张广英
- 作品数：6 被引量：9H指数：2
- 供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- ECR-PECVD低温沉积多晶硅薄膜及其结构研究
- 采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECVD)方法,以 SiH和 H为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜。利用 XRD、Raman 光谱和 TEM 研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜的影响。通...
- 邓婉婷吴爱民张广英秦富文董闯姜辛
- 关键词：ECR-PECVD多晶硅薄膜晶化率
- 文献传递
- 氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌
- 利用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术,以氮气为等离子体气源,硅烷为前驱气体在玻璃衬底上低温沉积了氮化硅薄膜.采用偏振光椭圆率测量仪、原子力显微镜(AFM)测试技术对薄膜的沉积速率、折射率、...
- 张广英吴爱民秦福文公发全姜辛
- 关键词：氮化硅薄膜沉积速率表面形貌电子回旋共振化学气相沉积等离子体增强
- 文献传递
- 玻璃衬底沉积氮化硅薄膜性能研究被引量：3
- 2009年
- 为了改善玻璃衬底上制备的薄膜太阳电池的转换效率,采用高纯氮气作为等离子体气源,以质量分数为5%的SiH4(Ar稀释)作为前驱气源,利用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃衬底上低温制备了氮化硅薄膜;利用各种测试设备分析了薄膜的成分、光学性能和表面形貌.结果表明:实验制备的非晶薄膜含氢量较低;薄膜的折射率随着衬底温度和微波功率的增加而增加.在衬底温度为350℃、微波功率为650W时,薄膜的折射率在2.0左右,平均粗糙度为1.45nm,还说明薄膜具有良好的光学性能和较高的表面质量.在此条件下,薄膜的沉积速率达到10.7nm/min,表明本实验能在较高的沉积速率下制备均匀、平整、优质的SiN薄膜.
- 张广英吴爱民秦福文姜辛
- 关键词：氮化硅减反射膜
- 多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积低温制备工艺
- 2007年
- 采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)取向择优生长,少数条件下会呈现(111)择优取向.当衬底温度为300℃、H2流速为25 mL/min、微波功率为600 W时,多晶硅薄膜结晶状态最好,且呈最佳的(220)取向.
- 邓婉婷吴爱民张广英秦富文董闯姜辛
- 关键词：多晶硅薄膜
- 氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌被引量：1
- 2009年
- 采用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积（ECR—PECVD）技术，以氮气为等离子体气源，5％硅烷（Ar稀释）为前驱气体，在玻璃衬底上低温制备了氮化硅薄膜。利用偏振光椭圆率测量仪、原子力显微镜（AFM）等测试技术分析探讨了硅烷流量（5～50cm^3）、沉积温度（150～350℃）以及微波功率（500～650W）等对SiN薄膜沉积速率及表面形貌的影响。结果表明：沉积速率随着硅烷流量和微波功率的增加而增加（最高达到11．07nm／min），随着衬底温度的增加而降低，在温度为350℃时降低到2．44nm／min。薄膜的粗糙度随着衬底温度和微波功率的增加而降低，粗糙度最低为0．89nm，说明薄膜的表面质量较高。
- 张广英吴爱民秦福文公发全姜辛
- 关键词：氮化硅薄膜沉积速率表面形貌
- 氮化硅薄膜制备及其相关特性研究
- 氮化硅薄膜具有高的化学稳定性、高电阻率、绝缘性好、硬度高、光学性能良好等特性，在半导体器件、微电子工业、光电子工业、太阳能电池等方面具有广泛的应用。近年来，氮化硅薄膜作为太阳能电池的减反射膜越来越引起人们的关注。作为减反...
- 张广英
- 关键词：氮化硅薄膜减反射膜PECVD光学性能化学气相沉积
- 文献传递
