张广勤
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- 供职机构：北京大学更多>>
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- 一种专用高速ECL移位寄存器电路的设计和测量
- 介绍了由先进的多晶硅发射极NPN晶体管和高速ECL100E141电路单元构成的一块专用高速移位寄存器阵列的设计和主要参数的测量.提出一种移位寄存器最高工作频率的测量方法.该方法有效地消除由外部连线和外接器件及测试夹具所造...
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- 关键词：移位寄存器电路设计测量方法VLSI芯片
- 文献传递
- 可调节频率CMOS振荡器的研制
- 本文报道了一个可调频率的CMOS振荡器电路的设计和研制.利用专用集成电路内部设计的电源基准源产生的Iref 10微安电流及外部调节端D2、D1、D0逻辑组合控制MOS管的状态,来调整振荡器产生电路的电流镜电流,控制对电容...
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- 关键词：CMOS振荡器振荡频率
- 文献传递
- 液氮温度下多晶硅发射区RCA器件和电路
- 本文研究了掺磷双层多晶硅RCA器件和电路的制备工艺及其温度特性.在工艺中采用了自对准双极结构,人为生长RCA超薄氧化层,并用快速热退火处理RCA氧化层.研制的多晶硅发射区RCA晶体管不仅具有较低的电流增益—温度依赖关系,...
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- 关键词：温度特性多晶硅发射区
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- S波段20W新结构硅脉冲功率晶体管
- 本文设计了一种新型结构的双极型微波功率晶体管.该器件采用掺砷发射极多晶硅工艺,多晶硅条长度采用线性变化的方式从边缘到中心按比例减少,以获得均匀一致的发射结结温.为提高功率器件BC结的反向击穿电压,器件引入了深槽隔离工艺,...
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- 关键词：功率晶体管晶体管结构
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- Ni/Pt硅化物温度稳定性的研究
- 本文对比研究了夹层结构Ni/Pt/Ni分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性.实验结果表明:在600℃~800℃范围内,掺Pt的NiSi薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度...
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- 关键词：硅化物温度稳定性快速热退火
- 文献传递
- MEMS电容传感器小电容的测量
- 2004年
- 本文首先介绍了一种MEMS电容式微硅加速度计的结构和等效电路,阐述了开关电容放大器的工作原理和输出电压与电容的关系,重点讨论了用开关电容技术测量微硅加速度计小电容的方法.
- 莫邦燹倪学文项斌朱晖宁宝俊张广勤
- 关键词：微硅加速度计电容测量
- 双层多晶硅双极超高速静态分频器的设计
- 本文报道了一种双层多晶硅双极晶体管的结构和设计,介绍了起高速ECL静态二分频器电路的设计.静态二分频器的最高工作频率达到3.2GHz.
- 莫邦燹叶红飞宁宝俊张广勤张利春
- 关键词：双极晶体管静态分频器双层多晶硅电路设计
- 文献传递
- MEMS电容传感器小电容的测量
- 本文首先介绍了一种MEMS电容式微硅加速度计的结构和等效电路,阐述了开关电容放大器的工作原理和输出电压与电容的关系,重点讨论了用开关电容技术测量微硅加速度计小电容的方法.
- 莫邦燹倪学文项斌朱晖宁宝俊张广勤
- 关键词：电容传感器微硅加速度计电容测量
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- 金属铪掺杂对硅化镍薄膜热稳定性的提高
- 研究了金属Hf对NiSi薄膜热稳定性的影响。XRD图谱表明，在650-800℃范围二次退火仅存在NiSi相而无NiSi2相，说明Hf掺杂可以提高NiSi的结晶度，延缓NiSi2相的出现。AES表明，热退火后Hf原子层从薄...
- 岳雄伟张利春高玉芝金海岩张广勤随小平
- 关键词：热稳定性能谱分析
- 一种专用高速ECL移位寄存器电路的设计和测量
- 2002年
- 介绍了由先进的多晶硅发射极NPN晶体管和高速ECL100E141电路单元构成的一块专用高速移位寄存器阵列的设计和主要参数的测量.提出一种移位寄存器最高工作频率的测量方法.该方法有效地消除由外部连线和外接器件及测试夹具所造成的寄生延迟对测试结果的影响,准确地测试出电路的最高工作频率.本电路并行输入输出和移位的最高工作频率为410MHz.该电路是为提高某些测试系统高频测量性能而设计的全功能移位寄存器阵列.其布局和结构合理灵活,可以方便地构成多种数据移位寄存方式,有利于使用和测量,具有一定的通用性.
- 字宝俊莫邦燹倪学文张利春张广勤
- 关键词：多晶硅发射极晶体管
