艾玉杰
- 作品数：20 被引量：21H指数：3
- 供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 氨化Si基Ga_2O_3/In制备GaN薄膜被引量：2
- 2007年
- 研究了Ga2O3/In膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM),透射电镜(TEM)对样品进行结构,形貌的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好。
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- 关键词：GAN氨化磁控溅射
- 氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性被引量：1
- 2006年
- 利用射频磁控溅射技术在Si（111）衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线.X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明,制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为40～160 nm左右,典型的纳米线长达几十微米.室温下以300 nm波长的光激发样品表面,显示出较强的363 nm的紫外光发射和422 nm处的紫光发射.另外,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.
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- 关键词：氮化镓纳米线
- 溶胶-凝胶法制备GaN颗粒
- 2006年
- 以醇酸镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶．凝胶法和高温氨化法相结合,成功的合成了GaN粉末。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、光致发光谱(PL)对粉末的结构、形貌和发光特性进行了表征。结果表明:在950℃时,可以得到纯度较高的GaN粉末且采用该工艺合成的GaN粉末粒度较均匀,生成的GaN多晶絮状颗粒为六方纤锌矿结构,室温下光致发光谱的测试结果发现了较强的402 nm处的近带边发光峰和460 nm处的蓝色发光峰。
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- 关键词：溶胶-凝胶法氨化
- 氮化铟粉末在N_2气中的热稳定性(英文)被引量：1
- 2007年
- 用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在N_2气中的热稳定性进行了分析。结果表明:当温度超过600℃时,一部分InN粉末被氧化;但当温度增加到800℃时,一部分InN粉末分解成In和N_2;一部分InN粉末转变成In_2O_3粉末。
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- 关键词：热稳定性N2IN2O3
- 采用氨化技术制备成簇生长的光滑线状氮化镓
- 2007年
- 通过在1 000℃时氨化Ga2O3/MgO/Si(111)薄膜15 min,制备出成簇生长的光滑的长直线状GaN。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率电子显微镜(HRTEM)对样品进行测试分析。结果表明,线状GaN为六方纤锌矿结构单晶相,表面光滑,且成簇生长,直径在200 nm^400 nm左右,其长度可达5μm^20μm。
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- 关键词：GAN磁控溅射
- Mg_3N_2 粉末的合成和光致发光性质研究(英文)
- 2007年
- Mg粉在800℃氨气流中氨化60min,可得到高质量的Mg3N2粉末。XRD分析表明,Mg3N2粉末是体心立方结构,晶格常数a=0.99657nm。SEM分析表明,Mg3N2粉末有多种形貌。PL测试表明,在激发波长为490nm的情况下,氮化镁粉末存在1个位于545nm的绿光发光峰。
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- 关键词：氮化光致发光
- 退火温度对硅基GaN薄膜质量的影响被引量：2
- 2007年
- 采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备GaN薄膜,并研究退火温度对GaN薄膜晶体质量、表面形貌和发光特性的影响。傅立叶红外吸收谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的测试结果表明所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜,随退火温度的升高,晶粒尺寸增大,结晶化程度提高。室温下光致发光谱的测试发现了位于367 nm处的强发光峰和437 nm处的弱发光峰,其发光强度随退火温度的升高而增强,但发光峰的位置并不发生移动。
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- 关键词：氮化镓薄膜电泳沉积退火温度光致发光
- 氨化磁控溅射Ga_2O_3／BN薄膜制备GaN纳米棒
- 2006年
- 利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3／BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒。用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析。结果表明:GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm～400 nm左右,长度可达几十微米。室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰。
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- 关键词：磁控溅射氨化光致发光
- 氮化镁的制备与性质表征及中间层对纳米线生长作用研究
- 本文采用氨气代替氮气以提高氮化镁的纯度,并研究了氮化镁的一些基本性质,如氮化镁粉末的形貌、光致发光特性、热稳定性、抗氧化能力以及在空气中的稳定性。文章采用镁粉与氨气直接反应法制备纯度较高的氮化镁粉末的最佳条件,并借助于现...
- 艾玉杰
- 关键词：半导体材料氮化镁纳米线
- 文献传递
- 氮化铟粉末的热稳定性(英文)
- 2007年
- 用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在空气中的热稳定性进行了分析研究。结果表明:当温度低于400℃时,InN非常稳定;但当温度超过500℃时,InN很容易被氧化;当温度增加到600℃时,InN被完全氧化成In_2O_3。
- 王福学薛成山庄惠照艾玉杰孙丽丽杨兆柱张晓凯
- 关键词：热稳定性INNIN2O3
