匡跃军
- 作品数：5 被引量：33H指数：3
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 椭偏透射法测量氢化非晶硅薄膜厚度和光学参数被引量：10
- 2008年
- 针对多角度椭偏测量透明基片上薄膜厚度和光学参数时基片背面非相干反射光的影响问题,报道了利用椭偏透射谱测量等离子增强化学气相沉积法(PECVD)制备的a-Si:H薄膜厚度和光学参数的方法,分析了基片温度Ts和辉光放电前气体温度Tg的影响.研究表明,用椭偏透射法测量的a-Si:H薄膜厚度值与扫描电镜(SEM)测得的值相当,推导得到的光学参数与其他研究者得到的结果一致.该方法可用于生长在透明基片上的其他非晶或多晶薄膜.
- 廖乃镘李伟蒋亚东匡跃军祁康成李世彬吴志明
- 关键词：椭偏测量光学参数氢化非晶硅薄膜
- 掺磷a-Si∶H红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究被引量：3
- 2007年
- 用等离子体增强化学气相沉积方法制备了掺磷氢化非晶硅薄膜材料,对薄膜的电阻率以及电阻温度系数进行了详细研究。结果表明,掺磷a-Si∶H薄膜的电阻率随磷掺杂比(PH3/SiH4)的增大和气体温度的升高而降低,但随退火温度的升高而增大;掺磷a-Si∶H薄膜的电阻温度系数随薄膜自身电阻率的增大而增大,但随环境温度的升高而降低。
- 史磊李伟匡跃军廖乃镘蒋亚东
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积电阻率电阻温度系数
- 氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜稳定性的研究进展被引量：13
- 2007年
- 氢化非晶硅(a-Si∶H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一。介绍了a-Si∶H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si∶H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了光致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,提出了在薄膜制备和后处理过程中消除或减少Si-Si弱键以提高a-Si∶H薄膜稳定性的方法。
- 廖乃镘李伟蒋亚东匡跃军李世彬吴志明
- 关键词：氢化非晶硅稳定性物理模型
- 氢化非晶硅薄膜喇曼及椭偏表征被引量：1
- 2008年
- 用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,利用喇曼散射谱、椭偏透射谱和暗电导测试,通过改变辉光放电前SiH4气体温度,研究了气体温度对薄膜非晶网络结构和光电性能的影响.结果表明,随着辉光放电前SiH4气体温度从室温提高到433K,a-Si:H薄膜的短程有序和中程有序程度提高,折射率和吸收系数增强,同时,暗电导提高2个数量级.a-Si:H薄膜非晶网络结构的变化是其暗电导提高的主要原因.
- 廖乃镘李伟蒋亚东吴志明匡跃军祁康成李世彬
- 关键词：氢化非晶硅等离子体增强化学气相沉积喇曼散射
- 用椭偏法研究掺磷a-Si∶H薄膜的光学特性被引量：7
- 2007年
- 用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法制备了磷掺杂氢化非晶硅（a—Si：H）薄膜。分别以50°和70°为入射角，测试了样品在300-1000nm波长的椭偏光谱，得到了其膜厚和光学常数谱（折射率和消光系数随波长变化谱），并应用Tauc作图法推算出了薄膜的光学带隙。
- 匡跃军李伟廖乃镘蒋亚东宋震黄清海祁康成
- 关键词：椭偏法光学常数
