雷达
- 作品数：21 被引量：67H指数：5
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金内蒙古自治区人才开发基金内蒙古自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信机械工程更多>>
- 基于阿基米德定律测量重力加速度被引量：10
- 2013年
- 基于阿基米德定律设计一种测量重力加速度的实验装置,对重力加速度进行测量.通过本实验得到的重力加速与当地重力加速度标准值的相对误差为0.14%,这为实验测量室重力加速度提供一种新方法。
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- 关键词：阿基米德定律重力加速度测力计
- 一种平行栅碳纳米管阵列阴极的场发射特性研究被引量：3
- 2013年
- 建立一种平行栅碳纳米管阵列阴极,利用悬浮球模型和镜像电荷法进行计算,给出碳纳米管顶端表面电场与电场增强因子的解析式.在此基础上,进一步分析器件各类参数以及接触电阻对阴极电子发射性能的影响.分析表明,碳纳米管间距大约为2倍碳纳米管高度时阵列阴极的分布密度最佳,靠边缘部位的碳纳米管发射电子能力比其中心部位的大;除碳纳米管的长径比之外,栅极宽度和栅极间距也对电场增强因子有一定作用;接触电阻的存在大幅度降低碳纳米管顶端表面电场与发射电流,而接触电阻高于800 k时,器件对阳极驱动电压的要求更高.
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- 关键词：接触电阻
- 不同基底上碳纳米管的制备及生长机理被引量：8
- 2008年
- 以二茂铁为催化前驱物,C2H2为碳源,N2为载气,采用浮动催化法,在蓝宝石、单晶硅、石英、玻璃以及碳纤维基底上制备了不同形貌和结构的碳纳米管。利用扫描电子显微镜和Raman光谱对碳纳米管的形貌和微结构进行了表征。结果表明在蓝宝石和石英基底上所生长的碳纳米管薄膜具有较好的定向性和较高的石墨化程度;单晶硅基底上碳纳米管薄膜呈"底疏顶密"分布;而玻璃和碳纤维基底上所生长的碳纳米管不具有定向性。最后,对不同基底对碳纳米管生长的影响进行了分析和讨论。
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- 关键词：碳纳米管显微镜RAMAN光谱
- 带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究被引量：8
- 2007年
- 场增强因子是体现场发射冷阴极器件性能优劣的重要参数.利用静电场理论给出了一种带栅极(normal-gated)纳米线冷阴极的场增强因子表示式β=k11/2(N^2.(L-d_1)~2+[1/k_1+(L-d_1)]~2),且进一步分析了几何参数对场增强因子的影响.结果表明,纳米线突出栅孔的部分(L-d1)与栅孔半径越大,则场增强因子越大;而纳米线半径越小,则场增强因子越大;当L远大于d1时满足β∝L/r0.其中N=N1(k1r0)/N0(k1r0),N0(k1r0)和N1(k1r0)分别代表零阶和一阶Neumann函数,k1=0.8936/R,R为栅孔半径,L为纳米线长度,r0为纳米线半径,d1表示阴极与栅极间距.
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- 关键词：纳米线冷阴极场发射
- 栅极调制纳米线的场增强因子计算被引量：2
- 2009年
- 利用悬浮球模型和镜像电荷法计算了栅极调制纳米线的顶端表面电场,给出了场发射增强因子表达式β=1/2(3.5+L/r0+W),式中L与r0分别是纳米线长度与顶端表面曲率半径,W是由栅孔半径R、阴极与栅极间距d以及纳米线自身几何参数所决定的函数.结果表明,纳米线长径比对场增强因子的影响很显著;当阴极与栅极间距较近时,场增强因子随d的增加而减小,而当栅极处于无穷远时,纳米线场增强因子的表示式变成β0=3.5+L/r0;栅孔半径越小,场增强因子就越大,当栅孔半径趋于零时,场增强因子为β=β0+1.202(L/d)3.
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- 无氢化学气相沉积法制备碳纳米管被引量：5
- 2005年
- 采用无氢的化学气相沉积法(CVD)进行碳纳米管的制备技术研究,并成功地制备了φ20～φ80nm左右,长度为50～100μm左右的碳纳米管.通过改变气体的流量等影响因素实现了定向碳纳米管薄膜和多层碳纳米管薄膜以及其它各种形态的碳纳米管的制备.采用微区Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等方法对产物的形貌和结构进行了表征,结果表明采用无氢CVD法可以制备出多种形态的碳纳米管.
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- 关键词：碳纳米管催化剂
- 浅谈高校无机、分析化学实验室管理被引量：1
- 2013年
- 高校化学实验室是高校进行化学实验教学和科研的重要基地,通过加强管理,提高实验室的教学、学习、科研活动的安全性、规范性、绿色性。
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- 二维点缺陷正方光子晶体的微腔结构被引量：12
- 2007年
- 通过平面波展开法对由Al2O3介质棒在空气背景介质中构成含有点缺陷的二维正方光子晶体微腔结构进行研究，计算得出缺陷态能带以及缺陷态模场分布。缺陷模对应的电磁波波长为470—476nm。对该微腔结构的品质因数的求解，得出缺陷态光谱曲线。在光谱曲线中，随着传输波长的增大，将产生几个峰值，并且在475nm处的波动最为明显，反映出在475nm附近的电磁波段在缺陷处的光强较大。进一步利用全矢量等效折射率法研究该结构缺陷模频率的稳定性，得出等效折射率的变化曲线。从等效折射率变化曲线可以看出，当传输波长达到475nm时，该结构已经达到稳定传输的区域。含缺陷模的二维光子晶体微腔结构在光子晶体发光二极管以及高阈值半导体激光器等方面有着重要的应用价值。
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- 关键词：光子晶体点缺陷光子晶体微腔等效折射率
- 碳纤维衬底上定向碳纳米片阵列的制备被引量：2
- 2008年
- 以乙炔(C2H2)为碳源,N2为载气,二茂铁为催化前驱物,采用浮动催化法,在碳纤维衬底上制备了垂直定向的碳纳米片阵列。利用SEM,EDX和Raman光谱对所得产物进行了表征。结果表明经十二烷基磺酸钠(SDS)和二茂铁的丙酮溶液煮沸和浸泡处理后的碳纤维表面所生长的碳纳米片长度约为600 nm,宽度约为50 nm。Raman光谱分析表明所制备的碳纳米片为石墨结构。碳纤维的预处理不仅活化了表面,而且避免了催化剂向其内部的渗透和吸收。基于以上结果,碳纤维/碳纳米片在场发射领域很可能有重要的应用。
- 曾乐勇王维彪梁静秋夏玉学雷达赵海峰
- 关键词：碳纤维
- 一种背栅极冷阴极器件中纳米线表面电场的分析
- 2007年
- 利用静电场理论计算了背栅极冷阴极器件的纳米线附近电场,给出电场分布的表示式及J-V曲线,并分析了几何参数对纳米线顶端表面电场的影响.结果表明,纳米线顶端表面产生巨大的电场,随着离纳米线顶端表面距离的增大,电场迅速下降;纳米线突出栅孔的长度(L-d1)越大,纳米线半径r0、栅孔半径R以及栅极与阳极间距d2越小,则纳米线顶端表面电场越强,而d2较大时d2对表面电场的影响很弱;纳米线顶端边缘电流密度J随着阳极与栅极电压的增加而指数增大.
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- 关键词：纳米线场发射
