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张蒙

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 10篇半导体
  • 7篇功率器件
  • 7篇半导体功率器...
  • 6篇晶体管
  • 4篇电离
  • 4篇击穿电压
  • 4篇功率半导体
  • 4篇功率半导体器...
  • 4篇半导体器件
  • 3篇双极型
  • 3篇双极型晶体管
  • 3篇绝缘栅
  • 3篇VDMOS器...
  • 2篇电导
  • 2篇电极
  • 2篇电极结构
  • 2篇电离度
  • 2篇电离率
  • 2篇电路
  • 2篇多晶

机构

  • 15篇电子科技大学

作者

  • 15篇张蒙
  • 14篇李泽宏
  • 12篇张波
  • 12篇任敏
  • 12篇张金平
  • 6篇赵起越
  • 6篇邓光敏
  • 5篇李巍
  • 4篇夏小军
  • 4篇李长安
  • 3篇张灵霞
  • 3篇王娜
  • 2篇宋询奕
  • 2篇肖璇
  • 2篇李果
  • 2篇张超
  • 2篇张鹏
  • 1篇宋洵奕
  • 1篇安俊杰
  • 1篇陈伟中

年份

  • 3篇2013
  • 11篇2012
  • 1篇2011
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管
一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统Planar FS-IGBT基础上，在其N-漂移区（8）中注入深能级N型杂质。通过深能级杂质随着温度升高，电离度升高，杂质浓度上升这一特...
李泽宏李巍张蒙李长安张金平任敏张波
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一种改进的平面绝缘栅双极型晶体管
一种改进的平面绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统平面非穿通型绝缘栅双极型晶体管中引入体电极结构，所述体电极结构位于两个P型基区5之间的N-漂移区中，由体电极二氧化硅氧化层所包围的和凹槽型多晶硅体...
李泽宏张超张蒙赵起越肖璇
一种能够有效防止电荷失衡的超结VDMOS器件
一种能够有效防止电荷失衡的超结VDMOS器件，属功率半导体器件领域。本发明在常规超结VDMOS的超结结构中与外延区（3）导电类型相反的柱区（4）中掺入深能级杂质（对N沟道器件，掺入施主杂质S、Se或Te；对于P沟道器件，...
任敏赵起越邓光敏李巍张蒙张灵霞李泽宏张金平张波
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一种具有深能级掺杂元素漂移区的晶闸管
一种具有深能级掺杂元素漂移区的晶闸管件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统晶闸管的N-漂移区（6）中掺入深能级杂质元素（硫、硒、碲、金或铂），深能级杂质元素随着温度升高，电离度增加，导致杂质浓度增加，从而能有效减少...
李泽宏李巍陈伟中张蒙张金平任敏张波
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具有超薄源区的槽栅VDMOS器件的制备方法
具有超薄源区的槽栅型VDMOS的制备方法，属于半导体器件与工艺制造领域。借助斜角度离子注入技术，仅利用2张光刻版即可实现具有超薄源区的VDMOS器件，节约了制造成本，且超薄源区的形成不受光刻精度的制约，可以做得极窄，从而...
任敏张灵霞邓光敏张蒙赵起越李泽宏张金平张波
一种动态电荷平衡的超结VDMOS器件
一种动态电荷平衡的超结VDMOS器件，属于功率半导体器件领域。本发明在常规超结VDMOS器件超结结构的外延区（3）中掺入深能级杂质（对N沟道器件而言，掺入施主杂质S、Se或Te；对于P沟道器件而言，掺入受主杂质In、Ti...
任敏赵起越邓光敏李巍张蒙张灵霞李泽宏张金平张波
一种平面栅电荷存储型IGBT
一种平面栅电荷存储型IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统平面栅电荷存储型IGBT的基础上，在N型漂移区和N型电荷存储层之间引入一层P型埋层；通过P型埋层引入的附加PN结和电荷的电场调制作用，屏蔽了高掺杂N型...
张金平夏小军王娜李长安张蒙李泽宏任敏张波
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一种超结功率器件终端结构
一种超结功率器件的终端结构，属于半导体功率器件技术领域。包括器件元胞和器件终端；器件元胞漂移区由交替相间的P柱区和N柱区构成超结结构；器件终端包括过渡终端区和耐压终端区；所述过渡终端区处于器件元胞和耐压终端区之间；过渡终...
任敏李果宋询奕张鹏王娜邓光敏夏小军张蒙李泽宏张金平张波
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4500VFS IGBT终端设计
电力电子器件是电力电子技术的基础和使其发展的强大动力，每一种新型电力电子系统的诞生都是以一代新功率器件的问世为契机。IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为第三代电力电子的产品的推出为新一代电力电子系统的诞生奠定了坚实的基础。在...
张蒙
关键词：绝缘栅双极晶体管终端设计击穿电压仿真器
一种功率双极型晶体管及其制备方法
一种功率双极型晶体管及其制备方法，属于半导体器件与工艺制造领域。所述功率双极型晶体管由下到上依次包括：集电区金属电极，由第一导电类型半导体材料构成的集电区，由第二导电类型半导体材料构成的基区；基区的上方分别具有与基区表面...
任敏李果宋洵奕张鹏王娜邓光敏张蒙李泽宏张金平张波
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