许冬岗
- 作品数：9 被引量：19H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- IC制造中真实缺陷轮廓的分形特征被引量：10
- 1998年
- 为了进行有效的集成电路（ＩＣ）成品率预报及故障分析，与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形的或方形的．然而，真实的缺陷的形貌是多种多样的．本文讨论了缺陷轮廓所具有的分形特征．
- 姜晓鸿郝跃许冬岗徐国华
- 关键词：IC分形
- 深亚微米槽栅NMOSFET结构参数对其抗热载流子特性的影响被引量：1
- 2001年
- 基于流体动力学能量输运模型和幸运热载流子模型 ,用二维器件仿真软件Medici对深亚微米槽栅NMOSFET的结构参数 ,如沟道长度、槽栅凹槽拐角角度、漏源结深等 ,对器件抗热载流子特性的影响进行了模拟分析 ,并与常规平面器件的相应特性进行了比较 .结果表明即使在深亚微米范围 ,槽栅器件也能很好地抑制热载流子效应 ,且其抗热载流子特性受凹槽拐角和沟道长度的影响较显著 。
- 任红霞郝跃许冬岗
- 关键词：热载流子效应结构参数场效应晶体管
- N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究被引量：3
- 2000年
- 用二维器件仿真软件MEDICI模拟分析了N型槽栅金属 氧化物 半导体场效应晶体管的热载流子特性及其对器件性能所造成的损伤 ,并与相应常规平面器件进行了比较 ,同时用器件内部物理量的分布对造成两种结构器件特性不同的原因进行了解释 .结果表明槽栅器件对热载流子效应有明显的抑制作用 ,但槽栅器件对热载流子损伤的反应较平面器件敏感 .
- 任红霞郝跃许冬岗
- 关键词：槽栅MOSFET热载流子效应N型
- d-叉树k-FT结构的可靠性分析及冗余单元的分配被引量：1
- 1999年
- 随着芯片面积的增加及电路复杂性的增强，系统的可靠性逐渐下降．为了保证有较高的可靠性，人们将容错技术引进了集成电路的设计中．文中分析了ｄ－叉树的ｋ－ＦＴ结构的可靠性，同时讨论了如何分配冗余单元才能使系统具有较高可靠性的问题．
- 赵天绪郝跃周涤非许冬岗
- 关键词：可靠性分析VLSI
- IC制造中真实缺陷轮廓模型的比较
- 1998年
- 本文对现有的IC制造中真实缺陷轮廓的建模方法进行了比较,得到了一些有意义的结果。该结果为进行有效的集成电路(IC)成品率预报及故障分析提供了有益的借鉴。
- 姜晓鸿郝跃许冬岗徐国华
- 深亚微米槽栅器件特性及抗热载流子效应研究
- 该文研究的槽栅MOS器件是一种适应深亚微米特征的新器件,其器件的工艺并不复杂 ,可以有效的提高深亚微米器件的性能和可靠性.由于栅氧化层的拐角效应,槽栅器件可以有效的抑制短沟道效应.槽栅器件可以抑制漏诱导势垒降低效应和阈值...
- 许冬岗
- 关键词：槽栅短沟道效应热载流子效应
- 文献传递
- IC丢失物缺陷粒径的表征及其轮廓的分形特征被引量：1
- 1997年
- 对现有的ＩＣ制造中丢失物缺陷轮廓的建模方法进行了比较，说明现有方法存在的问题并得到了一些有意义的结论；分析了ＩＣ制造中丢失物缺陷轮廓所具有的分形特征。
- 姜晓鸿郝跃周涤非许冬岗
- 关键词：集成电路分形
- VLSI 3-维容错结构及其成品率分析被引量：1
- 1999年
- 本文研究ＶＬＳＩ电路的ＮＰＩＲＡ结构及其成品率，分析间隙冗余阵列的（ｓ，８）类结构，提出最优的（ｓ，８）间隙冗余阵列的定义，同时给出了最优的（ｓ，８）间隙冗余的成品率的下界表示．
- 赵天绪郝跃许冬岗
- 关键词：VLSI容错结构成品率系统集成
- 槽栅NMOSFET结构与性能仿真被引量：3
- 2001年
- 基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维器件模拟器 MEDICI对深亚微米槽栅 NMOSFET器件的结构参数 ,如结深、凹槽拐角及沟道长度等对器件性能的影响进行了仿真研究 ,并与相应的常规平面器件特性进行了对比 .研究表明在深亚微米范围内 ,槽栅器件能够很好地抑制短沟道效应和热载流子效应 ,但电流驱动能力较平面器件小 。
- 任红霞郝跃许冬岗
- 关键词：结构参数场效应晶体管仿真
