您的位置: 专家智库 > >

张崇宏

作品数:140 被引量:138H指数:6
供职机构:中国科学院近代物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院西部之光基金甘肃省自然科学基金更多>>
相关领域:理学核科学技术一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 77篇期刊文章
  • 38篇会议论文
  • 20篇专利
  • 3篇科技成果
  • 2篇学位论文

领域

  • 74篇理学
  • 16篇核科学技术
  • 15篇一般工业技术
  • 13篇金属学及工艺
  • 7篇机械工程
  • 7篇电子电信
  • 4篇轻工技术与工...
  • 3篇化学工程
  • 1篇天文地球
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 52篇离子辐照
  • 40篇重离子
  • 26篇辐照
  • 24篇重离子辐照
  • 22篇光谱
  • 21篇辐照损伤
  • 20篇离子注入
  • 15篇发光
  • 15篇高能
  • 12篇快重离子
  • 10篇
  • 9篇退火
  • 9篇光致
  • 9篇光致发光
  • 8篇气体
  • 8篇纳米
  • 8篇光致发光谱
  • 8篇惰性气体
  • 8篇高能重离子
  • 7篇中子

机构

  • 140篇中国科学院近...
  • 10篇兰州大学
  • 10篇中国科学院研...
  • 10篇中国科学院大...
  • 9篇北京有色金属...
  • 4篇北京大学
  • 3篇中国科学院等...
  • 3篇苏州热工研究...
  • 2篇北京应用物理...
  • 2篇中国科学院
  • 2篇中国工程物理...
  • 1篇南京工业大学
  • 1篇教育部
  • 1篇西南科技大学
  • 1篇西北师范大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学院宁...
  • 1篇国标(北京)...

作者

  • 140篇张崇宏
  • 58篇宋银
  • 57篇杨义涛
  • 35篇王志光
  • 32篇孙友梅
  • 32篇金运范
  • 27篇缑洁
  • 21篇张丽卿
  • 20篇刘杰
  • 20篇周丽宏
  • 18篇姚存峰
  • 17篇朱智勇
  • 16篇李炳生
  • 13篇侯明东
  • 13篇刘昌龙
  • 10篇赵志明
  • 8篇王衍斌
  • 7篇段敬来
  • 7篇陈克勤
  • 6篇马艺准

传媒

  • 27篇原子核物理评...
  • 15篇物理学报
  • 11篇核技术
  • 7篇高能物理与核...
  • 5篇第二届全国反...
  • 4篇第二届全国反...
  • 3篇装备环境工程
  • 3篇第十四届全国...
  • 2篇科学通报
  • 2篇发光学报
  • 2篇稀有金属
  • 2篇第十六届全国...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇材料工程
  • 1篇青岛大学学报...

年份

  • 3篇2024
  • 4篇2023
  • 8篇2022
  • 6篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 9篇2017
  • 3篇2016
  • 8篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 4篇2012
  • 6篇2011
  • 7篇2010
  • 5篇2009
  • 8篇2008
  • 11篇2007
  • 9篇2006
  • 17篇2005
  • 5篇2004
140 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
金属材料中氦的扩散与氦泡的形核生长研究被引量:25
2001年
简述了金属材料中氦聚集行为的研究概况 ,特别是本课题组近年来对奥氏体不锈钢中氦扩散及氦泡形核生长机制的研究结果 ,并提出了这个领域有待解决的问题 .
张崇宏陈克勤王引书孙继光
关键词:金属材料形核核能技术离子加速器
核用碳化硅纤维增强碳化硅复合材料研究进展被引量:5
2022年
碳化硅纤维增强碳化硅(SiC_(f)/SiC)复合材料具有低中子毒性、耐中子辐照和耐高温氧化等特性,成为先进核能系统重要的候选结构材料。近年来,国内外学术界和工业界针对核用SiC_(f)/SiC复合材料开展了大量研究工作,取得了一系列重要的研究进展。针对SiC_(f)/SiC复合材料面向核用所关注的重点方向,如核用SiC纤维、纤维/基体界面相、复合材料制备工艺、数值仿真、腐蚀行为和表面防护、连接技术以及辐照损伤等方面,本文进行了综述和讨论,并针对核用要求指出了SiC_(f)/SiC复合材料存在的主要问题和可能的解决思路,希望对该材料的进一步研发和最终应用有所裨益。
欧阳琴王艳菲王艳菲李寅生裴学良莫高明裴学良李朋莫高明葛芳芳李勉何流李朋周小兵柴之芳葛芳芳黄庆
关键词:复合材料核材料碳化硅辐照损伤
Kr离子注入SiC的拉曼光谱研究被引量:7
2011年
应用拉曼光谱研究了5 MeV Kr离子(注量分别为5×1013,2×1014,1×1015ions/cm2)室温注入6 H-SiC单晶及其高温退火处理后结构的变化。研究表明,注入样品的拉曼光谱中不仅出现了Si—C振动的散射峰,还产生了同核Si—Si键和C—C键散射峰。Si—C散射峰强度随退火温度升高而增强,当退火温度高达1000℃时,已接近未辐照SiC的散射峰强度。晶体Si—Si键散射峰强度随退火温度变化不大,而非晶Si—Si键散射峰强度随退火温度的增加逐渐消失。相对拉曼强度(Relative Raman Intensity,简称RRI)随注量的增加逐渐减小并趋于饱和,且不同退火温度样品的饱和注量不相同;RRI随退火温度的增加逐渐升高,这在低注量样品中表现得尤为明显。低、中、高3种注量样品的RRI随退火温度的增加从重合逐渐分离,并且退火温度越高,分离越大。
徐超亮张崇宏李炳生张丽卿杨义涛韩录会贾秀军
关键词:6H-SIC离子注入拉曼光谱
冷轧和退火对V-5Cr-5Ti合金组织结构和抗辐照硬化性能的影响被引量:1
2021年
钒合金(V-5Cr-5Ti)是聚变堆第一壁以及包层的重要候选结构材料。不同加工工艺会对钒合金在聚变堆中的服役性能产生影响。本文利用兰州重离子研究装置(HIRFL)提供的337 MeV的高能Fe离子对不同程度冷轧(冷变形量分别为40%、60%和80%)以及冷轧后退火(1273 K退火1 h)的V-5Cr-5Ti合金样品进行了辐照,研究了不同的冷轧和退火处理过程对材料抗辐照硬化性能的影响。电子背散射衍射技术(EBSD)测试结果显示,随着冷变形量的增加,样品中细小破碎晶粒比例增大,晶粒平均尺寸减小。退火处理后,细小破碎晶粒出现一定程度的长大,大晶粒几乎全部消失,晶粒尺寸分布更加均匀。维氏硬度结果表明随着冷变形量的增加,硬度随之增加,退火后硬度降低。辐照之后,材料硬度升高,出现了辐照硬化效应。在冷轧样品和退火样品中都观察到了辐照硬化效应随冷变形量的增加显著减弱的现象,这表明冷变形可以显著提高材料的抗辐照硬化能力。结合EBSD和硬度数据,对冷变形和退火处理引起钒合金抗辐照硬化性能变化的机理进行了讨论。讨论结果显示,冷轧使材料总的吸收尾闾增大,引起辐照硬化程度降低,退火处理使材料中晶界密度和位错密度降低,材料的总吸收尾闾降低,辐照硬化效应增加。
牛孟珂杨义涛张崇宏张崇宏李增德
关键词:EBSD维氏硬度
铅离子辐照注碳4H-SiC的红外光谱特性研究
主要研究了铅离子辐照注碳4H-SiC样品在3个不同退火温度下傅立叶变换红外光谱的变化.从红外谱的变化可以知道铅辐照注碳4H-SiC样品在一定深度内出现了非晶层, 波数在960-1 450 cm-1范围内出现了干涉带, 干...
周丽宏张崇宏宋银杨义涛
关键词:4H-SIC傅立叶变换红外光谱离子注入
文献传递
高能Xe粒子辐照对ZnO薄膜的结构及发光特性的影响
利用射频反应溅射技术在单晶硅(100)衬底上制备了高质量的 ZnO 薄膜。该薄膜是在氧氩混合气 (Ar:O=3:2)中制备,溅射气压为3.4 Pa,溅射功率、溅射时间和基底温度分别为100W、3小时和400℃。利用兰州重...
臧航王志光朋兴平宋银刘纯宝魏孔芳张崇宏姚存峰马艺准周利宏盛彦斌缑洁
文献传递
两种国产低活化的铁素体/马氏体钢的He离子辐照硬化研究被引量:1
2017年
低活化的铁素体/马氏体钢(RAFM)以其高导热率、低热膨胀率、高抗辐照肿胀能力成为未来核聚变堆重要的候选结构材料,在聚变堆高能中子辐照环境由于(n,α)核反应产生的高浓度He在材料中的积累对于材料微观结构和宏观性能的影响是关系这类材料服役寿命的重要问题。本工作研究了面向聚变反应堆应用的两种国产低活化钢(CLF、CNS)的辐照硬化效应,利用中国科学院近代物理研究所320 kV高压实验平台提供的4He离子束进行辐照实验,辐照剂量6×10^(-3),6×10^(-2),6×10^(-1)dpa(辐照损伤/原子平均离位),对应注He浓度分别为100,1 000,10 000 appm(氦离子浓度/百万分之一)。采用多能注入方法,在样品表面至1微米深度形成He浓度和离位损伤的坪区分布。利用纳米压痕仪对参比样品和注入He的样品进行了连续刚度测试。基于NIX—GAO模型对纳米硬度数据进行分析,获得了注入He的区域样品纳米硬度的数据。研究表明,注入He区域的纳米硬度与辐照损伤水平之间存在着1/2次幂函数的关系。未辐照CLF钢比CNS钢的纳米硬度略低,随着辐照剂量的增加,CLF钢呈现的辐照硬化现象更明显。
范嘉琪杨义涛丁兆楠李彩胜张崇宏徐玉平罗广南
关键词:CNS纳米压痕
氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究被引量:3
2010年
4H-SiC晶体经能量为100keV,剂量为3×1016cm-2的氦离子高温(500K)注入后,再在773—1273K温度范围内进行了退火处理,最后使用纳米压痕仪测量了样品注入面的硬度.测试结果表明,在500—1273K温度范围内样品的硬度随退火温度升高呈现先增大后减小再增大的趋势,其中773K退火样品的硬度增大明显.分析认为,退火样品的硬度变化是由退火过程中缺陷复合与氦泡生长导致样品内部的Si—C键密度、键长和键角改变引起的.
张勇张崇宏周丽宏李炳生杨义涛
关键词:SIC纳米压痕
高能氩离子辐照SiO_2玻璃的正电子寿命谱学研究被引量:1
2001年
用 1.15GeV的氩离子在室温下对二氧化硅玻璃样品进行了辐照 ,并通过正电子寿命测量技术研究了辐照后材料微观结构的变化。结果表明 ,在未辐照二氧化硅玻璃中有近 81%的正电子是以正电子素的形式湮灭的 ;根据o -Ps的撞击湮灭寿命确定出未辐照样品的自由体积分布在0 .0 2— 0 .13nm3的区域里 ,平均自由体积半径约为 2 .5nm。辐照后材料的自由体积分布函数变窄 ,峰位下移 ,显示样品经辐照后有密度增大的现象。随着剂量的增大 ,第二正电子寿命成分的强度逐渐增加 ,而相应于o -Ps的寿命成分的强度逐渐减小 ,这被认为是由于辐照产生的电离电子在自由体积中漫游 ,使正电子与这些漫游电子发生湮灭的几率增大 ,从而减小了正电子素的形成几率。
朱智勇孙友梅金运范李长林侯明东刘昌龙张崇宏孟庆华王志光陈克勤鲁光军
关键词:二氧化硅玻璃正电子寿命微观结构正电子寿命谱
一种离子注入/辐照提高氧化物材料发光性能的方法
本发明公开了一种离子注入/辐照提高氧化物材料发光性能的方法。本发明一种离子注入/辐照提高氧化物材料发光性能的方法包括:对氧化物材料先后进行离子注入和离子辐照,其中,所述离子注入步骤中采用多个减能片进行能量梯度控制,所述离...
宋银缑洁韩旭孝徐秋梅杨义涛张崇宏
共14页<12345678910>
聚类工具0