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豆传国

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇中文专利

主题

  • 13篇感器
  • 13篇传感
  • 13篇传感器
  • 7篇应力传感
  • 7篇应力传感器
  • 7篇力传感器
  • 6篇多晶
  • 6篇多晶硅
  • 6篇互连
  • 6篇硅
  • 5篇电极
  • 5篇封装
  • 4篇电容式
  • 3篇电阻
  • 3篇多晶硅电阻
  • 3篇圆片
  • 3篇芯片
  • 3篇硅圆片
  • 3篇传感器芯片
  • 2篇电容

机构

  • 19篇中国科学院

作者

  • 19篇李昕欣
  • 19篇豆传国
  • 19篇杨恒
  • 17篇吴燕红
  • 8篇戈肖鸿
  • 3篇王跃林

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法
本发明提供一种用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法，包括以下步骤：1）提供硅片衬底，在硅片衬底内形成环形深槽；2）在硅片衬底表面及环形深槽侧壁形成第一绝缘层；3）在环形深槽内形成多晶硅电阻，并在环形深槽内及硅...
杨恒豆传国戈肖鸿吴燕红李昕欣
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硅基电容式声发射传感器及其制备方法
本发明提供一种硅基电容式声发射传感器及其制备方法，包括：声发射敏感膜；停靠环，位于声发射敏感膜的下表面；边框，位于声发射敏感膜外围，且与声发射敏感膜相隔一定的间距；边框的上表面设有上电极，下表面设有第一绝缘层；支撑膜，位...
杨恒王小飞豆传国孙珂吴燕红李昕欣
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硅基电容式声发射传感器及其制备方法
本发明提供一种硅基电容式声发射传感器及其制备方法，包括：声发射敏感膜；停靠环，位于声发射敏感膜的下表面；边框，位于声发射敏感膜外围，且与声发射敏感膜相隔一定的间距；边框的上表面设有上电极，下表面设有第一绝缘层；支撑膜，位...
杨恒王小飞豆传国孙珂吴燕红李昕欣
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待测传感器芯片的电学引出结构及其应用
本发明涉及待测传感器芯片的电学引出结构及其应用。所述待测传感器芯片（16）上设有焊盘（9）以及位于焊盘（9）上的金属焊点（10）；该电学引出结构还包括设有焊盘和互连线的柔性基板（14），所述待测传感器芯片通过金属焊点（1...
杨恒豆传国吴燕红李昕欣王跃林
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基于激光结合各向异性腐蚀的梁-质量块结构的制备方法
本发明提供一种基于激光结合各向异性腐蚀的梁‑质量块结构的制备方法，包括以下步骤：1）提供（111）硅片；2）采用激光加工工艺在所述（111）硅片背面形成第一深槽；3）在所述（111）硅片正面形成第二深槽；4）在所述（11...
杨恒戈肖鸿吴燕红豆传国王小飞孙珂李昕欣
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基于量程拓展的谐振式应变结构、应变传感器及制备方法
本发明提供一种基于量程拓展的谐振式应变结构、应变传感器及制备方法，所述基于量程拓展的谐振式应变结构包括：双端固支音叉及量程拓展梁；所述量程拓展梁位于所述双端固支音叉的两端，且与所述双端固支音叉的两端相连接。本发明中，量程...
杨恒王小飞豆传国孙珂吴燕红李昕欣
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一种多晶硅应力传感器及其制作方法
本发明提供一种多晶硅应力传感器及其制作方法，所述多晶硅应力传感器至少包括：硅衬底；硅孔结构，形成于所述硅衬底中；第一阻挡层，覆盖于所述硅衬底正表面及所述硅孔结构的上部侧壁；多晶硅层，形成于所述第一阻挡层表面、及所述硅孔结...
豆传国杨恒吴燕红李昕欣
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一种用于圆片级封装应力测量的应力传感器转移方法
本发明涉及一种用于圆片级封装应力测量的应力传感器转移方法，包括以下步骤：SOI硅片的顶层硅上制作应力传感器；利用有机胶膜将应力传感器面对面地贴装到与待封装圆片相同尺寸的测试圆片上；腐蚀去除应力传感器衬底硅，将应力传感器芯...
杨恒豆传国吴燕红李昕欣王跃林
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一种硅通孔互连的制作工艺、由此形成的硅通孔互连结构及其应用
本发明涉及一种硅通孔互连的制作工艺，包括以下步骤：S1，在硅圆片的盲孔中形成多晶硅填充结构，在多晶硅填充结构的第一表面形成阻挡层结构；S2，减薄该硅圆片，使得该盲孔形成为硅通孔结构；S3，在多晶硅填充结构的与第一表面相对...
豆传国杨恒孙珂戈肖鸿吴燕红李昕欣
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待测传感器芯片的电学引出结构及其应用
本发明涉及待测传感器芯片的电学引出结构及其应用。所述待测传感器芯片（16）上设有焊盘（9）以及位于焊盘（9）上的金属焊点（10）；该电学引出结构还包括设有焊盘和互连线的柔性基板（14），所述待测传感器芯片通过金属焊点（1...
杨恒豆传国吴燕红李昕欣王跃林
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