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张贤鹏: 作品数：12 被引量：129H指数：4; 供职机构：清华大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信电气工程建筑科学机械工程更多>>

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半导体照明关键技术研究被引量：28: 2007年; 以GaN基功率型发光二极管为核心的半导体照明光源,已经展示了广阔的应用前景,但其流明效率和公认的200lm/W的路线图目标相比还有较大的发展空间。从材料外延、管芯制作、器件封装和系统应用等方面介绍了半导体照明关键技术的最新进展,其中包括清华大学集成光电子学国家重点实验室的研究成果,并展望了未来的研究方向。; 罗毅张贤鹏韩彦军钱可元; 关键词：半导体照明氮化镓发光二极管热阻

基于BCl_3感应耦合等离子体的蓝宝石光滑表面刻蚀被引量：1: 2007年; 利用Ar/BCl3、Cl2/BCl3和SF6/BCl3感应耦合等离子体(ICP),研究了蓝宝石(Al2O3)材料的干法刻蚀特性。实验表明,优化BCl3含量(80%),可以提高对Al2O3衬底的刻蚀速率;在BCl3刻蚀气体中加入20%的Ar气可以在高刻蚀速率下同时获得优于未刻蚀Al2O3衬底表面的光滑刻蚀表面和较好的刻蚀侧壁,原子力显微镜(AFM)分析得到最优刻蚀平整度为0.039nm,俄歇电子能谱(AES)分析其归一化Al/O原子比为0.94。; 薛小琳韩彦军张贤鹏江洋马洪霞刘中涛罗毅; 关键词：刻蚀速率

热退火对Mg掺杂InGaN/GaN异质结特性的影响: 2007年; 系统地研究了氧气氛围中退火温度对Mg掺杂InGaN/GaN异质结电学特性及光学性能的影响。电流电压特性和表面方块电阻的测试表明,与p-GaN相比,p-InGaN/GaN异质结的最佳退火温度较低,而且容易与非合金化的Ni/Au电极形成欧姆接触。分析认为InGaN具有的较小带隙能量和p-InGaN/GaN异质结中存在强烈的极化效应以及InN较高的平衡蒸汽压是引起以上结果的主要原因。p-InGaN/GaN异质结10 K的光致荧光光谱中存在两个分别位于2.95eV和2.25 eV的发光峰,随着材料退火温度的提高,这两个发光峰的强度逐渐降低。提出了类施主补偿中心参与的与H相关的络合物与Mg受主的复合发光机制,对退火前后光致荧光光谱的变化进行了解释。; 刘中涛韩彦军张贤鹏薛小琳陈栋汪莱罗毅; 关键词：退火光致荧光欧姆接触

基于Ni/Ag/Pt的P型GaN欧姆接触被引量：3: 2006年; 提出了新型的Ni/Ag/Pt结构作为具有高光学反射率、低比接触电阻率(SCR)的p-GaN欧姆接触电极。在Ni/Ag/Pt厚度分别为3 nm/120 nm/2 nm的条件下,在500℃、O2气氛中退火3 min,获得了80%的光学反射率(460 nm处)和4.43×10-4Ω.cm2的SCR,样品的表面均方根(RMS)粗糙度约为8nm。俄歇电子能谱(AES)分析表明,Pt很好地改善了Ag基电极退火后的表面形貌,Ni、Ag对形成良好的欧姆接触起了重要的作用。; 马洪霞韩彦军申屠伟进张贤鹏罗毅钱可元; 关键词：GAN 欧姆接触

MOVPE低温生长的n型GaN电学特性研究被引量：2: 2008年; 系统研究了采用金属有机物化学气相外延方法在740℃和900℃条件下生长的n型GaN的电学特性.电化学电容-电压测试表明,在低温条件下采用三乙基镓作为Ga源生长有利于降低非故意掺杂n型GaN的背景杂质浓度.另外,对重掺Si的n型GaN的霍耳效应测试表明,随着Si掺杂浓度增大,电子浓度相应线性增大,表现出杂质带导电特性,而迁移率则相应减小.同时,原子力显微镜测试和X射线衍射测试均表明生长温度和掺杂浓度对外延材料的表面形貌和晶体质量有影响,特别是在高掺杂浓度的情况下,样品的表面形貌恶化更严重.在所研究的Si掺杂浓度范围内,在氧气中退火前后所有样品的电子迁移率基本不变,而Si掺杂浓度高于6×1019cm-3的样品在氧气中退火后电子浓度会下降,表明对低温生长的重掺杂n型GaN,热处理的过程有助于Si原子取代N原子形成受主而产生补偿施主的作用.; 汪莱张贤鹏席光义赵维李洪涛江洋韩彦军罗毅; 关键词：N型GAN 电子浓度迁移率

一种基于LED的面光源照明装置: 本发明公开了属于半导体固态照明技术领域的涉及一种采用发光二极管作为光源，利用光学反射原理对光源出光整形、形成均匀发光面，并利用散光板实现角分布均匀的一种基于LED的面光源照明装置。整体结构至少包括LED光源模块、反射面板...; 罗毅韩彦军钱可元张贤鹏; 文献传递

基于由照射目标向光源映射和微带表面构型的分离变量三维自由曲面非成像光学系统设计被引量：4: 2010年; 为了使以发光二极管为代表的光源在照射目标平面上获得高分辨率的并具有复杂预定形状的远场照度分布,提出了从照射目标平面向光源映射、基于微带表面构型的分离变量三维自由曲面非成像光学系统设计方法。首先,计算依赖于映射关系的表面法向矢量;其次,逐步计算网格格点和表面微带的边缘曲线形状;最后,将所有表面微带联结在一起构成光学系统的表面。该设计方法具有无需误差校正过程,可以高效设计具有复杂照度分布形状的光学系统等独特优势。高分辨率光线追踪模拟结果表明,对于照射目标平面上的棋盘状和条状等多种预定照度分布形状,应用该方法均可高效地获得精准的非成像光学系统。; 韩彦军张贤鹏冯泽心钱可元李洪涛罗毅李旭亮黄冠志祝炳忠; 关键词：光电子学与激光技术发光二极管

ICP刻蚀p-GaN表面微结构GaN基蓝光LED被引量：5: 2008年; 采用基于Cl2/Ar/BCl3气体的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了p-GaN表面具有直径3μm、周期6μm的二维圆孔微结构GaN基蓝光LED,研究了刻蚀深度对光荧光(PL)和发光二极管(LED)光电特性的影响。结果表明,刻蚀深度为25 nm的表面微结构,与传统平面结构相比,其PL增强了42.8%;而采用ITO作为透明电极的LED,在20 mA注入电流下,正面出光增强了38%、背面出光增强了10.6%,同时前向电压降低了0.6 V,反向漏电流基本不变。; 张贤鹏韩彦军罗毅薛小琳汪莱江洋; 关键词：氮化镓基发光二极管湿法腐蚀

给定照度分布的LED三维光学系统设计方法及光学系统: 本发明公开了属于应用光学领域中的非成像光学技术的给定照度分布的LED三维光学系统设计方法及光学系统。以发光二极管为光源、在给定定照度分布区域形成三维的非成像光学系统，以此光学系统进行三维透镜设计，针对给定照度分布区域的几...; 罗毅张贤鹏韩彦军钱可元; 文献传递