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戴斌

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇电极
  • 4篇空间电荷区
  • 3篇纳米
  • 2篇电容耦合
  • 2篇压焊
  • 2篇压阻
  • 2篇掩模
  • 2篇应力
  • 2篇应力释放
  • 2篇阵列
  • 2篇阵列结构
  • 2篇质量传感器
  • 2篇自对准
  • 2篇微机械
  • 2篇敏感膜
  • 2篇阶梯形
  • 2篇结型
  • 2篇结型场效应
  • 2篇结型场效应晶...
  • 2篇金膜

机构

  • 9篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 9篇戴斌
  • 9篇杨恒
  • 8篇吴燕红
  • 6篇成海涛
  • 6篇李昕欣
  • 6篇王跃林
  • 4篇吴紫阳
  • 2篇丁萃
  • 1篇陆松涛

传媒

  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2011
  • 2篇2009
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法
本发明提出一种可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法，用于基于梁结构的谐振式痕量质量传感器。该结构包括梁结构、设置于梁结构上的若干微型柱状电极、设置于微型柱状电极上的<111>晶向占优的金膜、...
杨恒吴燕红成海涛戴斌吴紫阳
文献传递
一种垂直环绕栅结型场效应晶体管、制作方法及应用
本发明涉及一种垂直环绕删结型场效应晶体管、制作方法及应用。所述的场效应管包括源区、漏区、环绕栅、敏感栅、沟道以及源漏区压焊块或金属引线组成，其中源区和漏区通过沟道连接，敏感栅和环绕栅相连，环绕栅包围沟道的上、左、右三面，...
杨恒成海涛戴斌吴燕红李昕欣王跃林
文献传递
利用阶梯形电极实现纳米梁驱动与压阻检测结构及方法
本发明涉及利用阶梯形电极实现纳米梁驱动与压阻检测结构及方法。其特征在于纳米梁上部的金属电极为阶梯形，电极两端与纳米梁间的间隙小于100纳米，而中间部分的电极间隙在1－2微米。所述的阶梯形电极两端与纳米梁形成MIS电容结构...
杨恒吴燕红成海涛戴斌李昕欣王跃林
文献传递
一种垂直环绕栅结型场效应晶体管、制作方法及应用
本发明涉及一种垂直环绕栅结型场效应晶体管、制作方法及应用。所述的场效应管包括源区、漏区、环绕栅、敏感栅、沟道以及源漏区压焊块或金属引线组成，其中源区和漏区通过沟道连接，敏感栅和环绕栅相连，环绕栅包围沟道的上、左、右三面，...
杨恒成海涛戴斌吴燕红李昕欣王跃林
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采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构及制作方法
本发明涉及一种采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构与实现该压阻结构的自对准加工工艺。用于检测纳米梁位移。该结构用SOI硅片的顶层硅制作纳米梁，用硅衬底作为栅极，腐蚀去除梁与硅衬底间的埋层二氧化硅形成间隙，硅衬底、间隙与纳米...
杨恒吴燕红丁萃吴紫阳戴斌李昕欣王跃林
利用阶梯形电极实现纳米梁驱动与压阻检测结构及其制作方法与应用
本发明涉及利用阶梯形电极实现纳米梁驱动与压阻检测结构及方法。其特征在于纳米梁上部的金属电极为阶梯形，电极两端与纳米梁间的间隙小于100纳米，而中间部分的电极间隙在1-2微米。所述的阶梯形电极两端与纳米梁形成MIS电容结构...
杨恒吴燕红成海涛戴斌李昕欣王跃林
文献传递
可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法
本发明提出一种可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法，用于基于梁结构的谐振式痕量质量传感器。该结构包括梁结构、设置于梁结构上的若干微型柱状电极、设置于微型柱状电极上的<111>晶向占优的金膜、...
杨恒吴燕红成海涛戴斌吴紫阳
纳米梁的金硅原电池腐蚀和无损释放技术研究
2011年
采用金电极的硅纳米梁在通过HF湿法腐蚀S iO2牺牲层释放结构的时候会发生硅纳米梁被腐蚀现象,消除此效应对于纳米尺度梁制造非常重要。通过电化学工作站测量不同条件下金/硅在HF中的极化曲线和腐蚀电流,从定性和定量研究此腐蚀的原理和影响因素:金硅在HF中形成的原电池效应是此腐蚀的主要原因;改变金硅面积比和改变HF构成可以减缓此腐蚀。设计了一种简单可控的HF蒸气腐蚀装置彻底消除原电池腐蚀效应的影响,并实现了120 nm厚双端固支纳米梁的无损释放。
戴斌杨恒陆松涛
关键词：氢氟酸原电池腐蚀
采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构的制作方法
本发明涉及一种采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构与实现该压阻结构的自对准加工工艺。用于检测纳米梁位移。该结构用SOI硅片的顶层硅制作纳米梁，用硅衬底作为栅极，腐蚀去除梁与硅衬底间的埋层二氧化硅形成间隙，硅衬底、间隙与纳米...
杨恒吴燕红丁萃吴紫阳戴斌李昕欣王跃林
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