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胡广达

作品数:52 被引量:60H指数:5
供职机构:济南大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>

文献类型

  • 40篇专利
  • 12篇期刊文章

领域

  • 7篇理学
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇化学工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 18篇铁电
  • 16篇SUB
  • 14篇电性能
  • 10篇陶瓷
  • 10篇介电
  • 9篇溶胶
  • 9篇铁电薄膜
  • 8篇纳米
  • 8篇介电性
  • 8篇介电性能
  • 8篇合成温度
  • 7篇铁电性
  • 7篇介质陶瓷
  • 6篇铁电性能
  • 6篇钛酸
  • 6篇微波介电
  • 6篇微波介电性能
  • 6篇微波介质
  • 6篇微波介质陶瓷
  • 5篇异质结

机构

  • 50篇济南大学
  • 7篇山东建筑大学
  • 2篇吉林大学
  • 2篇武汉理工大学
  • 1篇齐鲁师范学院

作者

  • 52篇胡广达
  • 30篇杨长红
  • 23篇武卫兵
  • 15篇吴海涛
  • 13篇杨锋
  • 7篇徐静
  • 7篇闫静
  • 7篇张丰庆
  • 7篇范素华
  • 6篇王金翠
  • 6篇程玲
  • 4篇王培吉
  • 4篇崔守刚
  • 4篇岳云龙
  • 4篇殷在梅
  • 3篇孙雯
  • 3篇岳雪涛
  • 3篇张伟
  • 3篇蒋晓妹
  • 2篇芦泽宇

传媒

  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇功能材料
  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇济南大学学报...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇吉林大学学报...
  • 1篇泰山学院学报

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 11篇2014
  • 5篇2013
  • 5篇2012
  • 7篇2011
  • 2篇2010
  • 5篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇1998
52 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种三维结构的异质结器件的制备方法
本发明涉及一种三维结构的异质结器件的制备方法,包括以下步骤:(1)在基体上生长取向n型ZnO纳米棒阵列薄膜;(2)将p型半导体从未被活化的前驱体溶液中电化学沉积在ZnO纳米棒表面,实现p型半导体对ZnO纳米棒的保形覆盖;...
武卫兵胡广达崔守刚
文献传递
铁电隧道结器件
本发明公开了一种铁电隧道结器件,包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜;其中N型半导体薄膜上连接有第一电极,而在P型半导体薄膜上连接有第二电极,并且第一电极和第二电极为同样的半导体材料基于不同...
杨锋胡广达武卫兵杨长红吴海涛
文献传递
制备ZnO/Cu<Sub>2</Sub>O异质结材料及ZnO/Cu<Sub>2</Sub>O三维结构异质结太阳电池的方法
本发明公开了一种制备ZnO/Cu<Sub>2</Sub>O异质结材料及ZnO/Cu<Sub>2</Sub>O三维结构异质结太阳电池的方法,异质结材料的制备方法包括液相生长法在基底上生长n型ZnO纳米棒阵列薄膜、以碱性铜盐...
武卫兵李梅胡广达
文献传递
一种镧系元素掺杂的钛酸铋薄膜及其制备方法
本发明公开了一种镧系元素掺杂的钛酸铋薄膜,它包括至少5层材料,每层材料的组分为Bi<Sub>(4-x)(1+y)</Sub>Ln<Sub>x</Sub>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>,其中,Ln...
胡广达王金翠程玲张红岩姜波武卫兵杨长红
镧、铈掺杂对钛酸钡基介电陶瓷性能的影响被引量:21
2006年
为了改善钛酸钡陶瓷的介电性能,采用溶胶凝胶法,制备了镧、铈掺杂的钛酸钡基介电陶瓷,研究了镧、铈2种稀土氧化物对其介电性能、耐压程度等性能的影响以及与显微结构的关系。实验表明:2种稀土元素对钛酸钡陶瓷的晶粒生长有较大的抑制作用,镧和铈的掺杂量在1.0%(物质的量分数)左右对钛酸钡陶瓷的介电性能有很好的改善作用。但镧离子和铈离子在钛酸钡中的离子取代情况有所不同,因而,改善性能的作用不同。镧掺杂钛酸钡陶瓷性能好于铈掺杂的钛酸钡陶瓷,掺杂物质的量分数为1.0%的镧掺杂钛酸钡陶瓷的相对介电常数大于4000,从室温到125℃温度范围内,介电常数的温度系数小于10%,击穿场强大于7.5kV/mm。
范素华胡广达张丰庆岳雪涛任艳霞徐静
关键词:介电陶瓷钛酸钡溶胶-凝胶法
铋过量对CaBi_4Ti_4O_(15)铁电薄膜性能的影响被引量:2
2007年
利用溶胶凝胶法制备CaBi4+xTi4O15(CBT-x)铁电薄膜,探索了不同铋含量对CBT-x铁电薄膜样品的相结构、微观形貌和电学性能的影响,研究表明,当x为0.3时,样品的剩余极化强度达到最大值,2Pr=8.7μC/cm2,矫顽场强2Ec=7.6kV/mm,相对介电常数的大小在(160±6)%范围内,损耗因子在0.05~0.08之间,适量的铋含量可以较好地抑制过多的氧空位、焦虑石相和其它杂相的产生。
范素华徐静王培吉胡广达张丰庆
关键词:铁电薄膜铁电性能介电性能
一种p型高透射率(100)-取向的LaNiO<Sub>3</Sub>纳米薄膜的制备方法
本发明涉及微电子与光电子材料领域,特别涉及一种P型高透射率(100)-取向的LaNiO<Sub>3</Sub>纳米导电薄膜的制备方法。采用以下步骤:按摩尔比1:1称取硝酸镧和硝酸镍作为溶质,溶剂水:乙醇:柠檬酸:聚乙二醇...
胡广达焦璐孙雯钟仿仿武卫兵杨长红
文献传递
纳米晶La_(1-x)Sr_xFeO_3薄膜的制备与表征被引量:3
1998年
采用Sol-gel工艺在石英玻璃和硅衬底上成功地制备了纳米晶La1-xSrxFeO3(x=0~0.4)系列薄膜,薄膜为钙钛矿结构,平均粒度在30nm左右。XPS结果表明,随着Sr含量的增大薄膜表面吸附氧含量增大。
索辉赵毅胡广达刘国范徐宝琨赵慕愚
关键词:纳米晶材料溶胶-凝胶
用于铁电存储器的BiFeO<Sub>3</Sub>-基三明治结构薄膜及其制备方法
本发明涉及一种用于铁电存储器的BiFeO<Sub>3</Sub>-基三明治结构薄膜及其制备方法,属于微电子新材料技术领域。所述的BiFeO<Sub>3</Sub>-基三明治结构薄膜的上、下表层组分均为BiFe<Sub>1...
胡广达闫静陈雪梅杨长红武卫兵殷在梅程玲王金翠
文献传递
一种提高铁电薄膜抗击穿能力的方法
本发明公开了一种提高铁电薄膜抗击穿能力的方法,该方法是以金属铝片作为铁电薄膜的电极,或者以表面覆有一层铝膜的其他材质作为铁电薄膜的电极,对铁电薄膜的电极进行预处理后再在预处理的电极上生长铁电薄膜;所述铁电薄膜的电极在气体...
胡广达闫静蒋晓妹
文献传递
共6页<123456>
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