宁宝俊
- 作品数：40 被引量：31H指数：3
- 供职机构：中国科学院近代物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市教育委员会共建项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术天文地球一般工业技术更多>>
- 可调节频率CMOS振荡器的研制
- 本文报道了一个可调频率的CMOS振荡器电路的设计和研制.利用专用集成电路内部设计的电源基准源产生的Iref 10微安电流及外部调节端D2、D1、D0逻辑组合控制MOS管的状态,来调整振荡器产生电路的电流镜电流,控制对电容...
- 倪学文莫邦燹项斌宁宝俊张广勤朱晖张录马连荣田大宇
- 关键词：CMOS振荡器振荡频率
- 文献传递
- 硅器件芯片背面银系溅射金属化
- 本发明采用先进的磁控溅射技术，以成本较低的金属银作为硅器件背面金属化层主要材料，采用先进的快速热退火工艺，成功地解决了硅器件背面金属化结构的可靠性问题。溅射方法制备的背面金属化结构，层间热应力匹配好，欧姆接触性能优良，具...
- 张利春赵忠礼高玉芝宁宝俊王阳元
- 用于砷化镓器件的氮化铝薄膜特性被引量：3
- 1993年
- 研究了S-枪磁控反应溅射制备的AlN薄膜的晶体结构、组分以及薄膜的电学特性。用Raman散射方法检测了AlN与GaAs。SiON与GaAs的界面应力,并用AES方法对比研究了AlN/GaAs,SiON/GaAs经800C快速热退火前后两种薄膜对GaAs的掩蔽作用。高温快速热退火后,SiON保护层对GaAs掩蔽失效、界画应力大;而AlN薄膜界面应力小,能有效地防止Ga,As的外扩散。表明AlN对GaAs集成电路技术是一种非常好的绝缘介质、钝化和保护材料。
- 高玉芝尹红坤宁宝俊李婷张利春侯永田张树霖
- 关键词：钝化层半导体器件氮化铝薄膜
- 一种2GHz512/256静态分频器电路的设计
- 2000年
- 介绍了一种超高速 51 2 /2 56分频器电路的设计 ,其基本结构采用静态主从 D触发器。电路采用先进的单层多晶硅发射极双极工艺制造 ,使用 3μm设计规则 ,电路的最高工作频率达到 2GHz。
- 莫邦燹倪学文宁宝俊
- 关键词：ECL电路静态分频器电路设计
- 平面工艺辐射探测器的研制被引量：3
- 2001年
- 使用高阻 Si材料 ,通过氧化、光刻、注入和退火工艺技术研制粒子探测器—— PIN二极管 .采取 HCl氧化、慢降温等工艺措施可减小 PIN二极管的暗电流 (反向电流 ) ,这对于提高器件性能起到了关键作用 .电压为 - 5 V时 ,探测器的暗电流可达 n A/ cm2 量级 .
- 张太平张录宁宝俊田大宇刘诗美王玮张洁天郭昭乔陈世媛
- 关键词：PIN二极管少子寿命辐射探测器
- 离子注入PIN辐射探测器性能测试
- 利用先进的微电子、微机械加工技术,我们研制了300μm、450μm、600μm、800μmm和1000μm等五种离子注入型PIN辐射探测器,选择其中300μm、450μm和1000μm三种规格进行漏电流、噪声水平和能谱分...
- 陈鸿飞邹积清田大宇张太平宁宝俊张录
- 关键词：半导体探测器噪声分辨率
- 文献传递
- 制备光电探测器的方法
- 一种制备光电探测器的方法。采用特殊版图设计，宽引线铝覆部分场区，氯离子处理炉管，在有氢气氛的低温炉中退火，慢降温和磷吸杂工艺。经此方法制备的光电探测器反向击穿高，暗电流小，结电容小，响应速度快，光谱响应范围广，参数优异并...
- 张太平宁宝俊田大宇张洁天张录倪学文王玮李静马连荣王兆江袁坚郭昭乔
- 文献传递
- 门延迟小于100ps的硅基锗硅异质结19级环振电路的研究
- 本文介绍了一种硅基锗硅异质结晶体管的结构.报导了与硅基单层多晶硅发射极工艺兼容的硅基锗异质结19级环振电路的研制、简要工艺流程、锗硅基区结构、硅基锗硅异质结晶体管的性能,19级环振电路的设计及测试结果.
- 倪学文莫邦燹宁宝俊罗葵张录关旭东韩汝琦
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管环振电路
- 文献传递
- 平面型硅光电二极管PIN的研制及其基本性能测试被引量：2
- 2006年
- 为满足CERN/ALICE超高能重离子对撞实验光子谱仪的需要,首次采用高阻硅材料,并利用一些特殊工艺,研制了用于钨酸铅晶体探测器读出单元的硅光电二极管PIN。PIN的灵敏区面积为16mm×17mm,常温漏电流小于5nA,紫光区量子效率82%,全耗尽结电容为110—120pF。由PIN与电荷灵敏前置放大器组成的读出系统的噪声水平,在-25℃下小于600个等效噪声电荷,并经过了长期性能稳定性的考验。开发研制的大面积PIN硅光管全面达到ALICE/PHOS国际招标所规定PIN硅光管性能的指标。
- 李成波袁坚孟秋英周书华张录张太平宁宝俊田大宇
- 关键词：PIN结电容漏电流量子效率
- BD031 MEMS信号处理电路的研制及测试
- 2004年
- 本文报道了一个为电容式微加速度计传感器信号处理而设计的全集成化的BD031 CMOS MEM信号处理电路.电路设计采用了对信号的差分电容采样方式和过采样技术、前置采样放大器高增益和低噪声设计措施、可调节选通带宽的的低通滤波器及为提高电容噪声性能的带有虚开关结构的开关电容滤波器设计技术、可微调节增益(常规情况下恒定增益为2)的输出缓冲放大器、可调节振荡频率(正常情况下为800KHz)的本地CMOS时钟产生振荡器及为上述模拟电路提供基准电压和基准电流的基准电压源等设计技术、以及可以进行输入失调调节和对差分电容变化量△C的自测试电路.电路使用单一5伏电源,采用1.2微米、双多晶硅、双铝、N-阱CMOS工艺加工,芯片面积为2.82×3.61平方毫米.芯片性能测试表明其差分小电容变化量△C传感范围达到0.06pF-5pF、带宽为300Hz-5KHz.
- 倪学文莫邦燹项斌吕志军朱晖宁宝俊张录郝一龙金玉丰田玉国
- 关键词：低通滤波
