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宋凯

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：天津理工大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇存储器
  • 2篇导热性
  • 2篇叠层
  • 2篇叠层结构
  • 2篇氧化物
  • 2篇氧化锌
  • 2篇转换层
  • 2篇N型
  • 2篇层结构
  • 1篇单极性
  • 1篇电极
  • 1篇电极材料
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇量产
  • 1篇开关
  • 1篇开关特性

机构

  • 4篇天津理工大学

作者

  • 4篇宋凯
  • 3篇王芳
  • 3篇张楷亮
  • 2篇王兰兰
  • 2篇赵金石
  • 1篇苗银萍
  • 1篇刘凯

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种基于氧化锌的极性可控阻变存储器及其制备方法
一种基于氧化锌的极性可控阻变存储器，由SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底、粘附层、下电极、具有电阻转变特性的氧化锌薄膜、上电极和保护层构成，粘附层厚度为5-20nm、下电极厚度为5-100nm、具有电阻转变特性的氧...
张楷亮宋凯王芳刘凯苗银萍
文献传递
基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器及其制备方法
一种基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器，由下电极、阻变转换层和上电极构成，阻变转换层为改性的PN型氧化物叠层结构，P/N型氧化物叠层厚度＜200nm，掺杂浓度＜5at.％。本发明的优越性在于采用P/N型氧化物叠层结构...
张楷亮宋凯王芳王兰兰赵金石
文献传递
氧化锌基阻变器件的构建及其开关特性研究
近年来,由于存储器的快速发展,鉴于传统非挥发性Flaslii存储器在集成电路工艺32nm以下时技术节点的发展瓶颈,新型非挥发阻变存储器RRAM以其特征尺寸小、存储单元结构简单、读写速度更快、集成度更高、更低功耗,与现有半...
宋凯
关键词：氧化锌开关特性
基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器及其制备方法
一种基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器，由下电极、阻变转换层和上电极构成，阻变转换层为改性的PN型氧化物叠层结构，P/N型氧化物叠层厚度＜200nm，掺杂浓度＜5at.％。本发明的优越性在于采用P/N型氧化物叠层结构...
张楷亮宋凯王芳王兰兰赵金石
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