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张世著

作品数:4 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇发光
  • 3篇盖层
  • 2篇电子器件
  • 2篇氧化层
  • 2篇湿法
  • 2篇光电
  • 2篇光电子
  • 2篇光电子器件
  • 2篇光性质
  • 2篇发光性
  • 2篇发光性质
  • 2篇GAAS
  • 1篇低密度
  • 1篇有效折射率
  • 1篇折射率
  • 1篇微腔
  • 1篇微扰
  • 1篇微扰法
  • 1篇量子
  • 1篇量子点

机构

  • 4篇中国科学院
  • 1篇清华大学

作者

  • 4篇叶小玲
  • 4篇张世著
  • 4篇王占国
  • 3篇周文飞

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层热稳定性的方法
本发明公开了一种在高温湿法氧化时同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>(1-x)</Sub>As氧化层热稳定性的方法。该方法是通过在GaAs层上采用等离子体化学气相淀积法生长一定厚度...
周文飞徐波叶小玲张世著王占国
有效折射率微扰法研究单缺陷光子晶体平板微腔的性质
2012年
应用有效折射率微扰法结合二维/三维平面波方法研究了施主和受主缺陷型H1微腔的性质,使用修正后的有效折射率可以准确地计算微腔的腔模频率,与三维全矢量时域有限差分法的计算结果很相近.对于施主型H1微腔,以介质带边为匹配标准修正的有效折射率计算的微腔腔模频率误差最小,而对于受主型H1微腔,匹配标准则应设置为中间带.有效折射率微扰法既可以将计算的维度从三维降到二维,大大减少计算所需的计算机内存和时间,又可以保持计算结果的准确性,这对于光子晶体微腔的广泛应用具有非常重要的价值.
周文飞叶小玲徐波张世著王占国
关键词:有效折射率
同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层热稳定性的方法
本发明公开了一种在高温湿法氧化时同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>(1-x)</Sub>As氧化层热稳定性的方法。该方法是通过在GaAs层上采用等离子体化学气相淀积法生长一定厚度...
周文飞徐波叶小玲张世著王占国
文献传递
制备低密度、长波长InAs/GaAs 量子点的方法
一种制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上淀积生长缓冲层;步骤3:在缓冲层上淀积生长InAs层,未到临界厚度时暂停淀积生长;步骤4:将生长有InAs层的衬底退火...
张世著叶小玲徐波王占国
文献传递
共1页<1>
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