杂Sn/_2S/_3薄膜的制备及结构与光电特性
- 采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备Sb掺杂Sn/_2S/_3薄膜。在氮气保护下对薄膜进行不同条件的热处理,获得性能良好的正交晶系Sn/_2S/_3多晶薄膜。研究Sb掺杂含量及不同热处理条件对Sn/_2S/_3薄膜的物相结构及...
- 卢建丽
- 关键词：光电特性
- 文献传递
- Sn_2S_3薄膜制备及结构与光学特性被引量：7
- 2009年
- 采用真空热蒸发法在玻璃衬底上制备Sn2S3薄膜。研究不同Sn和S配比及热处理条件对薄膜的结构及光学特性的影响。结果显示:采用Sn∶S为1∶1.2(at%)混合粉末制备出的薄膜,在T=430℃,t=40min氮气保护热处理后,可得到结构良好的n型Sn2S3纳米多晶薄膜。薄膜表面致密较平整,颗粒分布均匀,平均晶粒尺寸为60.37nm。Sn2S3薄膜的直接光学带隙约为2.0eV。
- 卢建丽李健白海平杨晶
- 关键词：结构和光学特性
