刘宏新
- 作品数：48 被引量：46H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>
- 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法
- 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法，其特征在于，包括如下步骤：先将衬底升温进行高温除气，在升温过程中一直开着In炉以防止在衬底表面形成SiN<Sub>x</Sub>；再将衬底降温，关闭铟炉，开启铝炉5～30秒，在衬底表...
- 张南红王晓亮曾一平肖红领王军喜刘宏新李晋闽
- 文献传递
- 晶圆的室温等静压金属键合方法
- 本公开提供一种晶圆的室温等静压金属键合方法，包括：步骤S1：清洗待键合晶圆，去除晶圆表面杂质；步骤S2：在清洗干净的晶圆表面沉积金属中间层；步骤S3：将分别完成金属中间层沉积的两晶圆正面对准贴合，固定后装入模具内，采用真...
- 王晓亮郭芬肖红领王权姜丽娟冯春王茜李巍刘宏新
- 蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长被引量：2
- 2006年
- 利用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了晶体质量较好的单晶InAlGaN薄膜.在生长InAlGaN外延层时,获得了外延膜的二维生长.卢瑟福背散射测量结果表明,InAlGaN外延层中In,Al和Ga的组分分别为2%,22%和76%,并且元素的深度分布比较均匀.InAlGaN(0002)三晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为4·8′.通过原子力显微镜观察外延膜表面存在小山丘状的突起和一些小坑,测量得到外延膜表面的均方根粗糙度为2·2nm.利用光电导谱测量InAlGaN的带隙为3·76eV.
- 王保柱王晓亮王晓燕王新华郭伦春肖红领王军喜刘宏新曾一平李晋闽
- 关键词：RF-MBERHEEDAFM
- NH_3-MBE生长极化场二维电子气材料被引量：4
- 2000年
- 介绍了用NH3 MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN AlN GaN极化感应二维电子气材料。外延膜都是N面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气”。GaN单层膜的室温电子迁移率为 30 0cm2 Vs。二维电子气材料的迁移率为 6 80cm2 Vs(RT)和 1 70 0cm2 Vs(77K) ,相应的二维电子气的面密度为 3.2× 1 0 13cm- 2 (RT)和 2 .6x1 0 13cm- 2 (77K ) .
- 孙殿照刘宏新王军喜王晓亮刘成海曾一平李晋闽林兰英
- 关键词：氮化镓分子束外延二维电子气极化
- RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料被引量：7
- 2003年
- 用射频等离子体辅助分子束外延技术 ( RF- MBE)在 c面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al N/Ga N超晶格结构极化感应二维电子气材料 .所获得的掺 Si的 Ga N膜室温电子浓度为 2 .2× 10 1 8cm- 3,相应的电子迁移率为 2 2 1cm2 /( V· s) ;1μm厚的 Ga N外延膜的 ( 0 0 0 2 ) X射线衍射摇摆曲线半高宽 ( FWHM)为 7′;极化感应产生的二维电子气室温电子迁移率达到 10 86cm2 /( V· s) ,相应的二维电子气面密度为 7.5× 10 1 2 cm- 2 .
- 胡国新王晓亮孙殿照王军喜刘宏新刘成海曾一平李晋闽林兰英
- 关键词：RF-MBE二维电子气HFETALGAN/GAN
- 用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法
- 一种用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)选择一衬底；2)在衬底上采用分子束外延法生长一层氮化层，使得蓝宝石表面形成生长氮化物的浸润层；3)升高衬底的温度；4)在氮化层上生长一层成核层，...
- 王保柱王晓亮王晓燕王新华肖红领王军喜刘宏新
- 文献传递
- 极化诱导AlxGa1-xN/GaN HEMT结构材料及器件性能研究
- Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN HEMT材料具有更大的自发极化强度和更大的压电极化系数,由于自发极化和压电极化效应的影响,Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN HEMT结构材料可产生的二维电子气浓度可大于10<...
- 王晓亮孙殿照王军喜胡国新刘宏新刘成海曾一平李晋闽林兰英
- 关键词：自发极化压电极化二维电子气HEMT器件
- 文献传递
- 阶梯型混合栅p-GaN氮化镓基晶体管结构及制作方法
- 本公开提供了一种阶梯型混合栅p‑GaN氮化镓基晶体管结构及制作方法，其阶梯型混合栅p‑GaN氮化镓基晶体管结构自下而上顺次包括：衬底、成核层、高阻层、高迁移率层和势垒层；还包括：p型GaN帽层、源极、漏极、绝缘介质层和栅...
- 王晓亮牛迪王权李巍肖红领冯春姜丽娟王茜刘宏新
- 文献传递
- 抑制GaN衬底在外延生长过程中背面分解的方法
- 本公开提供了一种抑制GaN衬底在外延生长过程中背面分解的方法，包括：步骤1：选择一GaN衬底；步骤2：在GaN衬底正面制备第一临时保护层；步骤3：在GaN衬底背面制备第二临时保护层；步骤4：去除步骤2中在GaN衬底正面制...
- 王晓亮储佳焰肖红领姜丽娟王权冯春王茜李巍刘宏新
- 文献传递
- Si衬底上无裂纹GaN膜的GSMBE生长
- 通过采用短周期的AlN/GaN超晶格和低温AlN夹层,我们首次在国内用气源MBE方法在Si(111)衬底上获得了厚度约为1微米左右的完全无裂纹的GaN外延层.在光学显微镜下可以观察到在原生的薄膜表面的小丘状Ga面特征,并...
- 罗木昌王晓亮刘宏新王雷李晋闽孙殿照曾一平林兰英
- 关键词：分子束外延氮化镓半导体材料
- 文献传递
