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黄奇辉

作品数:3 被引量:6H指数:1
供职机构:南昌大学理学院物理系更多>>
发文基金:江西省自然科学基金国家重点实验室建设项目计划更多>>
相关领域:一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇溅射
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电薄膜
  • 2篇PZT铁电薄...
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化钛
  • 1篇氮化钛薄膜
  • 1篇原位生长
  • 1篇射频溅射
  • 1篇基底温度
  • 1篇溅射制备
  • 1篇光谱
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇反射光
  • 1篇反射光谱
  • 1篇钙钛矿相

机构

  • 3篇南昌大学

作者

  • 3篇黄奇辉
  • 2篇王震东
  • 2篇赖珍荃
  • 1篇范定寰
  • 1篇张景基
  • 1篇蒋雅雅

传媒

  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇南昌大学学报...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
基底温度对磁控溅射制备氮化钛薄膜的影响被引量:6
2007年
在不同的基底温度下,采用直流磁控反应溅射法在硅基底上制备了氮化钛(TiNx)薄膜,研究了基底温度对薄膜结晶取向、表面形貌和导电性能的影响。实验结果表明:基底温度较低时,薄膜主要成分为四方相的Ti2N,具有(110)择优取向,当基底温度升高到360℃时薄膜中开始出现立方相的TiN。TiNx薄膜致密均匀,粗糙度小。随着基底温度的升高薄膜的电阻率显著减小。
蒋雅雅赖珍荃王震东黄奇辉
关键词:磁控溅射TIN薄膜基底温度
PZT铁电薄膜的低温原位生长
2008年
在溅射法预制备的LaNiO3/Si基片上,用射频溅射法在较低的衬底温度(235-310℃)和纯Ar气氛中原位生长Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜.通过优化溅射功率、基片温度等工艺,最后在260℃的较低基片温度上成功制备出具有良好铁电性的PZT薄膜.使用X射线衍射(XRD)测试样品的结构,原子力显微镜观察其表面形貌,TD-88A标准铁电测试系统测试样品(Ag/PZT/LNO结构)的铁电性能.结果表明:(1)溅射功率110W,基片温度260℃时,原位沉积的PZT呈(111)、(200)取向;(2)上述工艺制备的PZT薄膜展现良好的铁电性,在5V测试电压时,其剩余极化为23.1uc/cm^2,漏电流密度为1.34×10^-4A/cm^2.
王震东赖珍荃范定寰张景基黄奇辉
关键词:铁电薄膜原位生长射频溅射钙钛矿相
PZT铁电薄膜//LaNiO/_3薄膜周期结构的制备及其光学性质
钙钛矿相铁电薄膜不仅具有显著的铁电和电光特性,还因其介电常数高而备受重视。近年来,这类材料被引入到超晶格和光子晶体的研究中。 引入介电常数比常规材料大得多、具有自发极化且自发极化可随温度和外电场变化、具...
黄奇辉
关键词:PZT铁电薄膜磁控溅射反射光谱
文献传递
共1页<1>
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