汪莱
- 作品数：142 被引量：105H指数：5
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 发光量子阱对波长上转换红外探测器效率的影响
- 2016年
- 波长上转换红外探测器在实现大面阵、低暗电流红外探测方面具有很大的发展潜力.短波长光子的发光效率是影响上转换器件效率的重要因素.设计、制作了具有不同发光阱个数的波长上转换红外探测器件,结合器件的红外响应和仿真计算,分析了发光阱个数对波长上转换效率的影响规律.研究结果表明,选择单个发光阱,有利于提高器件的发光效率,从而提高波长上转换效率.
- 康健彬王磊郝智彪王超谢莉莉罗毅汪莱王健熊兵孙长征韩彦军李洪涛王禄王文新陈弘
- 关键词：发光效率载流子分布
- GaN基微型三色LED阵列及其制作方法、微型显示系统
- 一种GaN基微型三色LED阵列及其制作方法、微型显示系统，LED阵列包括：衬底，依次外延于衬底上的缓冲层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层和p型GaN层。衬底包括平面部分以及相对于平面部分向上凸起的凸起结构阵列，凸起结构...
- 汪莱王珣郝智彪罗毅
- 文献传递
- 光敏神经元、感存算一体化智能感知装置、方法及介质
- 本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种光敏神经元、感存算一体化智能感知装置、方法及介质，其中，光敏神经元包括：雪崩探测器，用于在光子入射时，基于光致雪崩效应，输出电压脉冲；与所述雪崩探测器串联的自适应阻变存储器，用于在所...
- 郑纪元汪莱罗毅吴嘉敏戴琼海
- 文献传递
- 基于ICP的化合物半导体的外延生长装置及方法
- 本发明提出一种基于ICP的化合物半导体的外延生长装置及方法，该装置包括：真空反应腔；样品台，样品台位于真空反应腔的底部；ICP激发单元，ICP激发单元位于真空反应腔的顶部；具有第一进气口的第一气路，用于向真空反应腔通入第...
- 罗毅王健郝智彪汪莱
- 氮化物纳米线MBE自组织生长的成核工艺研究
- Ⅲ族氮化物纳米线由于自由表面侧壁释放了晶格失配应力,因而可形成几乎无缺陷的单晶,在制作纳米线激光器、光催化材料、光传感器件以及单光子源等方面有重要的应用前景.相比于催化剂生长和选区生长,自组织方法由于不需要催化剂和图形掩...
- 鄂炎雄李洪涛孙长征罗毅郝智彪余佳东吴超刘润泽汪莱熊兵王健韩彦军
- 一种半导体光探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种半导体光探测器及其制备方法，包括：该探测器为pipin结构，在衬底上依次包括n型层、i型倍增层、p型电荷层、i型光敏吸收层、p型滤光层；n型层上设置有n型欧姆电极，p型滤光层上设置有p型欧姆电极；所述p型...
- 汪莱郑纪元吴星曌郝智彪罗毅
- 文献传递
- 光感算一体化的显示单元、显示阵列及其操作方法、设备
- 本公开提供了一种光感算一体化的显示单元，其中，包括二极管和忆阻器。二极管用于发射显示光，以实现显示单元的发光显示；忆阻器与二极管连接。其中，二极管在接收检测光时，产生响应光电流，以实现显示单元的光探测功能，使得显示单元具...
- 汪莱潘汶郝智彪罗毅
- 文献传递
- 半导体结构及其制造方法
- 本发明公开了一种半导体结构，包括：衬底，该衬底的上表面包括平面部分和具有倾斜表面的突起部分；缓冲层，位于衬底上表面的平面部分上；n‑GaN层，位于缓冲层和衬底上表面的突起部分上，所述n‑GaN层的上表面包括平整表面和V形...
- 汪莱郝智彪杨迪罗毅
- 文献传递
- 基于AlGaN/GaN HEMT结构的氢气传感器被引量：5
- 2012年
- 制作了栅极修饰金属Pt的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构的氢气传感器。栅极Pt采用溅射的方法制作,主要起到形成肖特基接触并催化氢气裂解的作用。器件的栅极敏感区域尺寸为5μm×400μm,对常温下氢气浓度为2×10-6至6216×10-6的氢气/氮气混合气进行了检测。结果表明,在VGS=-1.5 V,VDS=1 V的工作偏压下,10倍的氢气浓度变化平均引起33.9%的灵敏度变化量。同时,器件对2×10-6的氢气具有6.3%的灵敏度,表现出了具有竞争力的低浓度检测极限。
- 郭智博汪莱郝智彪罗毅
- 关键词：ALGANGAN高电子迁移率晶体管灵敏度
- 一种生长高密度铟镓氮量子点的方法
- 本发明属于半导体材料与器件技术领域，尤其涉及一种生长高密度铟镓氮量子点的方法。本方法采用半导体外延生长方法，在衬底上生长GaN薄膜，将产品置于反应腔室中，通入由金属铟和金属镓组成的反应源，再通入五族氮源，重复多次后在Ga...
- 汪莱王磊余鹿鸣郝智彪罗毅
