王志光
- 作品数：229 被引量：198H指数：8
- 供职机构：中国科学院近代物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 一种高温真空颗粒筛选机
- 本实用新型公开了一种高温真空颗粒筛选机，包括振动电机和从上至下依次连接的筛筒、弹簧、支座，所述振动电机通过连接件与筛筒侧面连接，还包括套装在所述筛筒外部的多个环形加强筋。本实用新型通过筛筒筛选具有高温的颗粒物质，通过加强...
- 庞立龙王志光孙建荣
- 文献传递
- 一种高温高压水气流体效应模拟装置
- 本发明属于反应堆模拟技术领域，公开了一种高温高压水气流体效应模拟装置，设置有：去离子水制备及氧控系统、加热与实验系统、数据采集与控制系统；去离子水制备及氧控系统与加热与实验系统通过不锈钢管件、管接头、阀门连通，形成介质循...
- 王志光马志伟姚存峰刘超
- 文献传递
- 高能Pb离子辐照注碳SiO_2的红外谱研究被引量：4
- 2005年
- 室温下,先用120keV的C离子注入二氧化硅薄膜样品至剂量2.0×1017,5.0×1017或8.6×1017ions/cm2,再用950MeV的Pb离子分别辐照至剂量5.0×1011,1.0×1012或3.8×1012ions/cm2,然后测量样品的傅里叶变换红外(FTIR)光谱.通过分析测量得到的傅里叶变换红外谱,发现Pb离子辐照在注碳SiO2样品中可引起大量的Si—C和Si(C)—O—C等化学键的形成,大剂量Pb离子辐照可在大剂量注碳的SiO2中产生分子CO2.大量的Si—C键的存在和分子CO2的形成,预示着高能Pb离子辐照在注碳SiO2样品中有可能形成了纳米Si团簇和/或SiC晶粒.
- 赵志明王志光A.BenyagoubM.ToulemondeF.Levesque宋银金运范孙友梅
- 关键词：低能离子注入红外光谱
- 单粒子实验的束流均匀度测量系统
- 束流均匀度测量系统是单粒子效应地面模拟装置的一个组成部分,该系统采用先进的位置灵敏光电倍增管测量束流的均匀度.其显著的特点是外部电子学线路简单,能量分辨高,具有非常好的位置分辨率.本文介绍了系统的组成和达到的性能指标.
- 侯明东刘杰张庆祥甄红楼王志光李保权金运范朱智勇陈晓曦刘昌龙孙友梅唐玉华叶宗海朱光武林云龙蔡金荣王世金都亨
- 文献传递
- 一种液态金属氧传感器的封装装置及方法
- 本发明公开了一种液态金属氧传感器的封装装置及方法，其中装置包括一封闭腔体，封闭腔体包括上盖部和腔身部，上盖部的顶端上配置有舱门，封闭腔体内设有氧传感器固定支架，封闭腔体设置有抽气口和充气口。本发明公开了一种液态金属氧传感...
- 常海龙王志光马志伟刘超庞立龙孙建荣申铁龙
- 文献传递
- 一种高温真空颗粒筛选机
- 本发明公开了一种高温真空颗粒筛选机，包括振动电机和从上至下依次连接的筛筒、弹簧、支座，所述振动电机通过连接件与筛筒侧面连接，还包括套装在所述筛筒外部的多个环形加强筋。本发明通过筛筒筛选具有高温的颗粒物质，通过加强筛筒的强...
- 庞立龙王志光孙建荣
- 文献传递
- 2.1GeV氪离子在聚苯乙烯中的电子能损效应研究
- 本实验用高能氪离子对多层堆叠的聚苯乙烯(PS)薄膜样品进行了透射辐照,通过对辐照样品的傅立叶变换红外光谱的测量,研究了材料学结构的改变与电子能损之间的关系.
- 唐玉华朱智勇金运范刘昌龙王衍斌侯明东王志光陈晓曦刘杰
- 关键词：离子辐照聚苯乙烯电子能损重离子加速器
- 文献传递
- 高能Pb离子在β-Sn中引起的辐照效应
- 高能重离子辐照情况下,强的电子能损能在纯金属中引起辐照损伤。本工作利用12MeV/u 的 Pb 离子辐照处于低温的低熔点纯金属锡,着重研究了电子能损在其中引起的效应。实验样品为纯度好于99．999%多晶金属锡(β-Sn)...
- 王志光M．Toulemonde金运范C．DufourE．PaumierF．Pawlak
- 关键词：重离子辐照
- 文献传递
- GeV能量的Fe离子在C_(60)薄膜中的辐照效应研究
- 2007年
- 利用傅立叶转换红外光谱和Raman谱仪分析了0.98GeV的Fe离子在电子能损Se为3.5keV/nm时,不同辐照剂量(5×1010—8×1013ions/cm2)下,在C60薄膜中引起的辐照损伤效应。分析表明,Fe离子辐照引起了C60分子的聚合与损伤。在辐照剂量达到一中间值1×1012ions/cm2,C60分子的损伤得到部分恢复,归因于电子激发引起的退火效应。通过对Raman数据的拟合分析,演绎出Fe离子辐照在C60材料中形成的潜径迹截面或引起损伤的截面约为1.32×10-14cm2。
- 姚存峰金运范宋银王志光刘杰孙友梅张崇宏段敬来
- 关键词：C60薄膜辐照效应退火效应
- 15.14 MeV/u ^(136)Xe离子引起的单粒子效应(英文)被引量：1
- 2002年
- 研究了 1 5.1 4MeV/u136 Xe离子在不同批次的 3 2k× 8bits静态存储器中所引起的单粒子效应 .获得了单粒子翻转和单粒子闭锁截面与入射角度的依赖关系 .将单粒子效应截面与灵敏区中沉积的能量相联系 ,而不是线性能量转移(LET)值 .估计了灵敏体积的深度和死层的厚度 .
- 侯明东张庆祥刘杰王志光金运范朱智勇甄红楼刘昌龙陈晓曦卫新国张琳樊友诚祝周荣张弋艇
- 关键词：单粒子效应单粒子翻转静态存储器截面
