陈晓东
- 作品数：8 被引量：8H指数：1
- 供职机构：济南大学更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 一种在水相碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜的方法
- 本发明涉及碲化镉半导体薄膜制备技术领域一种在水相碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜的方法，采用三电极电化学沉积体系，在温度为20℃～80℃、阴极沉积电位为-1.0V~-2.0V下从碱性前躯体沉积溶液中电化学沉积CdTe...
- 武卫兵陈晓东刘宽菲胡广达
- 文献传递
- 水热法制备ZnO纳米棒薄膜及其机理被引量：8
- 2013年
- 采用连续水热法在Zn(NO3)2-HMT-PEI体系的前驱体溶液中,成功合成20μm长的ZnO纳米棒薄膜;分析生长溶液变色及ZnO纳米棒生长机理。结果表明:六次甲基四胺(HMT)高温分解出的甲醛(HCHO),能与聚乙烯亚胺(PEI)发生Mannich反应生成席夫碱化合物是溶液由无色变为红色的原因;该反应使得PEI分子中具有强络合能力伯胺(—NH2)转变为弱络合能力的亚胺(C N),迫使原被PEI稳定螯合的Zn2+重新释放,是水热法生长ZnO纳米棒的关键。
- 刘宽菲武卫兵陈晓东陈宝龙张楠楠
- 关键词：染料敏化太阳能电池ZNO纳米棒聚乙烯亚胺亚胺
- 氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法
- 本发明属于半导体薄膜制备技术领域，尤其涉及一种氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法。本发明的技术方案为：氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法，包括以下步骤：1）采用高度（001）取向的ZnO作为种子层，将ZnO种子层放入硝酸锌（Zn...
- 武卫兵刘宽菲张楠楠陈晓东陈宝龙
- 文献传递
- CdS多晶薄膜的制备及其性能
- 2014年
- 采用化学水浴法（CBD）及85—65℃的高低温工艺模式，在醋酸镉体系中制备大面积硫化镉CdS多晶薄膜，经X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）和紫外-可见分光光度计（UV-VIS）等测试表征CdS多晶薄膜结构、形貌及光学性质。结果表明：CdS在85℃条件下快速成核，再逐渐降温至65℃慢速生长，可使大面积CdS多晶薄膜的粒径较大（约60nm）、均匀性较好、致密度较高。通过优化85℃到65℃的高低温生长工艺，降温速率为2％／min的条件下制备出厚度约50nm的超薄CdS多晶薄膜，经氮气气氛400oC退火处理后，CdS晶粒长大，透过率降低，禁带宽度变窄。
- 陈晓东武卫兵陈宝龙张楠楠
- 关键词：CDS薄膜
- (001)取向TiO_2薄膜水热生长机理及其忆阻性能
- 2014年
- 通过氟基水热法合成出(001)取向的锐钛矿TiO2薄膜,讨论了薄膜的生长机理和忆阻性能。水热生长结果表明,预沉积无定形种子层增加了薄膜致密度,氟离子选择吸附促使TiO2薄膜的取向生长。薄膜的忆阻特性检测表明,(001)取向的TiO2薄膜忆阻单元具有良好的开关特性,稳定性良好。氟基水热法制备TiO2薄膜,设备和工艺简单,成本低,在忆阻器领域会有很好的应用潜力。
- 陈宝龙武卫兵陈晓东张楠楠
- 关键词：TIO2水热合成RRAM
- 一种在水相碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜的方法
- 本发明涉及碲化镉半导体薄膜制备技术领域一种在水相碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜的方法，采用三电极电化学沉积体系，在温度为20℃～80℃、阴极沉积电位为-1.0V~-2.0V下从碱性前躯体沉积溶液中电化学沉积CdTe...
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- 电化学沉积法制备CdTe半导体薄膜及其性能研究
- 随着能源危机和环境污染问题日益加剧，对太阳能电池的关注越来越多。提高转化效率和降低成本仍是光伏行业面临的两大难题。寻求成本低廉、稳定性好、具有较高光电转化效率的太阳能电池工艺技术是研发低成本太阳能电池的重要途径。CdTe...
- 陈晓东
- 关键词：太阳能电池电化学沉积法半导体薄膜循环伏安法电化学特性
- 文献传递
- 氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法
- 本发明属于半导体薄膜制备技术领域，尤其涉及一种氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法。本发明的技术方案为：氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法，包括以下步骤：1）采用高度（001）取向的ZnO作为种子层，将ZnO种子层放入硝酸锌（Zn...
- 武卫兵刘宽菲张楠楠陈晓东陈宝龙
- 文献传递
