孙莉莉
- 作品数：15 被引量：14H指数：2
- 供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 氨化磁控溅射Ga_2O_3／BN薄膜制备GaN纳米棒
- 2006年
- 利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3／BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒。用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析。结果表明:GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm～400 nm左右,长度可达几十微米。室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰。
- 吴玉新薛成山庄惠照田德恒刘亦安孙莉莉王福学艾玉杰
- 关键词：磁控溅射氨化光致发光
- 采用氨化技术制备成簇生长的光滑线状氮化镓
- 2007年
- 通过在1 000℃时氨化Ga2O3/MgO/Si(111)薄膜15 min,制备出成簇生长的光滑的长直线状GaN。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率电子显微镜(HRTEM)对样品进行测试分析。结果表明,线状GaN为六方纤锌矿结构单晶相,表面光滑,且成簇生长,直径在200 nm^400 nm左右,其长度可达5μm^20μm。
- 孙莉莉薛成山孙传伟艾玉杰庄惠照王福学
- 关键词：GAN磁控溅射
- 氨化Si基Ga<,2>O<,3>/Ti和Ga<,2>O<,3>/TiO<,2>薄膜制备一维GaN纳米结构研究
- 本文采用氨化磁控溅射 Ga<,2>O<,3>/Ti 和 Ga<,2>O<3>/TiO<,2>薄膜的方法在硅衬底上合成了GaN 纳米结构.通过研究不同生长条件对制备 GaN 纳米结构的影响,初步提出并探讨了此方法合成 Ga...
- 孙莉莉
- 关键词：GAN纳米结构TIO2薄膜
- 文献传递
- 氨化Si基Ga_2O_3/Ti制备GaN纳米线被引量：3
- 2007年
- 采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Ti薄膜，然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射（xRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线。通过扫描电镜（SEM）观察发现纳米线的形貌，纳米棒的尺寸在50～150nm之间。
- 孙莉莉薛成山艾玉杰孙传伟庄惠照张晓凯王福学陈金华李红
- 关键词：氨化GAN薄膜TI
- 氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性被引量：1
- 2006年
- 利用射频磁控溅射技术在Si（111）衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线.X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明,制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为40～160 nm左右,典型的纳米线长达几十微米.室温下以300 nm波长的光激发样品表面,显示出较强的363 nm的紫外光发射和422 nm处的紫光发射.另外,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.
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- 关键词：氮化镓纳米线
- 高温氨化合成GaN微晶
- 2006年
- 分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。
- 刘亦安薛成山庄惠照何建廷吴玉新田德恒孙莉莉艾玉杰王福学
- 关键词：氨化
- 溶胶-凝胶法制备GaN颗粒
- 2006年
- 以醇酸镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶．凝胶法和高温氨化法相结合,成功的合成了GaN粉末。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、光致发光谱(PL)对粉末的结构、形貌和发光特性进行了表征。结果表明:在950℃时,可以得到纯度较高的GaN粉末且采用该工艺合成的GaN粉末粒度较均匀,生成的GaN多晶絮状颗粒为六方纤锌矿结构,室温下光致发光谱的测试结果发现了较强的402 nm处的近带边发光峰和460 nm处的蓝色发光峰。
- 刘亦安薛成山庄惠照张晓凯田德恒吴玉新孙莉莉艾玉杰王福学
- 关键词：溶胶-凝胶法氨化
- Mg_3N_2 粉末的合成和光致发光性质研究(英文)
- 2007年
- Mg粉在800℃氨气流中氨化60min,可得到高质量的Mg3N2粉末。XRD分析表明,Mg3N2粉末是体心立方结构,晶格常数a=0.99657nm。SEM分析表明,Mg3N2粉末有多种形貌。PL测试表明,在激发波长为490nm的情况下,氮化镁粉末存在1个位于545nm的绿光发光峰。
- 薛成山艾玉杰孙莉莉孙传伟庄惠照王福学杨兆柱秦丽霞陈金华李红
- 关键词：氮化光致发光
- 退火温度对硅基GaN薄膜质量的影响被引量：2
- 2007年
- 采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备GaN薄膜,并研究退火温度对GaN薄膜晶体质量、表面形貌和发光特性的影响。傅立叶红外吸收谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的测试结果表明所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜,随退火温度的升高,晶粒尺寸增大,结晶化程度提高。室温下光致发光谱的测试发现了位于367 nm处的强发光峰和437 nm处的弱发光峰,其发光强度随退火温度的升高而增强,但发光峰的位置并不发生移动。
- 吴玉新薛成山庄惠照田德恒刘亦安何建廷艾玉杰孙莉莉王福学
- 关键词：氮化镓薄膜电泳沉积退火温度光致发光
- 氨化Ga_2O_3/TiO_2/Si薄膜制备GaN纳米线
- 2006年
- 为了制备高质量的GaN纳米结构，采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／TiO2薄膜，然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应，成功制备出GaN纳米线．采用X射线衍射（XRD）、傅里叶红外吸收光谱（FTIR）、扫描电子显微镜（SEM）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）对样品进行分析．研究结果表明，采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线，纳米线的直径在100～400nm，纳米线的长度在3～10μm．
- 孙莉莉薛成山孙传伟艾玉杰庄惠照王福学陈金华李红
- 关键词：GANTIO2纳米线
