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孙海锋

作品数：17 被引量：29H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 17篇电子电信

主题

  • 5篇INGAP/...
  • 4篇异质结
  • 4篇自对准
  • 4篇晶体管
  • 4篇INGAP/...
  • 3篇异质结双极晶...
  • 3篇双极晶体管
  • 2篇氮化
  • 2篇电路
  • 2篇英文
  • 2篇退火
  • 2篇全耗尽
  • 2篇热退火
  • 2篇抗辐照
  • 2篇快速热退火
  • 2篇化物
  • 2篇硅化物
  • 2篇薄膜全耗尽
  • 2篇薄栅
  • 2篇EEACC

机构

  • 17篇中国科学院微...
  • 3篇四川大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 17篇孙海锋
  • 12篇刘新宇
  • 11篇吴德馨
  • 7篇和致经
  • 7篇袁志鹏
  • 5篇郑丽萍
  • 4篇海潮和
  • 3篇刘忠立
  • 3篇石瑞英
  • 3篇王润梅
  • 3篇刘训春
  • 3篇王素琴
  • 3篇刘运龙
  • 2篇樊宇伟
  • 2篇狄浩成
  • 2篇刘洪民
  • 1篇严北平
  • 1篇汪宁
  • 1篇白大夫
  • 1篇王延锋

传媒

  • 13篇Journa...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 2篇2005
  • 6篇2004
  • 2篇2003
  • 3篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇2000
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验被引量：9
2002年
研究了 CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能 .CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器采用 1K×4的并行结构体系 ,其地址取数时间为 30 ns,芯片尺寸为 3.6 mm× 3.84 m m ;在工作电压为 3V时 ,CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器抗总剂量高达 5× 10 5Rad(Si) 。
刘新宇刘运龙孙海锋吴德馨和致经刘忠立
关键词：CMOS/SOISRAM存储器
自对准InGaP/GaAs HBT器件
利用GaAs湿法腐蚀各向异性的特点来形成BE结金属的自对准,对InGaP/GaAs HBT器件进行了研究.器件特征频率为40GHz(发射极面积为4μm×14μm),电流增益为50,阈值电压为1.1V.
孙海锋和致经王延锋刘新宇郑丽萍吴德馨
关键词：自对准结构异质结双极晶体管砷化镓材料结构
文献传递
高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT
2005年
采用发射极 基极金属自对准工艺 ,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT .发射极尺寸为 (3μm× 15 μm)× 16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为 5 5GHz和 35GHz .在片load pull测试表明 :当工作频率为 1GHz时 ,器件工作在AB类 ,该功率管最大输出功率为 2 3 5dBm ,最大功率附加效率达 6 0 % ,P1dB的输出功率为 2 1dBm ,对应增益为 16dB ,工作电压为 3 5V .
郑丽萍袁志鹏樊宇伟孙海锋狄浩成王素琴刘新宇吴德馨
关键词：功率附加效率INGAP/GAAS
基于InGaP/GaAsHBT的10Gbps跨阻放大器(英文)
2004年
采用 In Ga P/ Ga As HBTs设计并实现了传输速率为 10 Gbps的跨阻放大器 .在电路设计上采用两级放大器级联的形式以提高跨阻增益 ,在第一级采用了 cascade结构 ,第二级采用了 cherry hooper结构以提高电路的带宽和稳定性 .测试结果表明 ,跨阻增益为 4 0 d B· Ω,3d B带宽为 10 GHz.
袁志鹏孙海锋刘新宇吴德馨
关键词：跨阻放大器HBTINGAP
100mm InGaP/GaAs HBT及相关电路关键工艺被引量：2
2005年
对 10 0mmIn0 .49Ga0 .51P/GaAsHBT器件及相关电路制备中的In0 .49Ga0 .51P腐蚀问题、聚酰亚胺平面化、空气桥等几项关键工艺进行了研究 ,解决了器件及电路制备过程中出现的难题 ,尤其是用很简单的方法解决了In0 .49 Ga0 .51P腐蚀过程中经常出现的腐蚀“岛”问题 。
石瑞英孙海锋刘训春刘洪民
关键词：空气桥
薄膜全耗尽(TFD) SOI CMOS器件和电路
该文对TFDSOI CMOS器件物理进行了较详细地阐述,总结了近年来国内外研究的一些 成果,并利用Tsuprem4软件对SOI CMOS工艺进行了模拟.开发了适用于TFSOI CMOS工艺的PBLOCOS隔离技术、沟道掺...
孙海锋
关键词：环形振荡器
InGaP/GaAs HBT 10Gb/s光调制器驱动电路的研制
我们采用微电子中心自行开发的4英寸InGaP/GaAs HBT技术,设计和制造了10Gb/s光调制器驱动电路.并在高频电信号测试上取得突破,该驱动电路的输出电压摆幅达到3Vpp,上升时间达34.2ps(20~80％),下...
刘洪民袁志鹏孙海锋和致经王素琴王润梅刘新宇吴德馨
关键词：光调制器驱动电路
文献传递
低开启电压的InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管被引量：1
2003年
采用窄禁带宽度材料GaAsSb作为异质结晶体管的基区材料 ,成功研制出了能有效降低电路工作电压和功率损耗的低开启电压的NPNInGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管 (doubleheterojunctionbipolartransistor,DHBT) .器件性能如下 :BE结的正向开启电压 (turn onvoltage)仅为 0 73V ;当IB=1μA/step时 ,直流增益达到了 10 0 ,BVCEO=5～ 6V .通过对基区不同Sb含量器件的比较得到 ,器件的直流特性与基区Sb的含量有关 .
郑丽萍严北平孙海锋刘新宇和致经吴德馨
关键词：开启电压GAASSBDHBT
薄膜全耗尽SOICMOS器件和电路被引量：1
2001年
对全耗尽 SOI(FD SOI) CMOS器件和电路进行了研究 ,硅膜厚度为 70 nm.器件采用双多晶硅栅结构 ,即NMOS器件采用 P+多晶硅栅 ,PMOS器件采用 N+多晶硅栅 ,在轻沟道掺杂条件下 ,得到器件的阈值电压接近0 .7V.为了减小源漏电阻以及防止在沟道边缘出现空洞 (V oids) ,采用了注 Ge硅化物工艺 ,源漏方块电阻约为5 .2Ω /□ .经过工艺流片 ,获得了性能良好的器件和电路 .其中当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm 10 1级环振单级延迟为 45
孙海锋刘新宇海潮和
关键词：SOICMOS器件半导体器件
低偏置电压工作的自对准 InGaP/GaAs功率异质结双极晶体管(英文)
2004年
介绍 L 波段、低偏置电压下工作的自对准 In Ga P/ Ga As功率异质结双极晶体管的研制 .在晶体管制作过程中采用了发射极 -基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特性 .功率测试结果显示 :当器件工作在 AB类 ,工作频率为 2 GHz,集电极偏置电压仅为 3V时 ,尺寸为 2× (3μm× 1 5 μm)× 1 2的功率管获得了最大输出功率为2 3d Bm,最大功率附加效率为 4 5 % ,线性增益为 1 0 d
郑丽萍孙海锋狄浩成樊宇伟王素琴刘新宇吴德馨
关键词：自对准INGAP
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