廖勇明
- 作品数：6 被引量：12H指数：2
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 通过改变费米能级钉扎效应制备6H-SiC欧姆接触的特性研究被引量：6
- 2002年
- 作者通过氧化、刻蚀和沸水处理的方法 ,在n型 6H SiC的C面上制备了线性较好的欧姆接触 .作者对C面和Si面的欧姆接触的退火特性进行了比较和研究 ;并对形成欧姆接触的物理机理进行了讨论 ,研究了这种欧姆接触在大密度电流下的特性 .
- 洪根深廖勇明廖伟丁元力邬瑞彬刘洪军龚敏
- 关键词：6H-SIC欧姆接触
- 掺钯硅快恢复二极管V_F～T_(RR)兼容性研究
- 2003年
- 作者研究了掺Pd硅快恢复二极管的VF～TRR兼容性,得到掺钯硅二极管的VF～TRR兼容性略优于掺铂、掺金二极管的结果;这一结果与目前广泛采用的Baliga理论的预测不相符合,作者对此进行了分析与讨论.根据实验结果,作者认为应用掺钯技术有望制造出性能优良的超快恢复二极管.
- 廖勇明杨仕钟陈振游志朴
- 关键词：反向漏电流性能指标
- 用SiH_2Cl_2沉积MEMS中的多晶硅薄膜研究被引量：1
- 2005年
- 廖勇明董立军韩敬东陈大鹏叶甜春
- 关键词：MEMS多晶硅薄膜XRD薄膜应力
- SiO_2/6H-SiC界面的物理性质及其辐照特性的研究被引量：3
- 2001年
- 在p型及n型 6H -SiC外延衬底上成功地制备了MOS电容 ,通过高频C～V测试 ,研究了SiO2 /SiC系统的物理性质和电学性质 .发现在SiO2 /p -SiC界面存在大量的施主型界面态 ,在p -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的正电荷中心 ,而在n -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的负电荷中心 .对n -SiC和SiMOS电容进行了γ辐照对比实验 ,证实了n -SiCMOS电容器具有优异的抗辐照性能 .
- 廖伟罗小蓉廖勇明洪根深龚敏
- 关键词：6H-SICMOS电容Γ辐照
- p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性的研究被引量：2
- 2001年
- 作者研究了p型Al/6H -SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数 .采用电流 -电压法 (I～V) ,测试了肖特基二极管的理想因子n和肖特基势垒高度b.对其基本电学参数n和b 的温度特性进行了研究 .分析了串联电阻对I～V特性的影响 .
- 罗小蓉廖伟廖勇明洪根深龚敏
- 关键词：肖特基二极管宽禁带半导体
- 基于多晶硅的红外阵列研制及集成设计
- 本文从微测辐射热计阵列的制作出发，研究了热敏材料多晶硅，设计了全镂空的悬臂梁阵列结构，采用将体硅工艺和表面硅工艺结合起来成功的制作了阵列结构，根据阵列的结构特点和阵列制作工艺与CMOS工艺的不兼容，提出了阵列结构与CMO...
- 廖勇明
- 关键词：红外探测电路集成
- 文献传递
