汪建强
- 作品数：21 被引量：50H指数：4
- 供职机构：上海交通大学理学院太阳能研究所更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目上海市卫生系统百名跨世纪优秀学科带头人培养计划教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信动力工程及工程热物理一般工业技术更多>>
- 非均匀铝背场太阳电池的制作方法
- 本发明涉及一种半导体技术领域的非均匀铝背场太阳电池的制作方法。本发明采用的基底为P型硅片，三氯氧磷扩散形成PN结，正表面氮化硅钝化层及减反膜，正背表面银电极，硅片背表面钝化为非均匀铝背场，所述非均匀铝背场是利用非均匀丝网...
- 汪建强施旸黄建华王景霄崔容强
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- PECVD-SiNx钝化减反射特性研究
- 作为一种器件表面介质膜，SiNx薄膜已被广泛应用于IC以及太阳能光伏器件的制造中。在高效太阳能电池研究中，发射结表面钝化和减反射一直是其研究的主题。电池正面发射结不仅要求表面钝化层有优良的钝化性能，同时也要求介质层能够与...
- 汪建强
- 关键词：表面钝化太阳能电池PECVD法
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- 非晶硅/晶体硅异质结界面及电池性能研究
- 太阳能光伏发电是一种优质的清洁能源，太阳电池是直接将太阳光直接转换成电能的半导体器件。提高太阳能电池的转换效率并降低电池制造成本是光伏发电的必然趋势。
目前，单结晶体硅电池的实验室最高效率为25％，商业化电池的最高...
- 汪建强
- 关键词：太阳能电池电池性能
- 银纳米颗粒减反射特性的理论研究
- 为增强晶体硅太阳电池的光利用效率，提高光电转换效率，本文主要研究了金属银纳米颗粒的光学散射性质。基于银纳米粒子表面等离子激元效应和MIE散射理论，采用Matlab数值计算，理论分析了不同银纳米颗粒尺寸和银粒子分布密度对太...
- 韩涛孟凡英张松汪建强程雪梅
- 关键词：银纳米颗粒太阳能电池
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- 背腐蚀在晶体硅太阳能电池生产中的应用
- 背腐蚀可以用来取代常规的等离子刻蚀将扩散后正面和背面的PN结分开.本文中背腐蚀使用了HF/HNO3体系,正面没有使用掩膜.用扫描电镜(SEM)观察了背腐蚀和等离子刻蚀后的表面形貌以及硅/铝界面情况,分析了背反射和内量子效...
- 苦史伟孙铁囤刘志刚汪建强安静叶庆好
- 关键词：背反射硅太阳能电池晶体硅等离子刻蚀
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- 基于氢化微晶硅薄膜的晶体硅异质结太阳电池的制备方法
- 一种太阳能应用技术领域的基于氢化微晶硅薄膜的晶体硅异质结太阳电池的制备方法，结合了晶体硅与氢化硅基薄膜低温工艺和物性可调控的特点，可实现P型硅片表面的有效钝化和PN结制成，在硅片背表面采用原子层沉积(和等离子体增强的化学...
- 孟凡英汪建强张松程雪梅韩涛司新文李翔黄建华
- 文献传递
- 银纳米颗粒减反射特性的理论研究被引量：4
- 2011年
- 为增强晶体硅太阳电池的光利用效率,提高光电转换效率,研究了金属银纳米颗粒的光学散射性质.基于银纳米粒子表面等离子激元效应和MIE散射理论,采用Matlab数值计算,理论分析了不同银纳米颗粒尺寸和银粒子分布密度对太阳光谱各波长的散射特性.获得了实现高的光透过率所需最佳银纳米颗粒半径范围,研究发现随着银纳米颗粒半径增加,偶极峰红移、高极峰逐渐出现.定量地给出了最佳颗粒分布密度随银粒子半径的变化规律,建立了计算减反射膜透射率的理论方法,找到了银纳米颗粒光学透过率的简单函数表达式,能为实验研究提供理论指导.
- 韩涛孟凡英张松汪建强程雪梅
- 关键词：银纳米颗粒透过率MIE理论太阳电池
- 一种添加剂在HF/HNO3/H2O系统中对硅片刻蚀的影响
- HF/HNO3/H2O刻蚀体系广泛应用于微电子加工和硅太阳能电池绒面加工工艺中.也是近几年来学者研究的重点.系统中影响硅片刻蚀速度的因素有很多,如溶液的组成,硅片表面的结构,溶液温度以及是否搅拌等,其中溶液的组成是影响硅...
- 汪建强安静刘志刚孙铁囤
- 关键词：氨水微电子加工硅太阳能电池
- 文献传递
- 低成本选择性发射区太阳电池的制备和特性被引量：2
- 2011年
- 运用Matlab软件,在电池能量损耗最小前提下,对选择性发射极(Slective Emitter,SE)电池的栅线间距和宽度进行了模拟计算.在理论计算指导下,在国产化设备的太阳电池生产线上,采用印刷技术实现选择性磷源涂覆和扩散,并制成电池,通过电化学测试、伏安曲线、量子效率(Quantum Efficiency,QE)等检测分析,初步发现,印刷涂覆的SE太阳电池输出特性优于常规工艺制备的电池,转化效率提高约1%.
- 张松孟凡英汪建强刘峰李翔黄建华
- 关键词：高效太阳电池选择性发射极
- 非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结被引量：1
- 2011年
- 通过对非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结能带不连续、发射结掺杂以及界面态密度进行分析,研究它们对a-Si/c-Si异质结的界面特性,以及a-Si(N+)/c-Si(P)结构电池性能的影响.研究发现,能带不连续以及a-Si发射结高掺杂有利于实现界面复合机制由以悬挂键复合主导的复合机制向由少数载流子复合占主导的SRH(Shockly-Read-Hall)复合机制转变,有效降低界面复合速率.AFORS-HET软件模拟显示:在c-Si(P)衬底掺杂浓度为1.6×1016cm-3时,a-Si(N+)发射结掺杂浓度大于1.5×1020cm-3是获得高电池效率的必要条件;与短路电流密度相比,开路电压受a-Si/c-Si界面态密度影响更明显.
- 汪建强高华张剑张松李晨叶庆好孟凡英
- 关键词：界面态密度
