刘楠
- 作品数：8 被引量：6H指数：2
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：国家中长期科技发展规划重大专项河北省高等学校科学技术研究指导项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信环境科学与工程更多>>
- 多层铜布线表面CMP后颗粒去除研究被引量：3
- 2012年
- 针对目前清洗技术存在的问题进行了详细分析,研究了微电子材料表面污染物的来源及其危害,并介绍了表面活性剂在颗粒去除方面的作用。研究了化学机械抛光(CMP)后Cu布线片表面的颗粒吸附状态,分析了铜片表面颗粒的吸附机理。采用非离子表面活性剂润湿擦洗方法,使Cu表面的颗粒处于易清洗的物理吸附状态。利用金相显微镜和原子力显微镜(AFM)在清洗前后进行对比分析,实验采用聚乙烯醇(PVA)刷子分别对铜片和铜布线片进行清洗,发现非离子界面活性剂能够有效去除化学机械抛光后表面吸附的杂质,达到了较好的清洗效果。
- 杨飞檀柏梅高宝红苏伟东田巧伟刘楠
- 关键词：非离子表面活性剂
- 关于FA/O螯合剂降低铜布线片漏电流的研究被引量：1
- 2012年
- 简要论述了互连工艺中铜布线取代铝布线的必然趋势,以及铜布线片化学机械抛光(CMP)后进行清洗的必要性。在集成电路制造的过程中,漏电流的危害已经引起了广泛关注。在CMP过程中产生的三种主要表面缺陷对漏电流都有一定的影响,但其中重金属离子对漏电流的影响是最大的。通过使用不同浓度的FA/O螯合剂对铜布线片进行清洗,从而得出最佳的去除金属离子降低漏电流的清洗浓度。为了防止FA/O螯合剂对铜线条造成腐蚀,采用在清洗液中加入缓蚀剂苯并三氮唑(BTA)来有效控制铜线条的表面腐蚀,从而得到理想的清洗结果。25℃时,加入20 mmol/L BTA的体积分数为0.4%的FA/O螯合剂降低漏电流的效果最佳。
- 苏伟东刘玉岭高宝红黄妍妍田巧伟刘楠杨飞
- 关键词：漏电流
- 地下水石油污染动力学及预警研究——以大港油田为例
- 随着京津冀协同发展,天津滨海新区成为华北地区最主要的石化工业基地。在石油开发利用过程当中,由于“跑冒滴漏”使得石油入渗到地下含水层中,对地下水环境造成污染。本文以天津滨海新区大港油田石油开采过程中对地下水形成的石油污染为...
- 刘楠
- 关键词：地下水石油污染动力学预警
- 文献传递
- 石化工业地下水数值模拟及环境容量研究
- 随着京津冀的一体化发展,北京的产业结构逐渐转移,天津滨海新区成为华北石化工业基地,石油地质储存丰富,但在开采和利用过程中"跑冒滴漏"对地下水污染造成严重威胁。本文运用GMS软件建立三维可视化水文地质模型,并通过MT3DM...
- 刘楠董伟龙王志强
- 关键词：数值模拟地下水污染物运移环境容量
- 文献传递
- 硅衬底化学机械抛光后去除有机物残留的研究
- 2012年
- 化学机械抛光后,Si片表面残留有机物会影响清洗的综合效果,并会造成器件失效。针对上述问题提出了一种新的清洗方案,用金刚石膜电化学法制备氧化性强的过氧焦磷酸盐溶液,可有效氧化分解表面有机沾污,配合FA/O I型活性剂溶液进行预清洗,去除表面颗粒的同时降低了表面粗糙度。此外,过氧焦磷酸盐被还原成的焦磷酸盐具有很强的络合力,它能与Cu等金属离子络合,达到同时去除金属杂质的目的。研究了氧化液的体积分数对有机物清洗效果的影响,发现氧化液的体积分数为60%～100%时残留有机物去除效果最佳。作为一种新型的清洗方法,清洗效率高且成本低,操作简单可控且环保,符合新时期半导体清洗工艺的要求。
- 刘楠檀柏梅高宝红田巧伟杨志欣黄妍妍
- 关键词：有机物氧化液
- 微腐蚀去除硅衬底表面损伤及污染物研究
- 2012年
- 硅片CMP工艺会引入表面缺陷和沾污,通常采用NaOH和KOH作为腐蚀溶液,利用微腐蚀法将硅片表面的损伤污染层剥离,以免导致IC制备过程中产生二次缺陷,但会不可避免地引入金属离子。制备了一种用螯合剂和表面活性剂复配的新型清洗液,利用螯合剂对硅片表面损伤层进行微腐蚀,同时采用表面活性剂去除硅片表面吸附的微粒。经台阶仪和原子力显微镜检测,该清洗液能有效去除硅片表面损伤层和颗粒,同时螯合剂本身不含金属离子,并且对金属离子有螯合作用,可有效避免传统腐蚀液中金属离子带来的二次污染。
- 田巧伟檀柏梅高宝红黄妍妍刘楠苏伟东
- 关键词：化学腐蚀硅片清洗清洗液
