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廖乃镘

作品数：32 被引量：78H指数：6
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”中国人民解放军总装备部预研基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

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  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 20篇电子电信
  • 8篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 12篇非晶硅
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  • 9篇电荷耦合器
  • 9篇电荷耦合器件
  • 8篇氢化非晶硅
  • 8篇非晶
  • 7篇硅薄膜
  • 7篇非晶硅薄膜
  • 7篇CCD
  • 6篇氢化非晶硅薄...
  • 6篇光学
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  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇刻蚀
  • 4篇化学气相
  • 3篇等离子体增强
  • 3篇等离子体增强...
  • 3篇沾污
  • 3篇铁离子

机构

  • 17篇重庆光电技术...
  • 15篇电子科技大学
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇中国电子技术...
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作者

  • 32篇廖乃镘
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传媒

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  • 1篇材料导报
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年份

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  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 6篇2008
  • 4篇2007
  • 2篇2006
共 32 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
PCM测试参数与CCD工艺关系研究
2020年
PCM(Process Control Monitor)是一种反映生产线工艺状况的质量监控技术。文章围绕影响电荷耦合器件(CCD)工艺中PCM测试结果的工艺因素展开研究,并对PCM测试结果进行统计分析,以达到测试结果用于工艺改进的目的,并最终获取最佳工艺条件。结果表明:低压化学气相沉积(LPCVD)温度为700℃、膜厚为580nm时的方块电阻为18Ω/□;孔工艺采用干法刻蚀CF4流量为15cm3/min、CHF3流量为45cm3/min下的接触电阻为7Ω;栅下埋沟注入磷离子能量为250keV、剂量为2.5×1012atom/cm2时,MOS管阈值电压为-8.5V;二次铝刻蚀主刻蚀采用Cl2流量为90cm3/min,BCl3流量为45cm3/min,N2流量为30cm3/min可有效避免因残留物引起的金属同层漏电。
岳志强曲鹏程杨修伟向华兵廖乃镘
关键词：PCM电荷耦合器件LPCVD干法刻蚀
非晶硅微测辐射热计热学和光学分析
本文通过理论计算得到了桥腿长度和宽度与热导和桥面温升之间的线性关系,辐射功率和桥面温升之间的线性关系,并利用ANSYS软件对线性关系进行模拟验证.根据光学导纳矩阵法,利用MatLab软件模拟微测辐射热计对红外线的吸收率,...
李世彬吴志明蒋亚东李伟廖乃镘
关键词：微测辐射热计非晶硅有限元
文献传递
衬底温度对用RF-PECVD法制备的非晶硅薄膜光学性能影响被引量：10
2007年
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)工艺制备非晶硅(a-Si:H)薄膜,KBr衬底在175-275℃范围内变化,用傅立叶红外光谱仪(FTIR)测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随衬底温度的变化情况,结合红外光谱峰的理论分析确定薄膜中氢含量随衬底温度的变化规律.光谱式椭圆偏振仪中用ForouhiBloomer(FB)模型拟合得到薄膜的折射率(n),消光系数(k),膜厚及光学禁带宽度(Eg),并用扫描电镜(SEM)断面分析对椭偏仪测试结果的准确性进行验证.根据Tauc公式推出薄膜的Eg和截止波长,并和FB模型得到的结果进行了比较,Eg(FB)和Eg(Tauc)的差值在0.015eV内.
李世彬吴志明朱魁鹏蒋亚东李伟廖乃镘
关键词：非晶硅光学常数
椭偏透射法测量氢化非晶硅薄膜厚度和光学参数被引量：10
2008年
针对多角度椭偏测量透明基片上薄膜厚度和光学参数时基片背面非相干反射光的影响问题,报道了利用椭偏透射谱测量等离子增强化学气相沉积法(PECVD)制备的a-Si:H薄膜厚度和光学参数的方法,分析了基片温度Ts和辉光放电前气体温度Tg的影响.研究表明,用椭偏透射法测量的a-Si:H薄膜厚度值与扫描电镜(SEM)测得的值相当,推导得到的光学参数与其他研究者得到的结果一致.该方法可用于生长在透明基片上的其他非晶或多晶薄膜.
廖乃镘李伟蒋亚东匡跃军祁康成李世彬吴志明
关键词：椭偏测量光学参数氢化非晶硅薄膜
CCD多晶硅层间复合绝缘介质研究被引量：1
2019年
电荷耦合器件(CCD)多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。将氮化硅和二氧化硅作为CCD多晶硅层间复合绝缘介质,采用扫描电子显微镜(SEM)和电学测试系统研究了多晶硅层间氮化硅和二氧化硅复合绝缘介质对CCD多晶硅栅间距和多晶硅层间击穿电压的影响。研究结果表明,多晶硅层间复合绝缘介质中的氮化硅填充了多晶硅热氧化层的微小空隙,可以明显改善绝缘介质质量。多晶硅层间击穿电压随着氮化硅厚度的增加而增大,但太厚的氮化硅会导致CCD暗电流明显增大。由于复合绝缘介质质量好,可以减小CCD多晶硅的氧化厚度。
廖乃镘刘昌林张明丹寇琳来罗春林阙蔺兰
关键词：绝缘介质多晶硅电荷耦合器件
C元素对N型a-Si∶H薄膜微结构及电学特性的影响
2009年
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺,制备了P-C二元复合掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了C元素对N型a-Si∶H薄膜暗电导率(σ)及电导激活能(Ea)的影响;利用激光拉曼光谱研究了C元素对薄膜微结构的影响,讨论了P-C二元复合掺杂a-Si∶H薄膜电学性能与微结构之间的相互影响关系。结果表明:随着C掺杂量的增加,a-Si∶H薄膜的短程有序度降低,中程有序度基本保持不变,缺陷逐渐减少;一定程度的C掺杂可使N型a-Si∶H薄膜电导激活能降低而使薄膜的暗电导率升高,但过量的C掺杂使N型a-Si∶H薄膜非晶网络结构有序度严重恶化,电导率出现明显下降趋势。
金鑫李伟蒋亚东廖乃镘陈宇翔陈德鹅
关键词：PECVD氢化非晶硅薄膜微结构
LPCVD氮化硅淀积工艺铁离子沾污研究
2015年
采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污。研究表明,在氮化硅淀积工艺中,NH3和SiH2Cl2气体是Fe离子沾污的主要来源。通过对氮气进一步纯化处理、提高NH3和SiH2Cl2气体纯度和更换传输气体的金属管路等措施,氧化工艺Fe离子沾污减少了一个数量级。
廖乃镘赵志国阙蔺兰向华兵李贝李仁豪
关键词：氮化硅低压化学气相淀积表面光电压
激光退火在背照式CCD图像传感器中的应用研究
2023年
激光退火是消除背照式电荷耦合器件(CCD)图像传感器背面势阱的重要工艺。文章研究了激光退火工艺中不同的激光波长、能量密度、光斑交叠率对掺杂杂质激活效率、器件表面形貌、成像质量及紫外量子效率的影响。研究结果表明,在浅结注入的情况下,355 nm波长激光激活效率要优于532 nm激光,但是355 nm激光比532 nm激光更易在较低能量密度时使硅片出现龟裂现象。采用2 J/cm^(2)能量密度、50%~65%交叠率,355 nm激光能有效激活离子注入的硼离子,背照式CCD图像传感器成像均匀性好,紫外量子效率明显提升。
钟玉杰雷仁方林珑君李睿智张勇曲鹏程郭培廖乃镘
关键词：激光退火电荷耦合器件图像传感器
非晶硅微测辐射热计热学和光学分析被引量：3
2006年
通过理论计算得到了桥腿长度和宽度与热导和桥面温升之间的线性关系，辐射功率和桥面温升之间的线性关系，并利用ANSYS软件对线性关系进行模拟验证．根据光学导纳矩阵法，利用Mat Lab软件模拟微测辐射热计对红外线的吸收率，结果表明微测辐射热计对8～13μm波段红外有很好的吸收率．分析结果为微测辐射热计的研制提供了可靠依据．
李世彬吴志明蒋亚东李伟廖乃镘
关键词：微测辐射热计非晶硅有限元
CCD多晶硅层间绝缘介质对器件可靠性的影响被引量：3
2016年
采用扫描电子显微镜和电学分析技术研究了电荷耦合器件(CCD)多晶硅层间绝缘介质对器件可靠性的影响。研究结果表明,常规热氧化工艺制作的多晶硅介质层,在台阶侧壁存在薄弱区,多晶硅层间击穿电压仅20V,器件在可靠性试验后容易因多晶硅层间击穿而失效。采用LPCVD淀积二氧化硅技术消除了多晶硅台阶侧壁氧化层薄弱区,其层间击穿电压大于129V,明显改善了器件可靠性。
刘秀娟廖乃镘
关键词：电荷耦合器件多晶硅击穿电压
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