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张龙

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇钛酸
  • 4篇钛酸锶
  • 4篇钛酸锶钡
  • 4篇半导体
  • 2篇导体
  • 2篇低温度系数
  • 2篇电镀
  • 2篇电镀液
  • 2篇电容
  • 2篇镀液
  • 2篇真空
  • 2篇真空热处理
  • 2篇制成品
  • 2篇损耗
  • 2篇体硅
  • 2篇通孔
  • 2篇热处理温度
  • 2篇堇青石
  • 2篇钛酸锶钡薄膜
  • 2篇温度系数

机构

  • 9篇中国电子科技...

作者

  • 9篇张龙
  • 7篇朱健
  • 4篇林立强
  • 3篇贾世星
  • 2篇卓敏
  • 2篇王霄
  • 2篇吴璟
  • 2篇姜理利
  • 2篇顾晓春
  • 2篇杨勇
  • 1篇郁元卫
  • 1篇陆乐

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
钛酸锶钡与堇青石玻璃陶瓷复合介质材料的制备方法
本发明公开了一种可大幅度地拓宽其制成品的介电常数范围，降低其高频损耗，提高介电特性随频率和温度变化的稳定性的钛酸锶钡与堇青石混合介质材料的制备方法，包括：a.配制钛酸锶钡介质材料，按要求研磨制成超细粉；b.将配制堇青石玻...
林立强朱健张龙
文献传递
一种高电容密度的MIS芯片电容
本发明提出的是一种高电容密度的MIS芯片电容，包括重掺杂衬底，在重掺杂衬底下方设有背面多层金属，在重掺杂衬底上表面部分区域设有深沟槽阵列，深沟槽阵列上表面和重掺杂衬底上表面部分区域设有绝缘层，绝缘层上表面部分区域设有填充...
汤寅张龙杨党利姚伟明王霄顾晓春杨勇
一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金装置及方法
本发明公开了一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金装置，包括石英缸、在石英缸内装有电镀液，在电镀液中放置两块通过导线连接的金板，在两块金板的之间固定一块硅片，在硅片的正面与反面之间设有通孔，在两块金板之间还设有磁力搅拌棒...
贾世星姜理利张龙朱健
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钛酸锶钡与堇青石玻璃陶瓷复合介质材料的制备方法
本发明公开了一种可大幅度地拓宽其制成品的介电常数范围，降低其高频损耗，提高介电特性随频率和温度变化的稳定性的钛酸锶钡与堇青石混合介质材料的制备方法，包括：a.配制钛酸锶钡介质材料，按要求研磨制成超细粉；b.将配制堇青石玻...
林立强朱健张龙
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钛酸锶钡薄膜材料的制备方法
本发明在制备钛酸锶钡靶材的原材料中添加微量的敏化剂和成核剂，在磁控溅射过程中使这类添加剂均匀地转移到薄膜中去，通过适当的晶化处理能够强化在薄膜的非晶态固体中均匀地析出大量微晶化晶体，并使其生长，这种方法可显著地提高所制薄...
林立强朱健张龙卓敏吴璟
文献传递
一种驱动电压通路与射频信号隔离的微机电系统开关
一种驱动电压通路与射频信号隔离的微机电系统开关，其悬臂梁(11)悬空部分绝缘介质层(7)端部上的触点正好位于与驱动电压通路相隔离的射频输入与射频输出传输线(3)、(3′)之间缝隙的上方。在驱动电压的作用下，悬臂梁(11)...
朱健郁元卫贾世星陆乐张龙
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钛酸锶钡薄膜材料的制备方法
本发明在制备钛酸锶钡靶材的原材料中添加微量的敏化剂和成核剂，在磁控溅射过程中使这类添加剂均匀地转移到薄膜中去，通过适当的晶化处理能够强化在薄膜的非晶态固体中均匀地析出大量微晶化晶体，并使其生长，这种方法可显著地提高所制薄...
林立强朱健张龙卓敏吴璟
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一种高电容密度的MIS芯片电容
本发明提出的是一种高电容密度的MIS芯片电容，包括重掺杂衬底，在重掺杂衬底下方设有背面多层金属，在重掺杂衬底上表面部分区域设有深沟槽阵列，深沟槽阵列上表面和重掺杂衬底上表面部分区域设有绝缘层，绝缘层上表面部分区域设有填充...
汤寅张龙杨党利姚伟明王霄顾晓春杨勇
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一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金装置及方法
本发明公开了一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金装置，包括石英缸、在石英缸内装有电镀液，在电镀液中放置两块通过导线连接的金板，在两块金板的之间固定一块硅片，在硅片的正面与反面之间设有通孔，在两块金板之间还设有磁力搅拌棒...
贾世星姜理利张龙朱健
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