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张玉生

作品数：5 被引量：7H指数：2
供职机构：山东工业大学数理系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇半导体
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 1篇单模
  • 1篇单模激光
  • 1篇单模激光器
  • 1篇电阻
  • 1篇液相外延
  • 1篇液相外延生长
  • 1篇异质结
  • 1篇砷化镓
  • 1篇双异质结
  • 1篇双异质结激光...
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇氯金酸
  • 1篇接触电阻
  • 1篇金合金
  • 1篇晶片
  • 1篇扩散
  • 1篇合金

机构

  • 5篇山东工业大学

作者

  • 5篇张玉生
  • 3篇许汝民
  • 3篇刘东红
  • 2篇张福厚
  • 2篇高建华
  • 2篇戴瑛
  • 1篇张光春
  • 1篇孟繁民
  • 1篇李月芬

传媒

  • 5篇山东工业大学...

年份

  • 2篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1991
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
氯金酸金扩散及分析被引量：1
1991年
探讨采用氯金酸金扩散代替惯用的蒸金扩散工艺。利用正向开路电压衰减法测量了扩金后的少子寿命并近似地估算了掺金浓度。利用X射线衍射仪对蒸金和涂敷氯金酸扩散的情况进行了X射线衍射峰谱的对比分析。结果表明所用的氯金酸是一种节能常源性能良好的扩散源。
张玉生许汝民
关键词：氯金酸金扩散半导体工艺
高频MOSC－V特性测量中异常现象分析被引量：2
1995年
高频ＭＯＳＣ－Ｖ特性测量中异常现象分析张光春，曲果丽，许汝民，张玉生（山东工业大学电子工程系济南２５００１４）ＭＯＳ结构的Ｃ－Ｖ分析技术在半导体工艺控制和测量中，已经得到广泛应用，通过Ｃ－Ｖ特性测量分析半导体材料及其表面的性能，可获得有关半导体的多种...
张光春曲果丽许汝民张玉生
关键词：MOS结构C-V特性半导体
H_2SO_4-H_2O_2-H_2O对GaAs晶片的择优腐蚀
1993年
为研制具有沟道衬底的单模激光器,讨论了H_2SO_4-H_2O_2-H_2O对GaAs晶片的择优腐蚀。实验证明,使用H_2SO_4∶H_2O_2∶H_2O=1∶8∶8腐蚀液,在GaAs(100)面上沿[011]和[01(?)]方向开槽分别获得燕尾槽和V型槽衬底,满足了器件设计的要求。
刘东红张玉生戴英张福厚高建华李月芬
关键词：晶片单模激光器
双异质结半导体激光器（DHL）的研制
1995年
采用液相外延（ＬＰＥ）技术成功地研制出室温脉冲激发的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａｌ－ｘＡｓ双异质结激光器．脉冲电压３０Ｖ，频率１０ｋＨｚ，脉冲宽度约１μｓ，脉冲功率约１０ｍＷ，波长８５６．７ｎｍ．较详细地介绍了器件制作的后工艺过程．
刘东红张福厚高建华戴瑛孟繁民张玉生
关键词：双异质结激光器液相外延生长半导体激光器
AuGeNi／n－GaAs欧姆接触实验研究被引量：4
1994年
优良的Ｍ－Ｓ欧姆接触，对于用Ⅲ～Ⅳ族元素化合物制造光电子器件，微波振荡器及微波电路的参数和稳定度是重要的，本工艺实验采用在真空系统中进行共晶的Ａｎ－Ｇｅ合金，利用ＡｕＧｅＮｉ合金组分实现在ｎ－ＧａＡｓ衬底上的欧姆接触．并结合资料，对完成的ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ的低欧姆接触机理进行了分析．
张玉生许汝民刘东红戴瑛孟繁珉
关键词：金合金砷化镓接触电阻半导体欧姆接触
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