孙海锋 作品数:17 被引量:29 H指数:4 供职机构: 中国科学院微电子研究所 更多>> 发文基金: 国家重点基础研究发展计划 国家自然科学基金 中国科学院知识创新工程 更多>> 相关领域: 电子电信 更多>>
CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验 被引量:9 2002年 研究了 CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能 .CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器采用 1K×4的并行结构体系 ,其地址取数时间为 30 ns,芯片尺寸为 3.6 mm× 3.84 m m ;在工作电压为 3V时 ,CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器抗总剂量高达 5× 10 5Rad(Si) 。 刘新宇 刘运龙 孙海锋 吴德馨 和致经 刘忠立关键词:CMOS/SOI SRAM 存储器 自对准InGaP/GaAs HBT器件 利用GaAs湿法腐蚀各向异性的特点来形成BE结金属的自对准,对InGaP/GaAs HBT器件进行了研究.器件特征频率为40GHz(发射极面积为4μm×14μm),电流增益为50,阈值电压为1.1V. 孙海锋 和致经 王延锋 刘新宇 郑丽萍 吴德馨关键词:自对准结构 异质结双极晶体管 砷化镓 材料结构 文献传递 高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT 2005年 采用发射极 基极金属自对准工艺 ,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT .发射极尺寸为 (3μm× 15 μm)× 16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为 5 5GHz和 35GHz .在片load pull测试表明 :当工作频率为 1GHz时 ,器件工作在AB类 ,该功率管最大输出功率为 2 3 5dBm ,最大功率附加效率达 6 0 % ,P1dB的输出功率为 2 1dBm ,对应增益为 16dB ,工作电压为 3 5V . 郑丽萍 袁志鹏 樊宇伟 孙海锋 狄浩成 王素琴 刘新宇 吴德馨关键词:功率附加效率 INGAP/GAAS 基于InGaP/GaAsHBT的10Gbps跨阻放大器(英文) 2004年 采用 In Ga P/ Ga As HBTs设计并实现了传输速率为 10 Gbps的跨阻放大器 .在电路设计上采用两级放大器级联的形式以提高跨阻增益 ,在第一级采用了 cascade结构 ,第二级采用了 cherry hooper结构以提高电路的带宽和稳定性 .测试结果表明 ,跨阻增益为 4 0 d B· Ω,3d B带宽为 10 GHz. 袁志鹏 孙海锋 刘新宇 吴德馨关键词:跨阻放大器 HBT INGAP 100mm InGaP/GaAs HBT及相关电路关键工艺 被引量:2 2005年 对 10 0mmIn0 .49Ga0 .51P/GaAsHBT器件及相关电路制备中的In0 .49Ga0 .51P腐蚀问题、聚酰亚胺平面化、空气桥等几项关键工艺进行了研究 ,解决了器件及电路制备过程中出现的难题 ,尤其是用很简单的方法解决了In0 .49 Ga0 .51P腐蚀过程中经常出现的腐蚀“岛”问题 。 石瑞英 孙海锋 刘训春 刘洪民关键词:空气桥 薄膜全耗尽(TFD) SOI CMOS器件和电路 该文对TFDSOI CMOS器件物理进行了较详细地阐述,总结了近年来国内外研究的一些 成果,并利用Tsuprem4软件对SOI CMOS工艺进行了模拟.开发了适用于TFSOI CMOS工艺的PBLOCOS隔离技术、沟道掺... 孙海锋关键词:环形振荡器 InGaP/GaAs HBT 10Gb/s光调制器驱动电路的研制 我们采用微电子中心自行开发的4英寸InGaP/GaAs HBT技术,设计和制造了10Gb/s光调制器驱动电路.并在高频电信号测试上取得突破,该驱动电路的输出电压摆幅达到3Vpp,上升时间达34.2ps(20~80%),下... 刘洪民 袁志鹏 孙海锋 和致经 王素琴 王润梅 刘新宇 吴德馨关键词:光调制器 驱动电路 文献传递 低开启电压的InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管 被引量:1 2003年 采用窄禁带宽度材料GaAsSb作为异质结晶体管的基区材料 ,成功研制出了能有效降低电路工作电压和功率损耗的低开启电压的NPNInGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管 (doubleheterojunctionbipolartransistor,DHBT) .器件性能如下 :BE结的正向开启电压 (turn onvoltage)仅为 0 73V ;当IB=1μA/step时 ,直流增益达到了 10 0 ,BVCEO=5~ 6V .通过对基区不同Sb含量器件的比较得到 ,器件的直流特性与基区Sb的含量有关 . 郑丽萍 严北平 孙海锋 刘新宇 和致经 吴德馨关键词:开启电压 GAASSB DHBT 薄膜全耗尽SOICMOS器件和电路 被引量:1 2001年 对全耗尽 SOI(FD SOI) CMOS器件和电路进行了研究 ,硅膜厚度为 70 nm.器件采用双多晶硅栅结构 ,即NMOS器件采用 P+多晶硅栅 ,PMOS器件采用 N+多晶硅栅 ,在轻沟道掺杂条件下 ,得到器件的阈值电压接近0 .7V.为了减小源漏电阻以及防止在沟道边缘出现空洞 (V oids) ,采用了注 Ge硅化物工艺 ,源漏方块电阻约为5 .2Ω /□ .经过工艺流片 ,获得了性能良好的器件和电路 .其中当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm 10 1级环振单级延迟为 45 孙海锋 刘新宇 海潮和关键词:SOI CMOS器件 半导体器件 低偏置电压工作的自对准 InGaP/GaAs功率异质结双极晶体管(英文) 2004年 介绍 L 波段、低偏置电压下工作的自对准 In Ga P/ Ga As功率异质结双极晶体管的研制 .在晶体管制作过程中采用了发射极 -基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特性 .功率测试结果显示 :当器件工作在 AB类 ,工作频率为 2 GHz,集电极偏置电压仅为 3V时 ,尺寸为 2× (3μm× 1 5 μm)× 1 2的功率管获得了最大输出功率为2 3d Bm,最大功率附加效率为 4 5 % ,线性增益为 1 0 d 郑丽萍 孙海锋 狄浩成 樊宇伟 王素琴 刘新宇 吴德馨关键词:自对准 INGAP