刘湘娜
- 作品数：13 被引量：91H指数：6
- 供职机构：南京大学物理学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 纳米硅薄膜的研制被引量：39
- 1992年
- 使用大量氢稀释硅烷,严格控制PECVD系统中的工艺参数,分别沉积出a-Si:H,nc-Si:H 以及μc-Si:H薄膜.使用HREM,Raman及X射线谱,探讨了nc-Si:H膜的结构特征.结果表明,它已符合国际上对于固体纳米材料的认识.由于结构上的新颖性,使它具有一系列鲜为人知的物性.
- 何宇亮刘湘娜王志超程光煦王路春余是东
- 关键词：纳米硅非晶硅微晶硅硅
- Si∶H∶O薄膜的室温强紫外光致发光被引量：15
- 1999年
- 用等离子体增强辉光放电法制成ａＳｉ∶Ｈ∶Ｏ薄膜，未经任何后处理过程，观察到峰值分别位于３４０—３７０，４００—４３０以及７４０ｎｍ的三个光致发光（ＰＬ）带．这种紫外光发射既强又稳定，其强度与薄膜中的氧含量紧密相关，而后者可通过薄膜淀积过程中施加在其衬底上的直流偏压进行控制．前两个ＰＬ峰来源于ａＳｉ∶Ｈ∶Ｏ中与氧有关的色心。
- 佟嵩刘湘娜高婷尹浩陈逸君鲍希茂
- 关键词：室温光致发光紫外
- 硅基发光材料研究-多孔硅,多孔SiC,硅基纳米镶嵌材料和超晶格材料
- 鲍希茂刘湘娜吴兴龙郑祥钦冯端
- 微电子学是现代信息技术的基础，而集成光电子学的发展，将使计算机换代，信息技术改观。硅基发光材料是从微电子技术出发实现光电子集成的材料基础。多孔硅是硅基发光材料的重大突破。该项目得到国国家自然科学基金连续支持，上海冶金所离...
- 关键词：
- 关键词：硅基发光材料多孔硅超晶格材料离子注入
- 热丝法低温生长硅上单晶碳化硅薄膜被引量：6
- 1994年
- 提出了热丝化学气相淀积法，在低温（６００－７５０℃）下成功地生长出硅上单晶碳化硅薄膜，Ｘ光衍射谱、喇曼光谱证实了外延膜的单晶结构，光致发光测量证明外延ＳｉＣ材料室温下可稳定发射可见光。
- 张荣施洪涛郑有于是东何宇亮刘湘娜
- 关键词：热丝法碳化硅单晶
- 掺杂纳米硅薄膜中电子自旋共振研究被引量：2
- 2001年
- 研究了掺杂纳米硅薄膜 (nc ∶Si∶H)中的电子自旋共振 (ESR)及与之相关的缺陷态 .样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成 ,为两相结构 ,即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中 .对掺磷的nc Si∶H样品 ,测量出其ESR信号的 g值为 1.9990— 1.9991,线宽ΔHpp为 (4 0— 42 )× 10 -4 T ,ESR密度Nss为 10 17cm-3 数量级 .对掺硼的nc Si∶H样品 ,其ESR信号的 g值为 2 .0 0 76— 2 .0 0 78,ΔHpp约为 18× 10 -4 T ,Nss为 10 16cm-3 数量级 .结合有关这种薄膜的微结构及导电等特性分析 ,对上述ESR来源 ,其线宽及密度等进行了解释 .认为掺磷的ESR信号来源于纳米晶粒 /非晶本体界面处高密度缺陷态上的未配对电子 ,而掺硼的ESR信号来源于非晶本体中a
- 刘湘娜徐刚毅眭云霞何宇亮鲍希茂
- 关键词：纳米硅薄膜微结构电子自旋共振缺陷态掺杂
- 用等离子体增强化学汽相沉积方法制备纳米晶粒硅薄膜光致发光被引量：6
- 1994年
- 报道用高氢稀释硅烷为反应气源，用等高子体增强化学汽相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的含有纳米晶粒硅薄膜，未经任何后处理过程，在室温下观察到可见光致发光。将此光发射归因于纳米硅晶粒中的光生载流子在量子尺寸效应下所产生的光子能量高于硅单晶本体能隙，还对发光具有重要影响的一些淀积参数进行了研究。
- 刘湘娜吴晓薇鲍希茂何宇亮
- 关键词：硅光致发光化学汽相沉积
- 纳米硅／非晶硅多层膜室温可见光致发光研究被引量：1
- 1995年
- 本文报道了在用等离子体增强化学汽相淀积法制备的氢化纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）／氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）多层膜中，未经任何后处理工艺，观察到室温可见光致发光（ＰＬ）．当ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ层厚度由４．０ｎｍ下降至２．１ｎｍ时，ＰＬ峰波长由７５０ｎｍ兰移至７０８ｎｍ．本文将这种对量大于Ｓｉ单晶能隙的光发射归因于多层膜中ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ子层的量子尺寸效应．
- 佟嵩刘湘娜鲍希茂
- 关键词：纳米硅非晶硅多层膜光致发光
- 纳米硅薄膜光吸收谱的研究被引量：6
- 1993年
- 用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比X_c为45％—50％)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着X_c的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区(平均厚度约为1nm)中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。
- 刘湘娜何宇亮F.WANGR.SCHWARZ
- 关键词：纳米硅吸收谱
- 非晶硅薄膜晶化过程中微结构的分析被引量：6
- 1990年
- 使用X射线衍射技术和高分辨率电子显微镜(HREM),分析研究了在非晶硅薄膜由非晶相向微晶相转化过程中其网络结构的变化特征,由此,给人们一个直观的信息,并加深对非晶硅薄膜微结构的认识。
- 何宇亮周衡南刘湘娜程光煦余是东
- 关键词：非晶硅晶化微结构
- PECVD纳米晶粒硅薄膜的可见电致发光被引量：9
- 1997年
- 在用等离子体增强化学汽相淀积的嵌有纳米晶粒硅薄膜中观测到电致发光．发光谱处在５００—８００ｎｍ之间，它有两个分别位于６３０—６８０ｎｍ和７３０ｎｍ附近的峰，两个峰的强度与薄膜的电导率有密切关系．根据这种材料的结构特性对载流子的传导通道进行了讨论。
- 佟嵩刘湘娜王路春阎峰鲍希茂
- 关键词：PECVD纳米晶电致发光器件
