陈松
- 作品数：7 被引量：34H指数：4
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究被引量：8
- 2007年
- 场增强因子是体现场发射冷阴极器件性能优劣的重要参数.利用静电场理论给出了一种带栅极(normal-gated)纳米线冷阴极的场增强因子表示式β=k11/2(N^2.(L-d_1)~2+[1/k_1+(L-d_1)]~2),且进一步分析了几何参数对场增强因子的影响.结果表明,纳米线突出栅孔的部分(L-d1)与栅孔半径越大,则场增强因子越大;而纳米线半径越小,则场增强因子越大;当L远大于d1时满足β∝L/r0.其中N=N1(k1r0)/N0(k1r0),N0(k1r0)和N1(k1r0)分别代表零阶和一阶Neumann函数,k1=0.8936/R,R为栅孔半径,L为纳米线长度,r0为纳米线半径,d1表示阴极与栅极间距.
- 雷达曾乐勇夏玉学陈松梁静秋王维彪
- 关键词：纳米线冷阴极场发射
- 无氢化学气相沉积法制备碳纳米管被引量：5
- 2005年
- 采用无氢的化学气相沉积法(CVD)进行碳纳米管的制备技术研究,并成功地制备了φ20～φ80nm左右,长度为50～100μm左右的碳纳米管.通过改变气体的流量等影响因素实现了定向碳纳米管薄膜和多层碳纳米管薄膜以及其它各种形态的碳纳米管的制备.采用微区Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等方法对产物的形貌和结构进行了表征,结果表明采用无氢CVD法可以制备出多种形态的碳纳米管.
- 夏玉学王维彪陈明梁静秋雷达陈松刘丽丽姜锦秀
- 关键词：碳纳米管催化剂
- 一种背栅极冷阴极器件中纳米线表面电场的分析
- 2007年
- 利用静电场理论计算了背栅极冷阴极器件的纳米线附近电场,给出电场分布的表示式及J-V曲线,并分析了几何参数对纳米线顶端表面电场的影响.结果表明,纳米线顶端表面产生巨大的电场,随着离纳米线顶端表面距离的增大,电场迅速下降;纳米线突出栅孔的长度(L-d1)越大,纳米线半径r0、栅孔半径R以及栅极与阳极间距d2越小,则纳米线顶端表面电场越强,而d2较大时d2对表面电场的影响很弱;纳米线顶端边缘电流密度J随着阳极与栅极电压的增加而指数增大.
- 雷达曾乐勇夏玉学陈松梁静秋王维彪
- 关键词：纳米线场发射
- 二维点缺陷正方光子晶体的微腔结构被引量：12
- 2007年
- 通过平面波展开法对由Al2O3介质棒在空气背景介质中构成含有点缺陷的二维正方光子晶体微腔结构进行研究，计算得出缺陷态能带以及缺陷态模场分布。缺陷模对应的电磁波波长为470—476nm。对该微腔结构的品质因数的求解，得出缺陷态光谱曲线。在光谱曲线中，随着传输波长的增大，将产生几个峰值，并且在475nm处的波动最为明显，反映出在475nm附近的电磁波段在缺陷处的光强较大。进一步利用全矢量等效折射率法研究该结构缺陷模频率的稳定性，得出等效折射率的变化曲线。从等效折射率变化曲线可以看出，当传输波长达到475nm时，该结构已经达到稳定传输的区域。含缺陷模的二维光子晶体微腔结构在光子晶体发光二极管以及高阈值半导体激光器等方面有着重要的应用价值。
- 陈松王维彪梁静秋夏玉学雷达曾乐勇陈明
- 关键词：光子晶体点缺陷光子晶体微腔等效折射率
- 一维及二维光子晶体结构的研究
- 陈松
- 关键词：光子晶体光子带隙一维光子晶体光子晶体微腔光子晶体光纤
- 前栅极冷阴极器件中单根纳米线表面电场分布研究被引量：1
- 2006年
- 利用静电场理论,对带栅极纳米线场发射冷阴极器件模型进行电场计算,在此基础上,进一步对器件几何参数以及电压对纳米线顶端表面电场的影响做了理论分析。结果表明,在纳米线低于栅极的情况下,纳米线顶端表面电场强度比其他点更强,随着离纳米线顶端距离的增加,电场急剧下降;栅孔半径、阴极与栅极距离的减小以及纳米线长度的增加,均使纳米线顶端表面电场大大增强,而栅极与阳极间距变化对顶端表面电场的作用很微弱;另外,纳米线顶端表面电场随栅极和阳极电压的增加而大幅度增强,尤其栅极电压的变化对纳米线顶端表面电场的影响更大。
- 雷达曾乐勇夏玉学陈松梁静秋王维彪
- 关键词：场发射纳米线
- 金刚石/银复合材料:制备、电泳沉积及场发射性能研究被引量：8
- 2007年
- 采用化学镀银的方法,制备了银包覆的金刚石复合材料,并利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)和拉曼(Raman)光谱对样品的形貌和微结构进行了表征。利用电泳沉积的方法,制备了均匀的金刚石/银复合材料薄膜,场发射测试结果表明,在22 V/μm的电场下,金刚石/银复合材料的发射电流密度可达23.7μA/cm2;而在26 V/μm的电场下,高压金刚石薄膜的发射电流密度仅为0.2μA/cm2。与高压金刚石薄膜的场发射结果相比,金刚石/银复合材料的场发射性能有明显的提高。银的存在使银与金刚石界面处形成电子发射区,在外加电场作用下,该区域电子优先隧穿表面势垒逸出到真空,形成场致电子发射。
- 曾乐勇王维彪梁静秋夏玉学雷达陈松刘丽丽赵海峰任新光
- 关键词：场发射金刚石银
