郭永福
- 作品数：10 被引量：8H指数：2
- 供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 氨化温度对氨化Si基Ga_2O_3/Cr膜制备GaN纳米结构的影响被引量：1
- 2009年
- 采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积Ga2O3/Cr膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上成功合成了六方纤锌矿GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对合成GaN纳米材料的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)、傅里叶红外吸收(FTIR)光谱来检测样品的形态,结构和成分,并且讨论了GaN纳米结构的生长机理。研究结果表明,在Cr催化合成GaN纳米结构的过程中,氨化温度对其有重要影响,最佳温度是950℃。
- 王邹平薛成山庄惠照王英张冬冬黄英龙郭永福
- 关键词：GAN纳米线
- 以Pd为缓冲层制备GaN薄膜和一维纳米结构的研究
- 纳米材料和纳米技术是20世纪80年代末迅速崛起的一门新学科,它是以尺寸在1～100nm范围的物质或结构为研究对象的学科。科学家们预测纳米科技将是21世纪的主导科学技术。作为纳米技术应用的基础--纳米材料,由于其独特的物理...
- 郭永福
- 关键词：GAN磁控溅射氨化法
- 文献传递
- 钯缓冲层制备GaN纳米线及光学特性分析
- 2010年
- 利用射频磁控技术,在Si衬底上以Pd为缓冲层、Ga2O3粉末作为生长GaN的Ga源,成功制备出大量GaN纳米线。通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出GaN纳米线为单晶结构,纳米线的直径为10～60nm,长度达几十个微米。X射线衍射和X射线能量散射谱显示合成的纳米线为GaN单晶结构。傅里叶变换红外吸收光谱和光致发光光谱测试表明,制得的GaN纳米线与GaN体材料相比具有不同的光学特性。
- 薛成山郭永福石锋庄惠照刘文军
- 关键词：氮化镓纳米线磁控溅射氨化
- 氨化Ga_2O_3/Pd/Sapphire薄膜制备GaN纳米线
- 2010年
- 利用金属元素钯作催化剂,采用磁控溅射后氨化法,成功的在Sapphire衬底上制备出GaN纳米线。X射线衍射和X射线光电子能谱研究显示合成的纳米线具有六方纤锌矿GaN结构。通过扫描电子显微镜,透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出GaN纳米线为单晶结构,其纳米线的直径约为10～60nm,长度达几十个微米。室温下以325nm波长的光激发样品表面,发现GaN带边发光峰有较弱的蓝移。最后简单讨论了GaN纳米线的生长机制。
- 薛成山郭永福石锋庄惠照刘文军曹玉萍孙海波
- 关键词：纳米线GAN钯催化
- Mn掺杂GaN纳米条的制备和性质的研究被引量：2
- 2010年
- 通过在1000℃下氨化锰掺杂Ga2O3薄膜制备了大量GaMnN纳米条。采用此法得到的剑状Mn掺杂GaN纳米条是六方纤锌矿结构，Mn的原子百分比是5．43％，纳米条的厚度大约为100nm，宽度为200—400nm。X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、选区电子衍射（SAED）、X射线光电子能谱（XPS）和荧光分光光度计（PL）用于表征所制备纳米条形貌及光学性质。室温下以325nm波长的光激发样品表面，发现由于Mn的掺杂使GaN的发光峰有较大的红移。最后，简单讨论了GaN纳米条的生长机制。
- 刘文军薛成山石锋庄惠照郭永福
- 关键词：MN磁控溅射
- 利用Pd催化合成单晶GaN纳米线的光学特性(英文)被引量：2
- 2010年
- 基于金属元素钯具有的催化特性,采用射频磁控溅射方法,在Si(111)衬底上沉积Pd:Ga2O3薄膜,然后在950℃下对薄膜进行氨化,制备出大量GaN纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术手段对样品的结构、形貌和成分进行分析.结果表明,制备的样品为具有六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米线,直径在20-60nm范围内,长度为几十微米,表面光滑无杂质,结晶质量较高.用光致发光光谱对样品的发光特性进行测试,分别在361.1、388.6和426.3nm处出现三个发光峰,且与GaN体材料相比近带边紫外发光峰发生了较弱的蓝移.对GaN纳米线的生长机制也进行了简单的讨论.
- 郭永福薛成山石锋庄惠照刘文军孙海波曹玉萍
- 关键词：纳米线GAN光学特性钯催化
- 氨气流量对GaN纳米线生长及性能的影响
- 2010年
- 利用磁控溅射技术在Si衬底上沉积Ga2O3/Co薄膜,然后在不同氨气流量下于950℃退火15min。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶红外吸收(FTIR)光谱、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品进行了分析表征。结果表明,氨气流量对GaN纳米线的生长及性能有很大影响。简单讨论了GaN纳米线的生长机理。
- 曹玉萍薛成山石锋孙海波刘文军郭永福
- 关键词：GAN纳米线溅射
- 氨化温度对Si基GaN纳米结构质量的影响(英文)
- 2010年
- 通过磁控溅射技术在Si(111)衬底上沉积Ga2O3/Co薄膜,然后在不同温度下氨化制得GaN纳米结构。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行了表征。结果显示合成的GaN纳米结构具有六方纤锌矿结构,且纳米结构的生长受温度影响很大。PL谱显示在388nm处有一强的紫外发光峰,表明其在低维激光器件方面的应用优势。同时对纳米结构的生长机制进行了简单讨论。
- 曹玉萍薛成山石锋孙海波郭永福刘文军
- 关键词：GAN纳米结构SI衬底钴氨化溅射
- Au点阵模板控制生长ZnO堆垒单晶棒被引量：2
- 2010年
- 采用磁控溅射技术在Si(111)衬底上溅射Au薄膜,900℃退火生成Au点阵模板,在Au点阵模板上溅射ZnO薄膜,O2气氛下1 000℃退火制备了ZnO堆垒单晶棒。研究了不同直径Au点阵模板对ZnO单晶棒结构性能的影响。采用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)对样品结构形貌进行了分析。结果表明,生成有序排列的ZnO棒均由诸多六方纤锌矿单晶堆垒而成,较小Au点阵生成单晶棒的直径约为100nm。室温光致发光PL谱表明在376nm出现一个较强近紫外发射,在488nm附近出现一个较宽的深能级绿光发射,说明所制备样品具有良好的发光特性。
- 孙海波石锋曹玉萍郭永福刘文军薛成山
- 关键词：氧化锌磁控溅射光学特性
- Si基Au催化合成镁掺杂GaN纳米线被引量：1
- 2009年
- 通过一种新奇的方法在硅衬底上成功地合成了掺杂镁的氮化镓纳米线，用金属镁粉末作为掺杂源，然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化Ga2O3薄膜制备GaN纳米线。X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、选区电子衍射（SAED）和能量弥散X射线谱（EDX）的分析结果表明，采用此方法得到的GaN纳米线为六方纤锌矿结构，纳米线的直径大约在60～100nm之间，纳米线的长约十几个微米。EDX分析表明纳米线掺杂了镁。室温下以325nm波长的光激发样品表面，发现由于镁的掺杂使GaN的发光峰有较大的蓝移。最后，简单讨论了GaN纳米线的生长机制。
- 黄英龙薛成山庄惠照张冬冬王英王邹平郭永福刘文军
- 关键词：磁控溅射GAN纳米线氨化
