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代红丽

作品数：9 被引量：3H指数：1
供职机构：天津理工大学电子信息工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇ZNO薄膜
  • 3篇溶胶
  • 3篇晶体
  • 3篇晶体结构
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇电阻
  • 2篇溶胶-凝胶法
  • 2篇通信
  • 2篇通信系统
  • 2篇涡旋
  • 2篇绝缘体上硅
  • 2篇光通信
  • 2篇复用
  • 2篇比导通电阻
  • 2篇槽栅
  • 2篇场板
  • 2篇传输介质
  • 2篇传输路径
  • 2篇新结构

机构

  • 6篇天津理工大学
  • 3篇西北大学
  • 3篇河北工业大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇天津大学

作者

  • 9篇代红丽
  • 3篇石艳梅
  • 3篇赵红东
  • 3篇王洛欣
  • 2篇代秀红
  • 2篇孙梅
  • 2篇张广林
  • 2篇刘继芝
  • 2篇褚立志
  • 2篇秦云
  • 1篇李明吉
  • 1篇姚素英
  • 1篇丁燕红
  • 1篇张卫华

传媒

  • 3篇天津理工大学...
  • 1篇物理学报
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2008
  • 1篇2006
共 9 条 记 录，以下是 1-9
全选 清除 导出
排序方式：
ZnO薄膜的正交实验设计及其分析被引量：1
2013年
采用溶胶-凝胶工艺在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜,考虑影响晶体质量的4个因素,应用正交实验法进行了工艺优化;利用X射线衍射仪对薄膜的晶体结构进行了分析讨论.结果表明,当陈化温度50℃、预处理温度200℃、退火温度650℃和Zn2+浓度0.35 mol/L时,ZnO薄膜的C轴择优取向度最高.
王洛欣代红丽
关键词：ZNO薄膜正交法晶体结构
溶胶—凝胶法制备ZnO薄膜的工艺优化及其发光性能研究
ZnO是一种新型的Ⅱ～Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料,与GaN具有相近的晶格常数和禁带宽度,作为一种短波长光电子器件的优良材料,ZnQ在光电子领域将有着大规模的应用,它优越的光电特性已经引起了研究人员的普遍关注。 ...
代红丽
关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶C轴取向光致发光
文献传递
具有纵向源极场板的绝缘体上硅器件新结构
2017年
采用软件仿真一系列横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Laterally double-diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)结构,为缓解绝缘体上硅(Silicon on insulator,SOI)器件的击穿电压VB和漂移区的比导通电阻Ron.sp之间的矛盾关系,提出了一种具有纵向源极场板的双槽SOI新结构。该结构首先采用槽栅结构,以降低比导通电阻Ron.sp;其次,在漂移区内引入SiO_2介质槽,以提高击穿电压VB;最后,在SiO_2介质槽中引入纵向源极场板,进行了电场重塑。通过仿真实验,获得器件表面电场、纵向电场曲线及器件击穿时的电势线和导通时的电流线等。结果表明,新结构的VB较传统LDMOS器件提高了121%,Ron.sp降低了9%,器件优值FOM值达到15.2 MW·cm^(-2)。
代红丽赵红东王洛欣石艳梅李明吉
关键词：绝缘体上硅击穿电压比导通电阻
Al掺杂对ZnO薄膜晶体结构的影响
2008年
采用溶胶-凝胶工艺在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜,利用X射线衍射仪对薄膜的晶体结构进行了分析讨论.结果表明,当掺杂量Al3+浓度增大时,晶体产生的张应力使晶格常数变大,衍射峰向小角度方向移动;相反,当Al3+浓度减小时,压应力使衍射峰向大角度方向移动.
代红丽秦云
关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶法晶体结构
一种涡旋光束强度复用通信系统
本发明一种涡旋光束强度复用通信系统，涉及用光通信作为传输路径的电通信系统，是两个拓扑电荷数<Image file="540188DEST_PATH_IMAGE001.GIF" he="5" imgContent="und...
赵红东孙梅代秀红褚立志张广林代红丽
一种槽栅槽源SOI LDMOS器件
一种槽栅槽源SOILDMOS器件，包括衬底层、埋氧层、有源半导体层、n<Sup>+</Sup>漏区、槽栅、栅氧层、介质埋层、槽源、源电极、栅电极、p阱和漏电极并组成SOILDMOS器件，p阱内设有n<Sup>+</Sup...
石艳梅刘继芝代红丽
文献传递
具有L型源极场板的双槽绝缘体上硅高压器件新结构被引量：2
2014年
为了提高小尺寸绝缘体上硅(SOI)器件的击穿电压,同时降低器件比导通电阻,提出了一种具有L型源极场板的双槽SOI高压器件新结构.该结构具有如下特征:首先,采用了槽栅结构,使电流纵向传导面积加宽,降低了器件的比导通电阻;其次,在漂移区引入了Si O2槽型介质层,该介质层的高电场使器件的击穿电压显著提高;第三,在槽型介质层中引入了L型源极场板,该场板调制了漂移区电场,使优化漂移区掺杂浓度大幅增加,降低了器件的比导通电阻.二维数值仿真结果表明:与传统SOI结构相比,在相同器件尺寸时,新结构的击穿电压提高了151%,比导通电阻降低了20%;在相同击穿电压时,比导通电阻降低了80%.与相同器件尺寸的双槽SOI结构相比,新结构保持了双槽SOI结构的高击穿电压特性,同时,比导通电阻降低了26%.
石艳梅刘继芝姚素英丁燕红张卫华代红丽
关键词：绝缘体上硅槽栅比导通电阻
一种涡旋光束强度复用通信系统
本发明一种涡旋光束强度复用通信系统，涉及用光通信作为传输路径的电通信系统，是两个拓扑电荷数<Image file="540188DEST_PATH_IMAGE001.GIF" he="8" imgContent="und...
赵红东孙梅代秀红褚立志张广林代红丽
文献传递
Mg掺杂ZnO薄膜的晶体结构分析
2013年
采用溶胶-凝胶工艺在Si(111)衬底上制备了MgxZn1-xO薄膜,利用X射线衍射仪对薄膜的晶体结构进行了分析讨论.结果表明,当掺杂量Mg2+浓度增大时,衍射峰向大角度方向移动;但MgxZn1-xO薄膜仍然是具有(002)择优取向的六方纤锌矿结构.
代红丽王洛欣秦云
关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶法晶体结构
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