薛军帅
- 作品数：66 被引量：13H指数：2
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- 铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法
- 本发明公开了一种铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法。本发明的二极管包括：GaN外延层，n<Sup>+</Sup>GaN集电极欧姆接触层，第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层，GaN主量子阱层，第二InAlN...
- 张进成黄金金于婷陆芹郝跃薛军帅杨林安林志宇
- YAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法
- 本发明涉及YAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有氮化物微波功率器件工作频率低及材料位错密度高的问题。其自下而上包括衬底、成核层、GaN沟道层、AlN插入层和YAlN势垒层，该插入层与势垒层之间设有I...
- 薛军帅孙志鹏李蓝星张赫朋杨雪妍姚佳佳刘芳张进成郝跃
- 文献传递
- 基于m面SiC衬底的非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法
- 本发明公开了一种基于m面SiC衬底非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法，主要解决常规非极性GaN生长中质量差、工艺复杂的问题。其生长步骤是：(1)将m面SiC衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合...
- 郝跃许晟瑞张进成周小伟欧新秀付小凡杨传凯薛军帅
- 文献传递
- 多区域微分负阻特性的氮化镓基共振隧穿二极管及制作方法
- 本发明公开了多区域微分负阻特性的氮化镓基共振隧穿二极管及制作方法，主要解决现有氮化镓共振隧穿二极管难以实现多区域微分负阻特性、串联集成度低和微分负阻特性一致性差的问题。其自下而上包括衬底、GaN外延层、发射极欧姆接触层、...
- 薛军帅姚佳佳吴冠霖郭壮刘仁杰赵澄李泽辉袁金渊张进成郝跃
- 阶梯组分YAlN/AlGaN超晶格p型层的高效深紫外发光二极管及制备方法
- 本发明公开了一种阶梯组分YAlN/AlGaN超晶格p型层的高效深紫外发光二极管，主要解决现有深紫外发光二极管p型掺杂的Mg离化率小，导致发光效率低的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、n型层(4)...
- 许晟瑞刘旭卢灏张涛张雅超薛军帅王心颢徐爽贠博祥高源张进成郝跃
- 晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料二维电子气输运特性研究被引量：1
- 2011年
- 文章研究了InAlN/GaN和引入AlN界面插入层形成的InAlN/AlN/GaN材料的输运性质.样品均在蓝宝石上以脉冲金属有机物化学气相淀积法生长,霍尔迁移率变温特性具有典型的二维电子气(2DEG)特征.综合各种散射机理包括声学形变势散射、压电散射、极性光学声子散射、位错散射、合金无序散射和界面粗糙度散射,理论分析了温度对迁移率的影响,发现室温下两种材料中2DEG支配性的散射机理都是极性光学波散射和界面粗糙度散射;AlN插入层对InAlN/GaN材料迁移率的改善作用一方面是免除2DEG的合金无序散射,另外还显著改善异质界面,抑制了界面粗糙度散射.考虑到2DEG密度也是影响其迁移率的重要因素,结合实验数据给出了晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料的2DEG迁移率随电子密度变化的理论上限.
- 王平亚张金风薛军帅周勇波张进成郝跃
- 关键词：二维电子气迁移率
- 高电子迁移率晶格匹配InAlN/GaN材料研究被引量：2
- 2011年
- 文章基于蓝宝石衬底采用脉冲金属有机物化学气相淀积(MOCVD)法生长的高迁移率InAlN/GaN材料,其霍尔迁移率在室温和77K下分别达到949和2032cm2/Vs,材料中形成了二维电子气(2DEG).进一步引入1.2nm的AlN界面插入层形成InAlN/AlN/GaN结构,则霍尔迁移率在室温和77K下分别上升到1437和5308cm2/Vs.分析样品的X射线衍射、原子力显微镜测试结果以及脉冲MOCVD生长方法的特点,发现InAlN/GaN材料的结晶质量较高,与GaN晶格匹配的InAlN材料具有平滑的表面和界面.InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料形成高迁移率特性的主要原因归结为形成了密度相对较低(1.6×1013—1.8×1013cm-2)的2DEG,高质量的InAlN晶体降低了组分不均匀分布引起的合金无序散射,以及2DEG所在界面的粗糙度较小,削弱了界面粗糙度散射.
- 张金风王平亚薛军帅周勇波张进成郝跃
- 关键词：二维电子气迁移率
- 基于弧形源场板的垂直结构电力电子器件
- 本发明公开了一种基于弧形源场板的垂直结构电力电子器件，其包括：衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、左、右两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(12)，沟道层(6)和势垒层(7)的两侧刻蚀有源...
- 毛维石朋毫郝跃薛军帅
- InAlN/AlGaN增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法
- 本发明公开了一种InAlN/AlGaN增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有增强型器件制造工艺复杂和控制难度大以及晶体管阈值电压低的问题。该器件自下而上，包括衬底、AlN成核层、沟道层和AlN界面插入层，该插...
- 薛军帅李姚郝跃张进成
- 文献传递
- 含InGaN子阱结构的YAlN/GaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法
- 本发明公开了一种含InGaN子阱结构的YAlN/GaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法，主要解决现有GaN共振隧穿二极管峰值电流低、峰谷电流比小和性能一致性差的问题。其自下而上包括衬底、GaN外延层、n<Sup>+</S...
- 薛军帅刘芳郝跃张进成姚佳佳李蓝星孙志鹏张赫朋杨雪妍吴冠霖
