穆辛
- 作品数：8 被引量：8H指数：2
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家电网公司科技项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- IGBT集电结局域寿命控制的比较与分析被引量：4
- 2014年
- 新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工。为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片性能,可以在集电结附近设置载流子局域寿命控制层(LCLC)来改善器件性能。目前有两种方案:将LCLC区置于集电区内形成内透明集电极IGBT(ITC-IGBT);或置于缓冲层内,形成缓冲层局域寿命控制IGBT。对这两种结构的600 V器件结合具体参数进行了仿真和比较。仿真结果表明,两种结构的器件可实现几近相同的折中特性,但当LCLC区位于缓冲层内时,需要更低的局域寿命,且更易发生通态特性的回跳现象,影响器件性能。因此将LCLC区置于集电区,即形成ITC-IGBT结构是一个更好的选择,为探索用厚片工艺制造高性能IGBT提供了必要的参考。
- 周新田吴郁胡冬青贾云鹏张惠惠穆辛金锐刘钺杨
- 600V新型槽栅内透明集电极IGBT的仿真研究
- 本文提出一种600V新型槽栅内透明集电极(Internal Transparent Collector,ITC) IGBT (Insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极晶体管).该结构...
- 张惠惠胡冬青吴郁贾云鹏周新田穆辛
- 关键词：绝缘栅双极晶体管性能表征
- 文献传递
- 一种施密特触发器型压控振荡器的设计与仿真被引量：2
- 2014年
- 传统施密特型压控振荡器存在输入电压下限值较高、最高振荡频率较低等缺点。针对这两个问题,文中介绍了一种具有新型充放电电路结构的施密特型压控振荡器,并在0.18μm工艺下对电路进行了仿真。结果表明,相对于传统施密特型压控振荡器,新型振荡器输入电压下限值有所下降,且最高振荡频率也有明显提升。
- 穆辛周新田张慧慧金锐刘钺杨吴郁
- 关键词：输入电压振荡频率压控振荡器
- 600V新型槽栅内透明集电极IGBT的仿真被引量：3
- 2013年
- 针对低压透明集电极绝缘栅双极晶体管(ITC-IGBT)制造难度高的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将点注入局部窄台面(PNM)槽栅结构应用于IGBT中,提出一种600 V新型槽栅内透明集电极IGBT。采用仿真工具ISE-TCAD,对PNM-ITC-IGBT的导通特性、开关特性、短路特性等进行仿真,重点研究局域载流子寿命控制层的位置及其对内载流子寿命的影响,并与普通槽栅内透明集电极IGBT进行对比。结果表明,新结构具有较低的通态压降和关断损耗,尤其在短路特性方面,提高了槽栅IGBT的抗烧毁能力,且局域载流子寿命控制层的位置和寿命存在最佳范围。
- 张惠惠胡冬青吴郁贾云鹏周新田穆辛
- 关键词：槽栅
- 用于电能计量芯片的Sigma-Delta调制器的设计与仿真
- 当前低功耗、智能化的电子式电能表已开始推广，市场增长迅猛。其核心部件电能计量芯片的设计和研发具有重要的应用价值。 作为总体工作的一部分，本文基于0.5μm工艺，利用Matlab和Cadence仿真工具，对电能计量芯片中...
- 穆辛
- 关键词：信噪比电能计量芯片电路设计
- 不同碳化硅器件的直接比较被引量：1
- 2014年
- 本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiC MOSFET,并与1200V常闭型SiC JFET(结型场效应晶体管)和1200V SiC BJT(双极结型晶体管)作对比。全面比较了3种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围(1A^7A)的动态特性,并在T=125℃、ID=7A条件下做了快速评估。尽管SiC MOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiC MOSFET的总动态损耗远远低于SiC BJT和常闭型SiC JFET,且驱动方案非常简单。因此在高频、高效功率转换领域中,SiC MOSFET是最好的选择。
- 张惠惠周新田穆辛Bettina RubinoMichele MacaudaMassimo NaniaSimion Buonome
- 关键词：SICMOSFETSICJFETSICBJT
- 不同碳化硅器件的直接比较
- 2013年
- 本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiC MOSFET,并与1200V常闭型SiC JFET(结型场效应晶体管)和1200V SiC BJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiC MOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiC MOSFET的总动态损耗远远低于SiC BJT和常闭型SiC JFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiC MOSFET是最好的选择。
- Bettina RubinoMichele MacaudaMassimo NaniaSimion Buonome张惠惠周新田穆辛
- 关键词：SICMOSFETSICJFETSICBJT
- 内透明集电极IGBT开关特性及短路特性仿真研究
- 2013年
- 针对内透明集电极(internal transparent collector,ITC)绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)结构的短路特性进行数值模拟研究,通过模拟仿真明确了缓冲层掺杂浓度、局域载流子寿命控制区位置及局域载流子寿命参数对ITC-IGBT的导通特性、开关特性、短路特性的影响。通过优化折中器件的缓冲层掺杂浓度、局域寿命控制区寿命参数和局域寿命控制区位置的关系,在器件特性满足要求的同时,改善器件的抗短路能力。文章最后给出一种可供参考的具有良好抗短路能力的IGBT器件设计方法,确定了缓冲层浓度的最低值和局域载流子寿命最大值,明确了局域寿命控制的合理范围。
- 张惠惠胡冬青周新田周东海穆辛查祎英
- 关键词：开关特性短路特性
