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佟嵩

作品数：3 被引量：25H指数：2
供职机构：南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇发光
  • 2篇室温
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光器件
  • 1篇多层膜
  • 1篇紫外
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米硅
  • 1篇纳米晶
  • 1篇纳米晶粒
  • 1篇光致发光研究
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇发光器件
  • 1篇发光研究
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶硅
  • 1篇PECVD
  • 1篇SI

机构

  • 3篇南京大学

作者

  • 3篇刘湘娜
  • 3篇鲍希茂
  • 3篇佟嵩

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1997
  • 1篇1995
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
纳米硅／非晶硅多层膜室温可见光致发光研究被引量：1
1995年
本文报道了在用等离子体增强化学汽相淀积法制备的氢化纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）／氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）多层膜中，未经任何后处理工艺，观察到室温可见光致发光（ＰＬ）．当ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ层厚度由４．０ｎｍ下降至２．１ｎｍ时，ＰＬ峰波长由７５０ｎｍ兰移至７０８ｎｍ．本文将这种对量大于Ｓｉ单晶能隙的光发射归因于多层膜中ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ子层的量子尺寸效应．
佟嵩刘湘娜鲍希茂
关键词：纳米硅非晶硅多层膜光致发光
Si∶H∶O薄膜的室温强紫外光致发光被引量：15
1999年
用等离子体增强辉光放电法制成ａＳｉ∶Ｈ∶Ｏ薄膜，未经任何后处理过程，观察到峰值分别位于３４０—３７０，４００—４３０以及７４０ｎｍ的三个光致发光（ＰＬ）带．这种紫外光发射既强又稳定，其强度与薄膜中的氧含量紧密相关，而后者可通过薄膜淀积过程中施加在其衬底上的直流偏压进行控制．前两个ＰＬ峰来源于ａＳｉ∶Ｈ∶Ｏ中与氧有关的色心。
佟嵩刘湘娜高婷尹浩陈逸君鲍希茂
关键词：室温光致发光紫外
PECVD纳米晶粒硅薄膜的可见电致发光被引量：9
1997年
在用等离子体增强化学汽相淀积的嵌有纳米晶粒硅薄膜中观测到电致发光．发光谱处在５００—８００ｎｍ之间，它有两个分别位于６３０—６８０ｎｍ和７３０ｎｍ附近的峰，两个峰的强度与薄膜的电导率有密切关系．根据这种材料的结构特性对载流子的传导通道进行了讨论。
佟嵩刘湘娜王路春阎峰鲍希茂
关键词：PECVD纳米晶电致发光器件
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