顾金宝
- 作品数：7 被引量：13H指数：2
- 供职机构：合肥工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- ZnO薄膜的制备与性能研究
- ZnO薄膜是一种具优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料，在透明导体、发光元件、太阳能电池窗口材料、光波导器、单色场发射显示器材料、高频压电转换、表面声波元件、微传感器以及低压压敏电阻器等方面具有广泛的用途。ZnO薄膜...
- 顾金宝
- 关键词：射频磁控溅射离子束溅射表面形貌
- 文献传递
- 射频磁控反应溅射制备ZnO/AlN双层膜的结构和性能
- 2008年
- 采用射频磁控反应溅射在Si(100)衬底上制备了ZnO/AlN双层膜。使用X射线衍射仪、原子力显微镜(AFM)、LCR测试仪及荧光分光光度计等仪器对样品进行了结构、表面形貌、导电性及荧光光谱的测试,并与相同工艺下制备的ZnO单层薄膜进行了对比研究。结果表明,ZnO/AlN双层膜的c轴择优取向性优于单层ZnO薄膜,薄膜应力更小,且为压应力,晶粒尺寸大于单层膜,表面粗糙度较小,并且其电阻率更低。荧光光谱显示,ZnO/AlN双层膜的结晶质量更好。
- 巫邵波李合琴王淑占顾金宝赵之明
- 关键词：射频磁控反应溅射缓冲层表面形貌电阻率荧光光谱
- 离子束溅射与射频溅射制备的ZnO薄膜的特性分析被引量：2
- 2007年
- 分别采用两种不同的方法制备了ZnO薄膜。①离子束溅射法(IBD),在Si(001)衬底上制备锌膜后在氧气氛炉中退火;②射频溅射法(RF),在Si(001)衬底上制备ZnO薄膜后在氧气氛炉中退火。利用X射线衍射仪和原子力显微镜(AFM)以及电感、电容、电阻综合测试仪(LCR)对两种方法制备的ZnO薄膜的结构、形貌和导电性进行了比较研究。结果表明,离子束溅射的锌膜经热氧化后得到的ZnO薄膜生长的单向性较差,表面粗糙度较大,薄膜的电阻率也比较高。
- 顾金宝李合琴赵之明
- 关键词：射频磁控溅射形貌
- 射频与直流磁控溅射制备DLC薄膜的工艺研究及特性对比被引量：1
- 2007年
- 采用直流与射频磁控溅射技术,用高纯石墨在单晶硅(100)表面制备了类金刚石薄膜(DLC)。采用拉曼光谱、扫描电镜分析了薄膜的结构、表面和截面形貌,以及与溅射工艺的关系,并且对溅射过程中粒子输运机理进行了解释。结果表明,2种溅射方法制备的薄膜均含有相当的sp3杂化碳原子。射频磁控溅射沉积的DLC薄膜所含sp3杂化碳原子的量要高于直流磁控溅射沉积的DLC薄膜,且薄膜质量优于直流磁控溅射沉积的DLC薄膜。
- 王淑占李合琴赵之明巫邵波顾金宝宋泽润
- 关键词：类金刚石薄膜射频磁控溅射直流磁控溅射
- 射频磁控溅射制备类金刚石薄膜的特性被引量：6
- 2006年
- 采用射频磁控溅射技术,用高纯石墨靶在单晶硅片、抛光不锈钢片上制备了类金刚石薄膜(DLC)。采用Raman光谱、原子力显微镜、显微硬度分析仪,表征了类金刚石薄膜的微观结构、表面形貌、硬度。结果表明,制备的类金刚石薄膜中含sp2、sp3杂化碳键,具有典型的类金刚石结构特征。计算表明,对应sp3杂化碳原子含量的ID1IG为3.18;薄膜的表面十分平整光滑,表面粗糙度极低,平均粗糙度Ra为0.17 nm;薄膜硬度可以高达30.8 GPa。
- 赵之明李合琴顾金宝宋泽润
- 关键词：射频磁控溅射类金刚石薄膜拉曼光谱原子力显微镜显微硬度
- 类金刚石薄膜的制备及其电阻率、光谱特性研究
- 2007年
- 采用射频磁控溅射法在单晶硅表面制备了类金刚石薄膜;对薄膜的电阻率进行了测量,研究了薄膜的溅射工艺参数,采用拉曼光谱、原子力显微镜、扫描电镜分析了薄膜的结构、表面形貌以及薄膜的截面形貌。结果表明,薄膜中含有sp2、sp3杂化碳原子,拉曼谱高斯拟合峰的ID/IG为3.67;薄膜的电阻率达6×103Ωcm。最佳溅射气压在0.4 Pa左右,最佳溅射功率在140 W左右;薄膜的表面平整光滑,平均粗糙度低达0.17 nm;SEM形貌表明薄膜由大量大小均匀的碳颗粒组成,薄膜内部十分致密,与基底结合很好。
- 赵之明李合琴顾金宝
- 关键词：类金刚石薄膜电阻率射频磁控溅射拉曼光谱
- 新型工艺制备ZnO薄膜的结构与形貌研究被引量：1
- 2007年
- 采用了一种新型工艺制备ZnO薄膜。新工艺采用二步法,首先在N型Si(100)衬底上用离子束沉积溅射一层金属Zn膜,然后通过热氧化金属Zn膜制备ZnO薄膜。通过X射线衍射、原子力显微镜对不同制备工艺下的ZnO薄膜进行结构与形貌的分析比较。研究表明,Zn膜的离子束溅射沉积时间、热氧化时间和辅助枪的离子束对热氧化后的ZnO薄膜再轰击处理对ZnO薄膜的结构与形貌都会产生影响。
- 曹冰何晓雄李合琴顾金宝赵之明刘炳龙
- 关键词：ZNO薄膜X射线衍射原子力显微镜
