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李侃

作品数：11 被引量：12H指数：2
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇体声波
  • 5篇FBAR
  • 4篇压电薄膜
  • 4篇体声波谐振器
  • 4篇谐振器
  • 4篇薄膜体声波谐...
  • 3篇质量传感器
  • 3篇溅射
  • 3篇感器
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇电阻
  • 2篇散热
  • 2篇散热器
  • 2篇射频反应磁控...
  • 2篇热沉
  • 2篇灵敏度
  • 2篇敏度

机构

  • 11篇浙江大学

作者

  • 11篇李侃
  • 8篇王德苗
  • 7篇董树荣
  • 4篇韩雁
  • 2篇任高潮
  • 2篇赵士恒
  • 2篇程维维
  • 2篇苏达
  • 2篇徐文彬
  • 2篇周海峰
  • 2篇马绍宇
  • 2篇王耀民
  • 2篇陈洪璆
  • 1篇金浩

传媒

  • 1篇传感技术学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇第八届中国微...
  • 1篇第六届华东三...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 2篇2006
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
FBAR微质量传感器若干关键问题的研究
作为一种新颖的射频MEMS器件，薄膜体声波谐振器(FBAR)近年来在无线通信领域取得了巨大的商业成功。与此同时，FBAR在微质量生物传感领域的应用，正成为下一个研究热点。与传统的质量传感器--石英晶体微天平(QCM)相比...
李侃
关键词：薄膜体声波谐振器质量传感器仿真模型
文献传递
高功率LED兼容集成封装模块
本发明涉及一种半导体照明器件，特别是涉及高功率LED兼容集成封装模块；它包括金属散热器和LED芯片，其特征在于所述金属散热器上设有反光杯，金属散热器和反光杯表面依次设置有用薄膜技术制作的绝缘膜层和多层膜系电极层，在金属散...
王德苗苏达徐文彬任高潮李侃王耀民陈洪璆
文献传递
利用压电薄膜体声波器件的抗体检测生物芯片
本发明属于基于压电效应的抗体检测生物芯片，特别是涉及一种利用压电薄膜体声波器件的抗体检测生物芯片；包括谐振器FBAR，在谐振器FBAR上设有上电极、下电极和布拉格反射层全反射膜，其特征在于所述谐振器FBAR上的上电极与下...
董树荣韩雁赵士恒程维维王德苗李侃
文献传递
基于薄膜体声波谐振器的高灵敏度质量传感器被引量：4
2008年
提出了一种针对于生物传感应用的薄膜体声波谐振(Thin film bulk acoustic resonator,FBAR)质量传感器。薄膜体声波谐振器谐振频率非常高(GHz数量级),同时具有很高的品质因数,因此基于这种器件的质量传感器具有非常高的质量灵敏度。提出了三对全金属Al-W层作为布拉格声学反射层的FBAR,采用AlN作为压电层,制备出了固态装配型FBAR传感器。通过淀积不同厚度Al层顶电极,对器件的质量灵敏度进行了分析,得到质量传感器串联谐振频率在2.8GHz附近,质量响应度达到5×10-4ng/Hz/cm2,可以实现分子量级的质量传感。
马绍宇韩雁董树荣李侃周海峰
关键词：质量传感器薄膜体声波谐振器灵敏度
基于Al-W多层膜系布拉格反射层的薄膜体声波谐振器(FBAR)的研究
采用磁控溅射方法制备了基于布拉格反射层的、将 AlN 作为压电层的薄膜体声波谐振器(FBAR)。分析了用于 FBAR 的布拉格反射层的基本原理,首次提出将 Al-W 两种具有显著的声阻抗差别的材料作为布拉格反射层,采用直...
李侃董树荣王德苗
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高功率LED兼容集成封装模块
本发明专利涉及一种半导体照明器件，特别是涉及高功率LED兼容集成封装模块；它包括金属散热器和LED芯片，其特征在于所述金属散热器上设有反光杯，金属散热器和反光杯表面依次设置有用薄膜技术制作的绝缘膜层和多层膜系电极层，在金...
王德苗苏达徐文彬任高潮李侃王耀民陈洪璆
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射频反应溅射制备AlN薄膜的研究被引量：1
2006年
采用射频反应磁控溅射制备了高C轴取向的AlN薄膜.在分析Berg迟滞模型的基础上,提出并实现了一种以氮气流量控制反应进程、以阴极电压标识反应进程的高速沉积c轴择优取向AlN薄膜的工艺方法.采用此种方法制备的AlN薄膜,在20W/cm2射频功率密度的情况下沉积速率达到2.3μm/h,远高于有关研究报道数据,获得的AlN薄膜(002)面X-射线衍射峰半高宽仅为0.3°,显示出薄膜具有良好的择优取向.
李侃董树荣王德苗
关键词：AIN压电薄膜射频反应磁控溅射FBAR
氮气浓度对射频反应磁控溅射沉积AIN薄膜的影响
采用射频反应磁控溅射方法,以纯Al为靶材,在玻璃衬底上成功制备了以Al为下电极的高c轴取向的A1N薄膜。在对Berg模型进行分析的基础上,对原有溅射系统进行了改进,并提出了一种以氮气流量控制反应进程、以阴极电压为定位量的...
李侃金浩王德苗
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射频反应溅射制备AlN薄膜的研究
本文采用射频反应磁控溅射制备了高C轴取向的AlN薄膜.在分析Berg迟滞模型的基础上,提出并实现了一种以氮气流量控制反应进程、以阴极电压标识反应进程的高速沉积c轴择优取向AlN薄膜的工艺方法.采用此种方法制备的AlN薄膜...
李侃董树荣王德苗
关键词：ALN压电薄膜射频反应磁控溅射FBAR
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适用于FBAR的金属布拉格声波反射层结构
本发明属于新型射频电子元器件领域，特别是涉及一种适用于FBAR的金属布拉格声波反射层结构；它包括高声抗阻层和低声抗阻层，其特征在于所述高声抗阻层和低声抗阻层为金属薄膜，其中高声抗阻层由钨与钼中的一种材料构成，低声抗阻层由...
董树荣韩雁赵士恒程维维王德苗李侃
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