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黄妍妍

作品数：22 被引量：5H指数：1
供职机构：河北工业大学更多>>
发文基金：国家中长期科技发展规划重大专项河北省高等学校科学技术研究指导项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇气相
  • 4篇外延层
  • 4篇化学机械抛光
  • 4篇机械抛光
  • 3篇电化学
  • 3篇电极
  • 3篇液晶
  • 3篇液晶屏
  • 3篇清洗剂
  • 3篇膜电极
  • 3篇金刚石膜电极
  • 3篇硅片
  • 3篇超声波清洗
  • 2篇电化学氧化
  • 2篇氧化液
  • 2篇液晶盒
  • 2篇有机物
  • 2篇铜布线
  • 2篇抛光
  • 2篇清洗方法

机构

  • 22篇河北工业大学
  • 1篇石家庄经济学...

作者

  • 22篇黄妍妍
  • 15篇刘玉岭
  • 13篇高宝红
  • 9篇檀柏梅
  • 8篇张建新
  • 3篇田巧伟
  • 3篇刘楠
  • 2篇王胜利
  • 2篇王娟
  • 2篇牛新环
  • 2篇康军广
  • 2篇何彦刚
  • 2篇边勇超
  • 2篇周建伟
  • 2篇苏伟东
  • 1篇苗娇
  • 1篇张凤全
  • 1篇张西慧
  • 1篇周强
  • 1篇周静

传媒

  • 2篇液晶与显示
  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2006
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
CMP专用纳米磨料生长粒径控制技术研究
刘玉岭王娟檀柏梅李薇薇张西慧周建伟张建新高金雍王胜利黄妍妍牛新环
该课题组粒径可控为微电子CMP多种用途提供了高质无污染、高纯、高浓度SiO_2纳米磨料，建立了硅溶胶生长机理，采用控制粒子数多级分次生长等液面法，制备出所需粒径范围内的产品，实现粒径可控生长；运用阳－阴－阳三步离子树脂交...
关键词：
关键词：硅溶胶粒径控制
一种适用于低下压力的铜化学机械精抛光液
本发明公开了一种适用于低下压力的铜化学机械精抛光液。本发明所述抛光液中包含研磨颗粒、络合剂、氧化剂，表面活性剂、抑菌剂和水，抑菌剂的含量为重量百分比0.001～1％；研磨颗粒含量为重量百分比3～15％；络合剂的含量为重量...
何彦刚王娟唐继英黄妍妍武鹏洪姣王胜利刘玉岭
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一种去除铜晶圆表面颗粒抑制电偶腐蚀的碱性清洗液
本发明为一种去除铜晶圆表面颗粒抑制电偶腐蚀的碱性清洗液。该清洗液的组成包括多元表面活性剂，以及螯合剂、抑制剂、pH调节剂和去离子水；各组分所占清洗液的质量百分比为：表面活性剂0.1～1wt％、螯合剂0.01～0.1wt％...
檀柏梅田思雨张男男王淇黄妍妍刘孟瑞王亚珍
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一种红外反射法测硅基图形片表面苯并三唑浓度的方法
本发明公开了一种红外反射法测硅基图形片表面苯并三唑（BTA）的方法。本发明按照下述步骤进行：将干燥后的苯并三唑分别配制成0.1mol/L-0.15mol/L、0.15mol/L-0.2mol/L、0.2mol/L-0.2...
潘国峰刘玉岭高宝红周建伟黄妍妍邵琳伟
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厚度一致的硅气相外延层的生长装置及生长方法
本发明公开了一种厚度一致的硅气相外延层的生长装置及生长方法，旨在提供一种外延层厚度一致，便于操作，效率高的硅气相外延层的生长装置及生长方法。该生长装置包括基座本体，在基座本体上有安放槽，安放槽底部的边缘有宽度为1～3mm...
刘玉岭张建新黄妍妍
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一种碱性集成电路布线抛光后低k介质清洗剂及其清洗方法
本发明为一种碱性集成电路布线抛光后低k介质清洗剂及其清洗方法。所述的清洗剂的组成包括非离子表面活性剂、两性表面活性剂、pH调节剂和去离子水，其中，非离子表面活性剂质量是水的质量的0.3％‑2％；两性表面活性剂的质量为去离...
高宝红曲里京黄妍妍张保国何彦刚
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厚度一致的硅气相外延层的生长装置及生长方法
本发明公开了一种厚度一致的硅气相外延层的生长装置及生长方法，旨在提供一种外延层厚度一致，便于操作，效率高的硅气相外延层的生长装置及生长方法。该生长装置包括基座本体，在基座本体上有安放槽，安放槽底部的边缘有宽度为1～3mm...
刘玉岭张建新黄妍妍
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金刚石膜电化学氧化液的制备及清洗技术研究被引量：1
2012年
提出了一种采用电化学去除硅片表面有机物的新的清洗方法,用金刚石膜电极作为阳极,电化学氧化硫酸铵溶液生成稳定的强氧化溶液,电解液的氧化性通过间接碘量法测量。通过大量实验,优化初始电解液的浓度以及初始温度等因素,得到氧化强度最佳的电化学清洗液。用自制氧化液进行硅片表面有机物的清洗实验,并与传统的RCA清洗方法进行对比。通过XPS分析可知,采用新的电化学氧化溶液清洗后的硅片表面有机物去除效果明显优于对比实验样品。
张艳檀柏梅高宝红刘玉岭黄妍妍
关键词：金刚石膜电极电化学有机物氧化液
液晶屏的清洗方法
本发明公开了一种液晶屏的清洗方法，旨在提供一种能够消除有机物及清洗剂残留，消除水基清洗的环保隐患，满足环保要求的清洗方法。在第一槽中放入液晶屏清洗剂，加热到50-60℃，将装有液晶屏的花篮浸泡在第一槽中，配合超声波或兆声...
刘玉岭高宝红檀柏梅黄妍妍
控制和消除硅气相外延层雾状微缺陷的方法
本发明公开了一种控制和消除硅气相外延层雾状微缺陷的方法，旨在提供一种有效消除雾状微缺陷，而且不增加成本以及工艺和设备的复杂性的控制硅气相外延层雾状微缺陷的方法。包括下述步骤：采用常规的化学机械抛光方法对硅衬底片进行双面抛...
刘玉岭张建新黄妍妍
文献传递
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