您的位置： 专家智库 > >

曹育文

作品数：6 被引量：114H指数：5
供职机构：清华大学材料科学与工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：金属学及工艺电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇金属学及工艺
  • 5篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 4篇引线
  • 4篇引线框
  • 4篇引线框架
  • 4篇合金
  • 3篇电路
  • 3篇铜合金
  • 3篇集成电路
  • 1篇导电
  • 1篇导电率
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇钝化
  • 1篇钝化膜
  • 1篇形变
  • 1篇形变热处理
  • 1篇蚀刻
  • 1篇钎焊
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束辅助
  • 1篇离子束辅助沉...

机构

  • 6篇清华大学
  • 1篇中国有色金属...

作者

  • 6篇曹育文
  • 5篇唐祥云
  • 4篇马莒生
  • 1篇蔡坚
  • 1篇王碧文
  • 1篇王谦
  • 1篇何建宏

传媒

  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇功能材料
  • 1篇上海有色金属
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇金属热处理学...

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1995
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
引线框架用铜合金与Sn-Pb共晶焊料界面组织研究被引量：10
2000年
研究了四种国产引线框架用铜合金与Sn -Pb共晶焊料的界面结构及其在高温保温过程中的变化。发现了铜合金中的微量Zn元素会在铜合金与焊料的界面富集 ,这种富集可以阻碍原子在界面的扩散 ,延缓金属间化合物层的增厚 ,从而可以改善铜合金与焊料的焊点的耐疲劳性能。
王谦Shi-Wei qicky Lee曹育文唐祥云马莒生
关键词：铜合金焊点引线框架
全文增补中
引线框架用CuNiSi合金形变热处理工艺研究被引量：14
1999年
铜镍硅合金要同时获得良好的强度和导电率必须通过适当的热处理。Ｃｕ１０％Ｎｉ０２５％Ｓｉ、Ｃｕ３２％Ｎｉ０７５％Ｓｉ合金的热处理工艺表明，在研究范围内，固溶处理与否对材料性能影响较小；在同样热处理工艺下，Ｎｉ。
王世民李红王涛曹育文
关键词：形变热处理导电率
用离子束辅助沉积对Si进行金属化
1995年
本文用ＩＢＡＤ──ＰＶＤ复合方法在单晶硅上制备了Ｃｒ／Ｎｉ复合金属化层，研究了沉积工艺条件及退火对薄膜的界面结合强度和电阻率的影响，获得了界面结合强度高、电阻率低、抗热震性能好的Ｃｒ／Ｎｉ复合金属化膜，界面结合强度可达３１ＭＰａ。
何建宏曹育文唐祥云
关键词：集成电路硅金属化离子束辅助沉积VLSI
QFe2.5型引线框架用铜合金热处理工艺研究被引量：22
1998年
研究了国产QFe2 5型引线框架用铜合金的生产工艺。通过热轧后对板材进行喷水处理和采取分级时效 ,显著提高了QFe2 5型合金的性能 ;利用光学显微镜、SEM和TEM等手段研究了热处理工艺对合金微观组织的影响 。
曹育文马莒生唐祥云王碧文王世民李红
关键词：铜合金引线框架集成电路
Cu-Ni-Si系引线框架用铜合金成分设计被引量：66
1999年
研究了合金元素对ＣｕＮｉＳｉ 系列引线框架用铜合金性能的影响。发现合金中时效析出物具有与δＮｉ２Ｓｉ 相似的晶体结构，Ｎｉ 及Ｓｉ 元素含量对材料硬度和电导率有很大影响。当Ｎｉ 及Ｓｉ 元素含量增大时， 由于析出物数量增多， 材料硬度增加； 当Ｎｉ 与Ｓｉ 原子数之比小于２ 时， 材料电导率明显下降，这是由于过剩Ｓｉ 元素以固溶原子形式存在， 强烈损害材料电导率的结果。加入Ｚｎ 元素后， 保温过程中Ｚｎ 元素在合金与ＳｎＰｂ 共晶焊料界面处偏聚， 阻碍脆性金属间化合物层的形成， 在４２５ Ｋ 保温１ ０００ ｈ后， 铜合金与焊料间结合良好。
曹育文马莒生唐祥云王碧文王世民李红
关键词：引线框架铜合金电导率钎焊合金设计
Cu 在 FeCl_3 溶液中的蚀刻研究被引量：9
1998年
研究了ＦｅＣｌ３溶液浓度、温度及样品在溶液中的运动速度对Ｃｕ蚀刻速度的影响。在所研究的溶液浓度范围内，蚀刻过程为扩散控制为主的过程；在溶液相对密度为１．２６～１．３２时Ｃｕ的蚀刻速度具有极值。Ｃｕ在ＦｅＣｌ３溶液中蚀刻其表面有ＣｕＣｌ膜的沉积，钝化膜对Ｃｕ的蚀刻有大的影响；蚀刻反应受Ｆｅ３＋通过钝化膜的扩散过程控制。试验拟定了初步的蚀刻工艺。
蔡坚马莒生曹育文唐祥云
关键词：铜蚀刻钝化膜集成电路
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0