于灵敏
- 作品数：87 被引量：112H指数：6
- 供职机构：西安工业大学更多>>
- 发文基金：陕西省教育厅自然科学基金国家自然科学基金陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 控制纳米线生长的研究
- 分别研究了环境压力、气体流量、载气种类、沉积温度和外加电场对硅纳米线及硫化镉晶须生长的影响.获得主要结果如下:1)环境压力为100Torr时,制备出平行排列生长的硅纳米线和硅微米晶须;气体流量为70 SCCM时,制备出既...
- 于灵敏
- 关键词：外加电场硅纳米线
- 文献传递
- 物理热蒸发法制备Ga掺杂ZnO纳米材料的研究
- 2013年
- 采用物理热蒸发锌(Zn)粉与三氧化二镓(Ga2O3)粉的方法,制备出不同形貌的Ga掺杂纳米ZnO。利用XRD、SEM、TEM对产物的结构和形貌进行了分析。结果表明,所生成的产物是具有六方结构的单晶ZnO,其中4%Ga掺杂的ZnO纳米结构呈标枪状,与呈线状、未掺杂的ZnO形貌差异较大。在PL检测中发现Ga掺杂使光致发光绿光峰强度增加,并且4%Ga掺杂时其绿光峰强度最大。在随后的XPS检测中发现Ga掺杂使得ZnO中氧空位缺陷增多,这是PL中绿光峰出现和强度变化的原因。
- 雷曼范新会于灵敏陈建韦建松严文
- 关键词：热蒸发法ZNO纳米材料形貌光致发光
- Zn/Sn热共蒸发制备ZnO/Zn_2SnO_4/SnO_2同轴纳米电缆被引量：1
- 2012年
- 为了研制优质气敏传感器的ZnO系气敏元件,以Zn粉和Sn粉为原料,通过热共蒸发法,在900℃的氧气气氛中,制备了直径为80～150nm的三层同轴ZnO/Zn2SnO4/SnO2核壳结构的纳米电缆.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)试验对纳米电缆的形貌、组成成分以及微观结构进行了表征.测得该三层同轴ZnO/Zn2SnO4/SnO2核壳结构的纳米电缆的芯核为SnO2,中间层为Zn2SnO4化合物,外壳层为ZnO,且有铅笔状、三角金字塔状和四棱锥状三种不同纳米形貌.
- 范新会税婧仪于灵敏严文
- 关键词：纳米电缆
- 在外加电场下制备ZnO纳米线被引量：3
- 2006年
- 为了有效控制ZnO纳米线的生长,采用物理热蒸发法在外加电场的条件下制备ZnO纳米线.通过在沉积区引入外电场,制备出了定向生长的ZnO纳米线、纳米梳子及纳米锥.借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪和透射电子显微镜以及X射线衍射仪,研究外加电场对ZnO纳米线生长的影响.与没有外加电场的情况相比,ZnO纳米线的生长方式发生了较大的改变,由一点向空间发散生长转变为沿某一方向定向生长,其平均直径约70 nm,长约12μm.结果表明,外加电场能有效控制半导体纳米线的生长,使其生长更具有方向性.
- 张克良范新会于灵敏严文
- 关键词：ZNO纳米线外加电场
- 烧结温度对ZnO纳米线酒敏性能影响的研究被引量：5
- 2007年
- 为初步研究ZnO纳米线的酒敏性能,以纯度为99.9%的Zn粉为原料,采用物理热蒸发法制备出ZnO纳米线,并以其作为气敏基料,羧甲基纤维素为粘结剂,在不同的烧结温度下制备成旁热式气敏元件.运用扫描电镜观察了产物的形貌,采用静态配气法在自制的测试系统上进行了气敏性能的测试.结果表明:随着烧结温度的升高,ZnO纳米线互相联结、长大,使其比表面积迅速减小,进而影响了气敏元件的酒敏性能.根据实验结果,当其烧结温度为500℃时,元件的气敏性能较佳.
- 范新会马雪红于灵敏张克良严文
- 关键词：ZNO纳米线烧结温度气敏性能
- Ni掺杂对ZnO纳米线甲烷气敏性能的影响
- 2007年
- 以采用物理热蒸发法制备的纯ZnO纳米线和Ni掺杂ZnO纳米线为气敏基料，制备成旁热式气敏元件，用静态配气法对浓度为10^-4的甲烷气体进行了气敏性能的测试．结果表明Ni掺杂使ZnO纳米线对甲烷灵敏度提高了182％，响应时间和恢复时间分别缩短了3和2s．Ni的掺杂，在ZnO半导体禁带中引入新的复合中心，形成附加能级，提高了ZnO纳米线对甲烷的灵敏度．
- 林贺范新会于灵敏严文
- 关键词：ZNO纳米线掺杂气敏性能甲烷
- 纳米SnO2、ZnO及ZnO／SnO2复合材料的气敏性能研究
- 2009年
- 以ZnO、S如纳米颗粒及ZnO／SnO2复合纳米材料分别作为气敏基料制成旁热式气敏元件，运用扫描电镜观察产物的形貌，用静态配气法对浓度为100ppm的甲烷气体进行气敏性能的测试。结果表明，这几类元件的最佳工作温度及灵敏度差异较大，当工作温度为350℃时SnO2纳米颗粒的气敏性能最佳。此温度下，SnO2响应时间和恢复时间也比纯ZnO纳米颗粒分别缩短了2S和3S。
- 吴琳琅范新会于灵敏
- 关键词：烧结温度纳米复合材料
- 外加电场对硫化镉晶须生长的影响研究被引量：6
- 2004年
- 在外加电场的条件下利用物理热蒸发法制备硫化镉晶须 ,借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪和透射电子显微镜以及X射线衍射仪 ,研究外加电场对硫化镉晶须生长的影响。结果表明硫化镉晶须的生长应遵循氧化物辅助生长机制 ;无论外加电场存在与否 ,沉积温度越高 ,硫化镉晶须越粗越长 ,但是沉积温度对硫化镉晶须的形状没有影响 ;在有电场和无电场条件下的硫化镉晶须的形貌有很大差异 ,外加电场大大促进了硫化镉晶须沿一维方向上的生长 ,这可以由带电团簇模型来解释。
- 于灵敏范新会刘春霞严文刘建刚
- 关键词：硫化镉电场晶须生长半导体发光材料
- 一种三维柔性多孔石墨炔网络薄膜及其制备方法
- 本发明属于新型碳材料领域，具体涉及一种三维柔性多孔石墨炔网络薄膜及其制备方法。为克服现有技术存在石墨炔产率较低的问题。本发明采用的方法步骤为：前驱体1,3,5三乙炔基苯的合成；H取代石墨炔薄膜的合成；H取代石墨炔薄膜的分...
- 于灵敏张传涛李森林张宇范新会
- SnO2纳米颗粒对CH4气敏特性的研究被引量：3
- 2009年
- 使用溶胶-凝胶法制备了SnO2纳米颗粒.通过X射线衍射和扫描电子显微镜手段对材料的晶体结构和表面进行分析,结果表明所得材料为纯SnO2纳米颗粒.以所制备的SnO2纳米颗粒为气敏材料制备电阻式气敏元件,在CH4体积分数为2.5×10-4时,测试SnO2纳米颗粒对CH4气体的气敏特性,包括工作温度-气体灵敏度和响应-恢复特性,结果表明SnO2颗粒在工作温度为350℃时对CH4的最大灵敏度为11,响应-恢复时间分别为5 s和8 s.实验结果表明,该SnO2纳米颗粒气敏传感器对CH4具有快速响应和高灵敏度的特性,在工矿安全运行和环境保护方面具有重要的应用价值.
- 于灵敏朱长纯范新会祁立军吴琳琅严文
- 关键词：溶胶凝胶法气敏特性
