巫邵波
- 作品数：5 被引量：16H指数：2
- 供职机构：合肥工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 射频磁控反应溅射制备ZnO/AlN双层膜的结构和性能
- 2008年
- 采用射频磁控反应溅射在Si(100)衬底上制备了ZnO/AlN双层膜。使用X射线衍射仪、原子力显微镜(AFM)、LCR测试仪及荧光分光光度计等仪器对样品进行了结构、表面形貌、导电性及荧光光谱的测试,并与相同工艺下制备的ZnO单层薄膜进行了对比研究。结果表明,ZnO/AlN双层膜的c轴择优取向性优于单层ZnO薄膜,薄膜应力更小,且为压应力,晶粒尺寸大于单层膜,表面粗糙度较小,并且其电阻率更低。荧光光谱显示,ZnO/AlN双层膜的结晶质量更好。
- 巫邵波李合琴王淑占顾金宝赵之明
- 关键词：射频磁控反应溅射缓冲层表面形貌电阻率荧光光谱
- 掺氮类金刚石薄膜的显微结构和光谱学研究被引量：12
- 2008年
- 本文利用射频磁控溅射法,以高纯N2、Ar混合气体为溅射气体,用高纯石墨靶在Si(100)基片上制备出掺氮的类金刚石薄膜(DLC∶N)。拉曼光谱(Raman)测试表明该薄膜仍然是类金刚石结构,对其进行拟合后得两个特征峰,分别是在1342.9 cm-1的D峰和1555.3 cm-1的G峰,ID/IG=0.45;X射线光电子能谱(XPS)表明薄膜含氮量为24%,XPS光谱的C1s和N1s的芯能级证实了薄膜中的碳氮进行了化合,形成了C-N、C=N、C≡N,说明薄膜中形成了非晶碳氮结构;傅里叶变换红外透射光谱(FTIR)也表明了薄膜中碳氮进行了化合;扫描电子显微镜(SEM)结果表明,实验所制备的薄膜表面均匀、致密、光滑,从横截面图像观察,薄膜与衬底结合紧密,薄膜的厚度大约为150 nm。
- 李合琴何晓雄王淑占巫邵波赵之明
- 关键词：射频磁控反应溅射掺氮类金刚石薄膜X射线光电子能谱扫描电子显微镜
- ZnO//AlN双层膜的制备与性能研究
- ZnO薄膜是一种直接带隙宽禁带/(3.37eV/)半导体材料，具有高的激子束缚能/(60meV/)。它在光电、压电、气敏、压敏等方面性能优异，热稳定性高，目前已在气敏器件、表面声波器件和压敏器件等方面得到较为广泛的应用。...
- 巫邵波
- 关键词：射频磁控溅射离子束溅射荧光光谱
- 文献传递
- 射频与直流磁控溅射制备DLC薄膜的工艺研究及特性对比被引量：1
- 2007年
- 采用直流与射频磁控溅射技术,用高纯石墨在单晶硅(100)表面制备了类金刚石薄膜(DLC)。采用拉曼光谱、扫描电镜分析了薄膜的结构、表面和截面形貌,以及与溅射工艺的关系,并且对溅射过程中粒子输运机理进行了解释。结果表明,2种溅射方法制备的薄膜均含有相当的sp3杂化碳原子。射频磁控溅射沉积的DLC薄膜所含sp3杂化碳原子的量要高于直流磁控溅射沉积的DLC薄膜,且薄膜质量优于直流磁控溅射沉积的DLC薄膜。
- 王淑占李合琴赵之明巫邵波顾金宝宋泽润
- 关键词：类金刚石薄膜射频磁控溅射直流磁控溅射
- 掺氮类金刚石薄膜的制备及其结构表征被引量：2
- 2008年
- 采用射频磁控反应溅射法,Ar气为溅射气体,N2气为反应气体,用高纯石墨靶在Si(100)片上制备了掺氮类金刚石薄膜,采用X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM),表征了掺氮类金刚石薄膜的微观结构、表面及截面形貌。Raman光谱结果表明,制备的掺氮类金刚石薄膜中含有特征峰D峰和G峰,分别位于1339.2 cm-1、1554.6 cm-1均向低波数段频移,具有典型的类金刚石结构特征;XPS光谱的C1s和N1s的芯能级证实了薄膜中的碳氮进行了化合,形成了C—N、C=N、C≡N,说明薄膜中形成了非晶碳氮结构;同时SEM结果表明实验所制备的薄膜表面均匀、致密、光滑,从截面照片观察,薄膜与衬底结合紧密,薄膜的厚度大约为150nm。
- 王淑占李合琴巫邵波赵之明宋泽润
- 关键词：射频磁控反应溅射掺氮类金刚石薄膜拉曼光谱X射线光电子能谱扫描电子显微镜
