孙铁囤
- 作品数：41 被引量：96H指数：6
- 供职机构：上海交通大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学动力工程及工程热物理更多>>
- 透明导电薄膜和减反射薄膜喷涂装置及其方法
- 本发明包括喷涂装置和喷涂方法两部分。喷涂装置：雾化容器套在或半套在隔离容器内，隔离容器的底部设置一超声波振荡器，雾化容器内有配制好的溶液经超声波振荡器雾化后由载气携带定量通过与喷嘴联接定量输出，喷嘴设置在抽气柜内，喷嘴喷...
- 崔容强周之斌孙铁囤周帅先
- 文献传递
- 光照条件下多晶硅晶界复合理论研究
- 假设晶界界面态呈高斯分布,理论上研究了光照条件下多晶硅晶界的复合特性。我们认为晶界材料是非晶的,研究了光照和掺杂浓度(N)对晶界势垒高度(V)、空间电荷边缘少子的界面复合速度S(0)和有效复合速度s(w),界面复合电流密...
- 孟凡英周之斌孙铁囤崔容强
- 关键词：晶界高斯分布势垒高度多晶硅
- 文献传递
- 超声雾化喷涂工艺及优质二氧化锡透明导电薄膜的研究被引量：11
- 2000年
- 报道了采用超声雾化喷涂工艺沉积优质掺杂二氧化锡透明导电半导体薄膜的实验成果 ,选用氟作为掺杂元素 ,通过改变掺杂量和工艺参数 ,可控制薄膜的方块电阻在 1 0 Ω/□以上的范围内变化 (40 0 nm膜厚 ) ,掺氟离子二氧化锡为 n型导电半导体 ,高浓度掺杂的二氧化锡薄膜光学透过率为 87%～ 90 % (采用 550 nm单色光源测透过率 )。用 X射线衍射及扫描电子显微镜分析 ,可获得该薄膜材料的微结构、表面形貌以及薄膜组成、掺杂百分含量。该成果为大规模生产优质二氧化锡透明导电薄膜 ,提供了有效、简单的方法和装置。
- 周之斌崔容强黄燕孙铁囤陈东
- 关键词：二氧化锡透明导电薄膜
- 溅射沉积光伏材料-掺氮碳薄膜
- 本文介绍了离子束溅射,石墨靶,沉积掺氮碳薄膜的设备及工艺。对薄膜沉积过程作了讨论,采用 XPS技术对薄膜成份、原子间和掺杂原子的键以及结合能作了研究,在( 111)单晶硅片上沉积掺氮碳薄膜,构成C/Si异质结,在100m...
- 丁正明周之斌崔容强胡宏勋孙铁囤贺振宏
- 关键词：XPS
- 文献传递
- ITO薄膜:从(400)到(222)择优晶化
- 采用超声波喷涂CVD工艺在石英和硅片衬底上沉积出不同择优晶化的ITO(掺Sn的InO3)薄膜。从300℃到550℃,选择衬底温度,可获得晶面(400)或晶面(222)或二者兼顾的平行于衬底的优化取向ITO薄膜,并采用Va...
- 周之斌丁正明崔容强胡宏勋孙铁囤徐秀琴陈东
- 关键词：ITO电学性质结合能
- 文献传递
- 微波反射光电导法测半导体中少数载流子寿命
- 微波反射光电导法是测量少于寿命的标准方法。本文主要讨论了微波反射光电导实验装置对少子寿命的影响,通过比较两种光源和对测试装置的灵敏度分析来优化实验设备。通过理论分析讨论了两种光照条件一一脉冲光照和调制光照下过剩少数载流子...
- 陈凤翔崔容强徐林孟凡英孙铁囤周之斌
- 关键词：少子寿命灵敏度
- 太阳电池绒面测量与分析被引量：9
- 1999年
- 通过对ＭＯＳ结构电容的测量分析，计算出太阳电池表面积的变化，实现对电池绒面制作工艺的控制与分析。实验数据与理论计算结果一致，通过ＭＯＳ系统的Ｃ－Ｖ特性测量可进一步对太阳电池的表面和界面特性作更加系统和深入的分析。
- 孙铁囤崔容强王永东
- 关键词：MOSC-V特性太阳电池
- 射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和I-V特性(英文)被引量：2
- 2009年
- 用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间。Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料。结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的I-V特性进行了研究。
- 赵占霞栗敏詹颜王德明马忠权孙铁囤
- 关键词：纳米硅薄膜
- 酸腐蚀在多晶硅太阳能电池上的应用
- 本文回顾了多晶硅绒面的制备技术,重点介绍了酸腐蚀在制备大面积低成本多晶硅太阳能电池方面的发展情况,比较了不同制造工艺的效率。酸腐蚀制得的多晶硅表面有钝化和减反射作用,当其应用于太阳能电池的生产时缩短了电池工艺,降低了生产...
- 刘志刚孙铁囤于化丛周之斌崔容强
- 关键词：多晶硅绒面酸腐蚀太阳能电池
- 光伏新材料——掺氮碳薄膜溅射制备技术及测试被引量：4
- 2003年
- 介绍了采用氮气离子束溅射 ,高纯石墨为靶材 ,沉积掺氮碳薄膜的设备及工艺技术。对薄膜的沉积过程作了讨论 ,采用 X射线光电子能谱 (XPS)技术等对薄膜结构成分、氮 -碳、碳 -碳原子之间的键以及结合能作了研究 ,在 (1 1 1 )单晶硅片上沉积掺氮碳薄膜 ,构成 C/Si异质结 ,在 1 0 0 m W/cm2 光照下 ,开路电压达 2 0 0 m V。
- 丁正明周之斌崔容强孙铁囤贺振宏
- 关键词：光伏材料X射线光电子能谱太阳能电池
