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叶显

作品数：10 被引量：2H指数：1
供职机构：北京邮电大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 9篇纳米
  • 7篇纳米线
  • 7篇金属
  • 6篇金属纳米
  • 6篇金属纳米颗粒
  • 6篇晶格
  • 6篇晶格失配
  • 4篇晶体
  • 4篇晶体质量
  • 4篇光电
  • 4篇光电子
  • 4篇衬底
  • 4篇衬底材料
  • 2篇电子器件
  • 2篇液固
  • 2篇外延层
  • 2篇理论与实验研...
  • 2篇金属薄膜
  • 2篇金属颗粒
  • 2篇晶格常数

机构

  • 10篇北京邮电大学

作者

  • 10篇叶显
  • 8篇黄永清
  • 8篇黄辉
  • 8篇任晓敏
  • 6篇王琦
  • 6篇蔡世伟
  • 6篇郭经纬
  • 2篇吕吉贺
  • 2篇张霞
  • 2篇王琦
  • 1篇王伟

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇1900
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究被引量：2
2011年
利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长,生长的含有InxGa1-xAs组分渐变缓冲段的InAs/InxGa1-xAs/GaAs三段式纳米线异质结构在轴向上串接生长而形成双异质结构.通过插入三元化合物InxGa1-xAs渐变缓冲段可以有效的克服界面能差异和晶格失配带来的负面影响,提高纳米线的晶体质量和生长可控性.
叶显黄辉任晓敏郭经纬黄永清王琦张霞
关键词：INXGA1-XAS
异质纳米线制备方法
本发明提供一种基于组分变化结构的异质兼容纳米线的外延生长方法，其中纳米线由不同晶格常数的各种材料的沿单一轴向串接而成，所述方法包括如下步骤：a.在衬底上形成金属纳米颗粒；b.以所述金属纳米颗粒作为催化剂，在所述有金属颗粒...
黄辉任晓敏叶显郭经纬蔡世伟黄永清王琦
文献传递
III-V族半导体纳米线及相关异质结构的理论与实验研究
叶显
关键词：纳米线生长动力学
纳米线异质外延生长方法
本发明涉及一种纳米线异质外延生长方法，其中纳米线材料与衬底材料间存在晶格失配，包括如下步骤：a、在衬底上生长缓冲层，该缓冲层材料与纳米线材料的晶格失配度小于10％；b、在上述缓冲层上沉淀金属纳米颗粒或金属薄膜，退火，使金...
任晓敏黄辉郭经纬叶显王琦蔡世伟黄永清
文献传递
Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线及相关异质结构的理论与实验研究
本论文工作是围绕课题组承担的国家重点基础研究发展规划（973计划）项目（No：2010CB327600）、国家863计划项目（No：2009AA03Z405，2009AA03Z417）、高等学校学科创新引智计划（No：B...
叶显
关键词：半导体纳米线
文献传递
一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺
本发明提供一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺。其中衬底材料与外延层材料之间存在晶格失配，且外延层的形成包括四个阶段：首先在衬底上形成金属纳米颗粒；接着生长纳米线；然后沉淀掩膜层并使得纳米线的上部露出；最后以露出的纳米...
任晓敏黄辉叶显吕吉贺蔡世伟黄永清王琦
文献传递
一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺
本发明提供一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺。其中衬底材料与外延层材料之间存在晶格失配，且外延层的形成包括四个阶段：首先在衬底上形成金属纳米颗粒；接着生长纳米线；然后沉淀掩膜层并使得纳米线的上部露出；最后以露出的纳米...
任晓敏黄辉叶显吕吉贺蔡世伟黄永清王琦
文献传递
温度对基于金辅助金属氧化物化学气相沉积生长的GaAs纳米线影响
近年来,由于纳米线所具有的新颖的物理特性,使其在电子学和光学等领域有着广阔的应用前景,引起了广泛关注。利用金辅助的金属氧化物化学气相沉积法在气-液-固生长机制下GaAs（111）B衬底上生长了GaAs纳米线。研究了三个生...
郭经纬黄辉叶显任晓敏蔡世伟王伟王琦黄永清张霞
关键词：纳米线砷化镓
文献传递
异质纳米线制备方法
本发明提供一种基于组分变化结构的异质兼容纳米线的外延生长方法，其中纳米线由不同晶格常数的各种材料的沿单一轴向串接而成，所述方法包括如下步骤：a.在衬底上形成金属纳米颗粒；b.以所述金属纳米颗粒作为催化剂，在所述有金属颗粒...
黄辉任晓敏叶显郭经纬蔡世伟黄永清王琦
纳米线异质外延生长方法
本发明涉及一种纳米线异质外延生长方法，其中纳米线材料与衬底材料间存在晶格失配，包括如下步骤：a、在衬底上生长缓冲层，该缓冲层材料与纳米线材料的晶格失配度小于10％；b、在上述缓冲层上沉淀金属纳米颗粒或金属薄膜，退火，使金...
任晓敏黄辉郭经纬叶显王琦蔡世伟黄永清
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