李凯
- 作品数：10 被引量：10H指数：2
- 供职机构：哈尔滨师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金黑龙江省教育厅科学技术研究项目黑龙江省研究生创新科研项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信生物学更多>>
- In掺杂ZnO纳米带电学性质的研究
- 2012年
- 利用化学气相沉积法成功合成了In掺杂ZnO纳米带.通过扫描电子显微镜、X射线能谱仪对样品进行表征.利用微栅模板法制备欧姆接触的光电器件,研究了器件的伏安特性曲线及紫外光敏特性.结果表明,In掺杂ZnO纳米带的导电能力远远高于纯ZnO纳米带,电阻仅为纯ZnO纳米带的1/50,但是其光敏特性不及纯ZnO纳米带,开关比仅为纯ZnO纳米带的1/20.
- 潘思明高红郎颖李凯唐欣月顾海佳
- 关键词：伏安特性光响应
- 低温下单根In掺杂ZnO纳米带电学性质的研究
- 2012年
- 采用化学气相沉积(CVD)的方法合成了In掺杂ZnO纳米带,并且用简单、廉价的微栅模板法为单根纳米带制作了微电极,研究了在室温到20 K低温范围内单根In掺杂ZnO纳米带电阻随温度的变化.结果表明,在140～290 K区间单根ZnO∶In纳米带电子输运机制符合热激活输运机制.
- 李铭杰李江禄李凯
- 关键词：纳米带
- 一种高寒地区薰衣草高效繁育方法
- 一种高寒地区薰衣草高效繁育方法，本发明属于芳香植物的栽培生产领域，它为了解决现有北方寒冷地区薰衣草的繁育成活率较低的问题。高效繁育方法：一、种子的收集与保存；二、消毒后的薰衣草种子放入GA<Sub>3</Sub>中，控温...
- 苑泽宁刘祎男常铭阳李凯杨硕闫爽
- 退火温度对In2O3(ZnO)m超晶格纳米线的拉曼光谱的影响被引量：3
- 2013年
- 采用化学气相沉积方法,在硅衬底上合成了In2O3(ZnO)m超晶格纳米线。扫描电镜的测试结果表明,纳米线的直径和长度分别在80～100 nm和15～25μm之间。透射电镜图像显示,In-O层与In/Zn-O block沿纳米线生长方向<0001>交替堆垛。在不同温度下对样品进行退火并利用拉曼散射技术对处理后的样品进行研究。研究结果发现随退火温度的提高,材料中的VO和Zni减少,AM模和A1(LO)模的逐渐频移到571 cm-1和619 cm-1位置,峰型对称性增强,即退火使In2O3(ZnO)m超晶格纳米线的晶体质量明显提高。最佳的退火温度为1000℃。
- 李凯温静赵振宇
- 关键词：退火拉曼散射
- 共振激发量子点在非共振量子点-腔耦合结构性质的研究
- 2013年
- 提出了在非共振量子点-腔耦合结构中有一共振激发量子点的模型.采用量子主方程方法计算平均光子数、平均声子数、光子数分布和二阶相关度随时间演化,来研究该系统的量子统计和相干性质.分别讨论了光子数分布和二阶相关度随原子自发辐射率、腔场衰减率及平均声子数改变的时间演化行为.研究表明无论好腔条件下还是坏腔条件下,腔场内的光子都成亚泊松分布.好腔条件下反群聚性不明显,但在坏腔情况下表现出明显的反群聚性.该体系的声子数均没有明显的变化.
- 张艳平吕树臣李凯王顺利
- 关键词：量子主方程光子数分布亚泊松分布
- 狭叶薰衣草(Lavandula angustifolia Mill.)适应高寒地区生长的生理生态机制研究被引量：5
- 2020年
- 为研究狭叶薰衣草(Lavandula angustifolia Mill.)在哈尔滨地区生长的耐寒机制,以其根、枝条、叶片为试验材料,分别检测在春、夏、秋、冬不同季节的生理指标变化,结合营养生长期间枝条、叶片生长变异性和相关性,分析其耐寒的生理生态特性.结果表明:秋季薰衣草叶片和冬季枝条中POD活性显著上升,冬季枝条和叶片中CAT活性显著升高,对低温胁迫造成的损伤发挥了保护作用.在春季植物返青时,细胞内的SOD活性和脯氨酸含量显著升高,发挥抗氧化和渗透调节作用,利于幼苗生长.冬季来临时,根、枝条和叶片中的脯氨酸和可溶性糖含量显著升高,发挥保护细胞增强耐寒性的作用.薰衣草根系和枝条的耐寒性优于叶片,根系、枝条和叶片发挥了不同的抗寒作用.在薰衣草营养生长期间,枝条与叶片生长的相互关系均体现出异速生长规律.枝条与叶片生长的变异性降低,对环境适应性增强,枝条生长的变异性小于叶片生长的变异性,薰衣草从幼苗生长到成熟植株的过程中,叶片对环境变化比枝条更敏感,表型可塑性大.叶片生长对枝条影响的决定系数(R2)大于枝条生长对叶片的影响,表明薰衣草叶片生长对植株的影响更为明显,通过叶片生长的调整提高枝条生长的稳定性,利于植株形态建成,体现出对环境的适应特性.
- 车韦才孙宇婷梁雨晨李凯董世晨郑国斌苑泽宁
- 关键词：耐寒性生理生态
- 低温下单根ZnO纳米带电学性质的研究被引量：2
- 2013年
- 用化学气相沉积法在硅衬底上合成了宽1μm左右、长数十微米的ZnO纳米带.采用微栅模板法得到单根ZnO纳米带半导体器件,由I-V特性曲线测得室温下ZnO纳米带电阻约3 M,电阻率约0.4·cm.研究了在20—280 K温度范围内单根ZnO纳米带电阻随温度的变化.结果表明:在不同温度区间内电阻随温度变化趋势明显不同,存在两种不同的输运机制.在130—280 K较高的温度范围内,单根ZnO纳米带电子输运机制符合热激活输运机制,随着温度继续降低(<130 K),近邻跳跃传导为主导输运机制.
- 李铭杰高红李江禄温静李凯张伟光
- 关键词：ZNO纳米带
- 退火温度对IZO超晶格纳米线的Raman性质的影响研究
- 透明半导体氧化物作为重要的光电子信息材料，在太阳能电池、发光器件、电子元件等领域有着广泛的应用。其中，宽禁带半导体ZnO纳米材料的制备及应用是当今材料领域的研究热点之一。由于在ZnO中掺入Ⅲ族元素可能引起微观结构的变化，...
- 李凯
- 关键词：退火拉曼散射
- 文献传递
- 拉曼分析热处理对IZO超晶格缺陷的影响
- 李凯张喜田
- 关键词：超晶格拉曼光谱
- 高质量单晶In_2Ge_2O_7纳米带的合成和生长机制探究
- 2013年
- 采用CVD法成功合成了高质量单晶In2Ge2O7纳米带,采用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)图像以及X射线衍射(XRD),能谱元素分布图像等对产物进行了表征。结果表明,生长的纳米带长几十微米、厚度50 nm,几乎没有缺陷且In,Ge,O元素分布均匀。此外,基于热力学原理对单晶纳米带的生长机制进行了讨论。
- 马新志张佳音刘欣温静高琼李凯牟洪臣
- 关键词：纳米带
