周新田
- 作品数：34 被引量：10H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家电网公司科技项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术医药卫生核科学技术更多>>
- 一种基于LDMOS器件内栅电荷补偿的抗总剂量方法
- 一种基于MOS器件内栅电荷补偿的抗总剂量效应的方法属于抗辐照半导体技术领域。本发明至少包括两种新型MOS器件结构和一种新型电路结构，能够大幅度增强LDMOS器件的抗辐照性能。本发明针对星载LDMOS在总剂量效应作用下产生...
- 王正江胡冬青贾云鹏蒋佳烨周新田吴郁李新宇
- 具有抗动态雪崩能力的3.3kV FSA快恢复二极管的设计及仿真
- 高压功率快恢复二极管(FRD)的基区掺杂浓度通常很低，导致二极管在苛刻条件反向恢复过程中会发生动态雪崩。严重的动态雪崩将会引发电流丝化，当电流丝趋向于固定在某一位置，就可能引发严重的局部温升，使器件烧毁。结合具体结构分析...
- 周新田
- 关键词：仿真计算
- 一种集成肖特基超势垒二极管的沟槽型SiC MOSFET结构
- 本发明提供一种集成肖特基超势垒二极管的沟槽型SiC MOSFET结构，从下至上依次为漏极金属、N+衬底区、N‑漂移区、电流扩展层、P‑base区；P‑plus区，N‑source区均位于所述P‑base区预设区域的上表面...
- 周新田李明伟贾云鹏胡冬青吴郁
- 一种间隔栅SiC MOSFET结构
- 本发明提供一种间隔栅SiC MOSFET结构，从下至上依次为漏极金属、N+衬底区、N‑漂移区、电流扩展层CSL；电流扩展层CSL位于N‑漂移区的上表面；P‑base区位于所述电流扩展层CSL的上表面；P‑plus区，N‑...
- 周新田娄栗浩唐蕴贾云鹏胡冬青吴郁赵元富
- 一种分裂栅SiC MOSFET结构
- 一种分裂栅SiC MOSFET结构涉及半导体技术领域，从下至上依次为漏极金属、N+衬底区、N‑漂移区、电流扩展层；P‑base区分为左右两部分，位于电流扩展层上表面，P‑plus区分为左右两部分，分别位于左右P‑base...
- 周新田晏京龙唐蕴贾云鹏胡冬青吴郁赵元富
- IGBT集电结局域寿命控制的比较与分析被引量：4
- 2014年
- 新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工。为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片性能,可以在集电结附近设置载流子局域寿命控制层(LCLC)来改善器件性能。目前有两种方案:将LCLC区置于集电区内形成内透明集电极IGBT(ITC-IGBT);或置于缓冲层内,形成缓冲层局域寿命控制IGBT。对这两种结构的600 V器件结合具体参数进行了仿真和比较。仿真结果表明,两种结构的器件可实现几近相同的折中特性,但当LCLC区位于缓冲层内时,需要更低的局域寿命,且更易发生通态特性的回跳现象,影响器件性能。因此将LCLC区置于集电区,即形成ITC-IGBT结构是一个更好的选择,为探索用厚片工艺制造高性能IGBT提供了必要的参考。
- 周新田吴郁胡冬青贾云鹏张惠惠穆辛金锐刘钺杨
- 一种内置异质结二极管的SiC沟槽型MOSFET结构
- 本发明提供一种内置异质结二极管的SiC沟槽型MOSFET结构，从下至上依次为漏极金属层、N+漏区、N‑漂移区；电流扩展层CSL位于所述N‑漂移区的上表面；P‑base区位于所述电流扩展层CSL的上表面；P‑plus区，N...
- 周新田张仕达贾云鹏胡冬青吴郁
- SiC MOSFET单粒子效应机理及加固技术的研究
- 周新田
- 一种辐照加固的SiC超结MOS结构
- 本发明提供一种辐照加固的SiC超结MOS结构，从下至上依次为N+漏区，P柱和N柱交替排列，位于N+漏区的上表面；左侧P‑base区、右侧P‑base区、左侧N‑source区、右侧N‑source区位于所述P‑base5...
- 周新田张仕达贾云鹏胡冬青吴郁
- 一种内嵌沟道二极管的SiC MOSFET制备方法
- 本发明提供一种内嵌沟道二极管的SiC MOSFET制备方法，具体包括在衬底层上表面依次生长N‑漂移层、JFET区；在JFET区两侧形成P‑base区；在P‑base区形成N+源区和P‑plus区；在JFET区、N+源区、...
- 周新田宫皓贾云鹏胡冬青吴郁
