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许汝民
作品数:
3
被引量:7
H指数:2
供职机构:
山东工业大学图书馆
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张玉生
山东工业大学图书馆
戴瑛
山东工业大学图书馆
刘东红
山东工业大学图书馆
张光春
山东工业大学图书馆
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电子电信
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半导体
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砷化镓
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欧姆接触
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氯金酸
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接触电阻
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机构
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山东工业大学
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许汝民
3篇
张玉生
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张光春
1篇
刘东红
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戴瑛
传媒
3篇
山东工业大学...
年份
1篇
1995
1篇
1994
1篇
1991
共
3
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氯金酸金扩散及分析
被引量:1
1991年
探讨采用氯金酸金扩散代替惯用的蒸金扩散工艺。利用正向开路电压衰减法测量了扩金后的少子寿命并近似地估算了掺金浓度。利用X射线衍射仪对蒸金和涂敷氯金酸扩散的情况进行了X射线衍射峰谱的对比分析。结果表明所用的氯金酸是一种节能常源性能良好的扩散源。
张玉生
许汝民
关键词:
氯金酸
金
扩散
半导体工艺
高频MOSC-V特性测量中异常现象分析
被引量:2
1995年
高频MOSC-V特性测量中异常现象分析张光春,曲果丽,许汝民,张玉生(山东工业大学电子工程系济南250014)MOS结构的C-V分析技术在半导体工艺控制和测量中,已经得到广泛应用,通过C-V特性测量分析半导体材料及其表面的性能,可获得有关半导体的多种...
张光春
曲果丽
许汝民
张玉生
关键词:
MOS结构
C-V特性
半导体
AuGeNi/n-GaAs欧姆接触实验研究
被引量:4
1994年
优良的M-S欧姆接触,对于用Ⅲ~Ⅳ族元素化合物制造光电子器件,微波振荡器及微波电路的参数和稳定度是重要的,本工艺实验采用在真空系统中进行共晶的An-Ge合金,利用AuGeNi合金组分实现在n-GaAs衬底上的欧姆接触.并结合资料,对完成的AuGeNi/n-GaAs的低欧姆接触机理进行了分析.
张玉生
许汝民
刘东红
戴瑛
孟繁珉
关键词:
金合金
砷化镓
接触电阻
半导体
欧姆接触
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