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一种非平行反射镜构成的光学谐振腔和产生光谐振的方法: 本发明提供了一种非平行反射镜构成的光学谐振腔和产生光谐振的方法，所述光学谐振腔包括：顶部反射镜和底部反射镜，所述顶部反射镜和所述底部反射镜之间形成腔体，所述腔体内填充介质；所述顶部反射镜包括相对设置的两块平面反射镜，所述...; 黄永清段晓峰武刚李宫清张帅任晓敏刘凯毛少娟蔡世伟王欢欢

一种硅基III-V族纳米管与微米管及其制备方法: 本发明公开了一种硅基III-V族纳米管与微米管及其制备方法。纳米管与微米管是由单晶Si衬底上外延生长的III-V族应变半导体薄膜自卷曲所形成两端非封闭的圆柱形中空管状结构，其直径为1nm-100μm，其长度为1μm-1m...; 王琦王二洋李伯昌任晓敏贾志刚闫映策蔡世伟黄永清

InP/GaAs异质外延及异变InGaAs光探测器制备被引量：6: 2007年; 借助超薄低温InP缓冲层,在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层,在InP外延层中插入了15周期In0.93Ga0.07P/InP应变层超晶格(SLS),进一步阻断了失配位错穿透到晶体表面,提高了外延层的晶体质量,这样2.5μm厚InP外延层的双晶X射线衍射(DCXRD)ω扫描半高全宽(FWHM)值降低至219 arcsec,该InP外延层的室温光荧光(PL)谱线宽度仅为42 meV。在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘GaAs衬底上成功地制备出了长波长异变In0.53Ga0.47As PIN光电探测器,器件的台面面积为50μm×50μm,In0.53Ga0.47As吸收层厚度为300 nm,在3 V反偏压下器件的3 dB带宽达到了6 GHz,在1550 nm波长处器件的响应度达到了0.12 A/W,对应的外量子效率为9.6%。; 王琦任晓敏熊德平周静吕吉贺黄辉黄永清蔡世伟; 关键词：光探测器

一种混合集成光探测器及其制备方法: 本发明公开了一种混合集成光探测器及其制备方法，涉及光通信领域。所述混合集成光探测器包括：键合在一起的介质膜型滤波器和InGaAs光电二极管；所述介质膜型滤波器包括衬底，以及设置在衬底正面的介质膜层和设置在所述衬底背面的减...; 任晓敏范鑫烨段晓峰黄永清王琦张霞蔡世伟

并联多微环光波导探测器: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种并联多微环光波导探测器。所述探测器包括：滤波腔、由跑道型波导以及探测器芯片组成的探测腔，所述滤波腔由多个等间距设置的微环谐振器并联组成，所述跑道型波导将通过所述滤波腔的下路光信号传输给...; 任晓敏胡劲华段晓峰黄永清胡服全蔡世伟张霞王琦

光学滤波器: 本发明实施例提供了一种光学滤波器，包括：第一反射镜，以及至少包含一第二反射镜的法布里‑珀罗谐振腔，第一反射镜的反射率大于第一预设值；第二反射镜的中心波长位于第一反射镜的反射谱中以预设波长为中心的第一预设波长范围内；第一反...; 刘凯黄永清段晓峰任晓敏王琦蔡世伟位祺

一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺: 本发明提供一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺。其中衬底材料与外延层材料之间存在晶格失配，且外延层的形成包括四个阶段：首先在衬底上形成金属纳米颗粒；接着生长纳米线；然后沉淀掩膜层并使得纳米线的上部露出；最后以露出的纳米...; 任晓敏黄辉叶显吕吉贺蔡世伟黄永清王琦

单行载流子光电探测器芯片: 本发明提供一种单行载流子光电探测器芯片，涉及半导体光电器件技术领域，该单行载流子光电探测器芯片包括：自上而下依次排列的P型电极接触层、P型电子阻挡层、光吸收层、N型崖层、P型电场调控层、非特意掺杂收集层和N型电极接触层；...; 刘凯徐建波董晓雯段晓峰黄永清王琦任晓敏蔡世伟

一种柱状透镜、柱状分束透镜、光探测器及光探测器阵列: 本发明实施例提供一种柱状透镜、柱状分束透镜、光探测器及光探测器阵列，该柱状透镜包括：包括底层、氧化层和光栅层，所述柱状透镜为SOI结构，其中：所述氧化层设置在所述底层和所述光栅层之间；所述光栅层，用于对入射平行光进行相位...; 黄永清武刚刘凯段晓峰任晓敏蔡世伟王欢欢杨丹牛慧娟杜嘉薇

一种光探测器: 本发明公开了一种光探测器，自上而下包括光反射单元、光探测单元和滤波单元，光反射单元的中心、光探测单元的中心与滤波单元的中心位于同一直线上，光反射单元、光探测单元以及滤波单元关于直线镜像对称，光反射单元包含对称斜反射结构，...; 任晓敏李宫清段晓峰黄永清刘凯蔡世伟

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蔡世伟