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许汝民

作品数：3 被引量：7H指数：2
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合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇半导体
  • 1篇电阻
  • 1篇砷化镓
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇氯金酸
  • 1篇接触电阻
  • 1篇金合金
  • 1篇扩散
  • 1篇合金
  • 1篇高频
  • 1篇半导体工艺
  • 1篇金
  • 1篇C-V特性
  • 1篇MOS
  • 1篇MOS结构
  • 1篇触电
  • 1篇N-GAAS

机构

  • 3篇山东工业大学

作者

  • 3篇许汝民
  • 3篇张玉生
  • 1篇张光春
  • 1篇刘东红
  • 1篇戴瑛

传媒

  • 3篇山东工业大学...

年份

  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1991
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
氯金酸金扩散及分析被引量：1
1991年
探讨采用氯金酸金扩散代替惯用的蒸金扩散工艺。利用正向开路电压衰减法测量了扩金后的少子寿命并近似地估算了掺金浓度。利用X射线衍射仪对蒸金和涂敷氯金酸扩散的情况进行了X射线衍射峰谱的对比分析。结果表明所用的氯金酸是一种节能常源性能良好的扩散源。
张玉生许汝民
关键词：氯金酸金扩散半导体工艺
高频MOSC－V特性测量中异常现象分析被引量：2
1995年
高频ＭＯＳＣ－Ｖ特性测量中异常现象分析张光春，曲果丽，许汝民，张玉生（山东工业大学电子工程系济南２５００１４）ＭＯＳ结构的Ｃ－Ｖ分析技术在半导体工艺控制和测量中，已经得到广泛应用，通过Ｃ－Ｖ特性测量分析半导体材料及其表面的性能，可获得有关半导体的多种...
张光春曲果丽许汝民张玉生
关键词：MOS结构C-V特性半导体
AuGeNi／n－GaAs欧姆接触实验研究被引量：4
1994年
优良的Ｍ－Ｓ欧姆接触，对于用Ⅲ～Ⅳ族元素化合物制造光电子器件，微波振荡器及微波电路的参数和稳定度是重要的，本工艺实验采用在真空系统中进行共晶的Ａｎ－Ｇｅ合金，利用ＡｕＧｅＮｉ合金组分实现在ｎ－ＧａＡｓ衬底上的欧姆接触．并结合资料，对完成的ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ的低欧姆接触机理进行了分析．
张玉生许汝民刘东红戴瑛孟繁珉
关键词：金合金砷化镓接触电阻半导体欧姆接触
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