费庆宇
- 作品数：32 被引量：39H指数：4
- 供职机构：信息产业部电子第五研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学金属学及工艺更多>>
- VLSI失效分析技术研究进展
- 2005年
- 根据近年来的实践,介绍了亚微米/深亚微米多层布线结构的VLSI的失效分析的关键技术和加快失效分析程序的方法。包括:先进的芯片剥层技术和局部剖切面技术、以失效分析为目的的电测试技术和故障定位技术及其简化方法。通过一些失效分析实例说明了研究上述关键技术的有效性。
- 费庆宇
- 关键词：大规模集成电路
- 集成电路失效分析技术
- 本文通过实例综述了目前国内集成电路失效分析技术的现状和发展方向，包括：无损失效分析技术、信号寻迹技术、二次效应技术、样品制备技术和背面失效定位技术，为进一步开展这方面的工作提供参考。
- 费庆宇
- 关键词：集成电路
- 文献传递
- GaAs MESFET直流特性退化的失效分析
- 1995年
- GaAs MESFET直流特性退化的主要原因是源极漏极欧姆接触退化和栅极肖特基势垒接触退化。笔者用结构敏感参数电测法和C-V法进行失效定位和失效分析,为上述失效原因提供了证据。
- 费庆宇来萍
- 关键词：砷化镓MESFET
- 用C-V法观察介质-半导体界面的电荷存储效应被引量：2
- 1997年
- 用SiNX作钝化层的InGaAs／InP光电二极管和N沟道GaAsMESFET的高频特性和电性能稳定性问题与SiNx-半导体界面的电荷存储效应有密切关系。本工作用高频C－V法观察到SiNx－InP界面电行存储效应，从而加深了SiNX钝化层引起的器件最高工作频率下降和特性不稳定的理解，找到了评价介质-半导体界面稳定性的方法并进行了减小SiNx－InP界面电荷存储效应的实验。
- 费庆宇
- 关键词：C-V法半导体
- IC失效分析的样品制备技术
- 本文简明地叙述了以集成电路失效分析和设计纠错为目的的样品制备技术的重要性、原理、方法和实例,包括开封、去钝化层、反应离子腐蚀(RIE)和聚焦离子束(FIB)技术.
- 费庆宇
- 关键词：IC
- 文献传递
- IC失效分析中电测技术及其应用研究
- 本文对IC失效分析中电测技术进行了介绍,包括敏感参数测试中的待机电流测试、瞬态电流测试、端口Ⅳ特性测试、扫描端口测试,并对各种电测技术进行了举例说明.
- 林晓玲费庆宇师谦肖庆中
- 关键词：集成电路电测技术
- 文献传递网络资源链接
- 半导体器件与IC失效分析的有力工具——介绍显微红外热像仪InfraScope和光辐射显微镜EMM1630被引量：10
- 1996年
- 普通的光学显微镜是用光源照射样品,观察反射光或透射光并成像。与普通显微镜不同,红外热像仪和光辐射显微镜是用于检测样品本身发出的光辐射并成像,前者在红外光范围,后者在可见光范围,它们都是电子元器件失效分析的重要工具。1 显微红外热像仪InfraScope微电子器件正向着大功率、高频和高集成度(小元件尺寸)的方向发展。器件在工作过程中由于局部的缺陷会引起非正常的局部发热升温,这是影响器件可靠性的重要因素。测定器件管芯的热分布结温和热点是器件可靠性设计、可靠性评价和失效分析的重要环节。与其它接触式测温方法相比,红外热像法是一种非接触的测温技术。测量过程中不会改变被测器件的热状态。
- 何小琦费庆宇
- 关键词：半导体器件IC
- 用于IC芯片失效定位的无源电压衬度象
- 用信号寻迹法确定IC芯片的失效部位,通常要开封并通电驱动芯片.由于IC管脚多,测试向量多,驱动芯片的手续十分繁杂.对金属化层开路和短路等失效部位,用无源电压衬度象进行失效定位,有时可省去驱动芯片的麻烦,简化失效分析程序.
- 费庆宇
- 关键词：扫描电子显微镜IC芯片
- 文献传递
- MESFET肖特基势垒结参数提取及I-V曲线拟合被引量：1
- 2002年
- 运用双指数函数模型方法分析了影响 MESFET的 Ti Pt Au-Ga As肖特基势垒结特性的各种因素及各因素间的关系 ,编制了 MESFET肖特基势垒结结参数提取和 I-V曲线拟合软件 ,实现了通过栅源正向 I-V实验数据提取反映肖特基势垒结特性的六个结参数和得到相应结参数下的理论数据 ,与实验数据吻合良好。分析了影响肖特基势垒结 I-V曲线分布的因素 ,提出了进行器件特性、参数稳定性与可靠性研究和定量分析
- 黄云费庆宇
- 关键词：MESFET寄生电阻
- 集成电路失效分析新技术被引量：11
- 2005年
- 通过实例综述了目前国内集成电路失效分析技术的现状和发展方向,包括:无损失效分析技术、信号寻迹技术、二次效应技术、样品制备技术和背面失效定位技术,为进一步开展这方面的工作提供参考。
- 费庆宇
- 关键词：集成电路
