温静
- 作品数：11 被引量：5H指数：2
- 供职机构：哈尔滨师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金黑龙江省教育厅科学技术研究项目黑龙江省研究生创新科研项目更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术电子电信理学更多>>
- ZnO/ZnS异质结构纳米锥阵列的制备方法
- ZnO/ZnS异质结构纳米锥阵列的制备方法，涉及一种ZnO/ZnS异质结构纳米锥阵列的制备方法。是要解决现有特殊形貌结构的纳米材料的开启电场和阈值电场较高，导致场发射性能不理想的问题。方法：一、对单晶硅片进行清洗，然后在...
- 张喜田陈美陆温静武立立牟洪臣
- 文献传递
- 一种薄膜电极电化学测试装置
- 一种薄膜电极电化学测试装置，本实用新型是为了解决现有电化学测试装置对于柔性薄膜电极漂动造成测试信号噪声大的问题。本实用新型薄膜电极电化学测试装置中使第一集流体、薄膜工作电极、第一电极压框、第一密封圈、电解液注入框架、第二...
- 李璐温静李林张明义张喜田
- 光辐照对单根In掺杂ZnO纳米线电学性质的影响
- 2014年
- 通过化学气相沉积方法成功制备了高质量的In掺杂ZnO纳米线。选用325 nm的He-Cd激光器做为光源,进一步探究了单根In掺杂ZnO纳米线的光响应特性。结果表明:紫外光辐照可使金属电极与纳米线之间的有效肖特基接触势垒下降,使接触类型由肖特基接触转变到欧姆接触;撤去紫外光后,电极与纳米线之间的接触可以恢复到未光照时的肖特基接触。讨论了肖特基接触与欧姆接触之间转变的物理机制。
- 王明姣高红温静唐欣月张锷
- 关键词：紫外光辐照肖特基接触欧姆接触
- 退火温度对In2O3(ZnO)m超晶格纳米线的拉曼光谱的影响被引量：3
- 2013年
- 采用化学气相沉积方法,在硅衬底上合成了In2O3(ZnO)m超晶格纳米线。扫描电镜的测试结果表明,纳米线的直径和长度分别在80～100 nm和15～25μm之间。透射电镜图像显示,In-O层与In/Zn-O block沿纳米线生长方向<0001>交替堆垛。在不同温度下对样品进行退火并利用拉曼散射技术对处理后的样品进行研究。研究结果发现随退火温度的提高,材料中的VO和Zni减少,AM模和A1(LO)模的逐渐频移到571 cm-1和619 cm-1位置,峰型对称性增强,即退火使In2O3(ZnO)m超晶格纳米线的晶体质量明显提高。最佳的退火温度为1000℃。
- 李凯温静赵振宇
- 关键词：退火拉曼散射
- MXene(Ti3C2Tx)材料的优化及其在储能器件中的应用
- Ti
- 李璐武立立温静王新宇金奇单新媛付其山高红张喜田
- 文献传递
- InMO3(ZnO)m(M=In,Ga,Al,Fe)化合物的晶体结构研究
- 温静张喜田
- 低温下单根ZnO纳米带电学性质的研究被引量：2
- 2013年
- 用化学气相沉积法在硅衬底上合成了宽1μm左右、长数十微米的ZnO纳米带.采用微栅模板法得到单根ZnO纳米带半导体器件,由I-V特性曲线测得室温下ZnO纳米带电阻约3 M,电阻率约0.4·cm.研究了在20—280 K温度范围内单根ZnO纳米带电阻随温度的变化.结果表明:在不同温度区间内电阻随温度变化趋势明显不同,存在两种不同的输运机制.在130—280 K较高的温度范围内,单根ZnO纳米带电子输运机制符合热激活输运机制,随着温度继续降低(<130 K),近邻跳跃传导为主导输运机制.
- 李铭杰高红李江禄温静李凯张伟光
- 关键词：ZNO纳米带
- 氧化钨纳米线/碳化钛纳米片复合材料的制备方法和应用
- 氧化钨纳米线/碳化钛纳米片复合材料的制备方法和应用，本发明要解决二维Ti<Sub>3</Sub>C<Sub>2</Sub>T<Sub>x</Sub>材料容易堆叠、电极比容量较低的问题。制备方法：一、将LiF加入到6～12...
- 李璐张亚静温静李林张明义张喜田
- 氧化钨纳米线/碳化钛纳米片复合材料的制备方法和应用
- 氧化钨纳米线/碳化钛纳米片复合材料的制备方法和应用，本发明要解决二维Ti<Sub>3</Sub>C<Sub>2</Sub>T<Sub>x</Sub>材料容易堆叠、电极比容量较低的问题。制备方法：一、将LiF加入到6～12...
- 李璐张亚静温静李林张明义张喜田
- 一种氧化锌/硫化锌超晶格纳米材料及其制备方法
- 一种氧化锌/硫化锌超晶格纳米材料及其制备方法，它涉及超晶格纳米材料及其制备方法。本发明要解决现有CVD法制备纳米材料存在可控性差的问题。本发明的产物为沿着轴线方向具有三重对称的准一维纳米线，沿纳米线的轴线方向由氧化锌和硫...
- 张喜田高琼温静武立立高红
- 文献传递
